ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料，近年来一直受到广泛关注。然而，如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因，并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状，并对今后的发展趋势进行了展望。     

Sn掺杂ZnO微晶的水热法制备及表征

采用水热法合成了具有不同形貌的Sn掺杂ZnO微晶。采用XRD、SEM、UV等分析手段对试样进行了表征。实验结果表明，随着Sn掺杂比例的增加，ZnO微晶的粒度增大，大的微晶达到500nm，小的仅为100nm。大的ZnO微晶为六棱锥体，显露锥面P{10 11），负极面O（000 1），并对其生长机理进行了探讨。     

掺Nd纳米ZnO薄膜特性研究

研究了用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土掺杂纳米ZnO薄膜结构、导电性及光透射性能。结果显示。在500℃氧化、热处理稀土元素Nd掺杂后能够明显改善纳米ZnO薄膜的结构特性，薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小。掺Nd使ZnO薄膜的电性能有所改善但使纳米ZnO薄膜的光透射性有所降低。     

一维纳米结构ZnO掺杂的研究进展

ZnO是目前已知纳米结构中形态最为多样的多功能材料之一,其一维纳米结构的掺杂改性日益成为研究和应用的热点.本文按照杂质原子引入一维纳米结构ZnO晶格的先后,将ZnO的掺杂分为原位掺杂和后期掺杂两类,对当前一维纳米结构ZnO的掺杂进展进行了回顾,提出掺杂工艺中尚待解决的问题,并对其发展趋势及前景进行了展望.     

稀土掺杂 ZnO 薄膜的研究进展

综述了近年来国内外稀土掺杂ZnO薄膜的研究现状,总结了稀土掺杂的方式及稀土掺杂对ZnO薄膜的结构、光、电、磁学性能以及抗腐蚀性能的影响,并介绍了稀土掺杂ZnO薄膜在气敏传感器方面的应用,最后探讨了稀土掺杂ZnO薄膜存在的问题及今后可能的研究方向.     

ZnO薄膜p型掺杂的研究进展

ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注.然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键.概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法.简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望.     

四针状ZnO晶须的掺杂及其表征

在平衡气量法制备四针状ZnO晶须过程中添加金属锡以研究其对晶须形貌的影响，采用高温固熔表面处理法制备了铝掺杂ZnO晶须。用X射线衍射分析方法和扫描电子显微镜分别对其结构和形貌进行了表征。结果发现，锡在反应过程中起催化剂的作用，添加10％～15％(质量分数)的单质锡能促进ZnO的C轴择优生长，更多锡的加入则抑制C轴生长。铝以置换固溶体和ZnAl2O4两种形式存在于ZnO晶体中。     

Sb掺杂对ZnO-V2O5多元系压敏电阻的影响

本文研究了V/Sb预合成粉、SbVO4和Sb2O3等三种不同形式的Sb掺杂对ZnO-V2O5基压敏陶瓷结构和性能的影响.化学计量比不变情况下,上述Sb掺杂方式的改变,使烧结过程中Sb3 离子在陶瓷样品中的浓度上升,促进Zn7Sb2O12型尖晶石相形成,材料晶粒随之细化.同时材料的压敏电压出现大幅上升,而非线性系数和漏电流密度受Sb掺杂形式的变化影响不大.Sb以V/Sb预合成粉进行掺杂可以获得较大尺寸的晶粒,有利于材料在低压方面的应用.     

掺Nd纳米ZnO薄膜特性研究

研究了用真空蒸发法在玻璃衬底上制备稀土掺杂纳米ZnO薄膜结构、导电性及光透射性能。结果显示 ,在 5 0 0℃氧化、热处理稀土元素Nd掺杂后能够明显改善纳米ZnO薄膜的结构特性 ,薄膜的晶粒尺寸随掺杂含量的增加而减小。掺Nd使ZnO薄膜的电性能有所改善但使纳米ZnO薄膜的光透射性有所降低。     

Sn掺杂ZnO微晶的水热法制备及表征

采用水热法合成了具有不同形貌的Sn掺杂ZnO微晶.采用XRD、SEM、UV等分析手段对试样进行了表征.实验结果表明,随着Sn掺杂比例的增加,ZnO微晶的粒度增大,大的微晶达到500 nm,小的仅为100 nmm.大的ZnO微晶为六棱锥体,显露锥面P{10 (1)1},负极面O(000 (1)),并对其生长机理进行了探讨.