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1.
室温下在不锈钢基底上应用Ar+离子源辅助,准分子脉冲激光沉积了CeO2薄膜.研究结果表明:在合适的工艺条件下,直接在不锈钢基底上可以制备出c轴取向的CeO2薄膜,但这时的CeO2薄膜在其a-b平面内没有观察到织构的信息;进一步在相同的条件下,首先在不锈钢基底上制备一层YSZ(Yttria-StabilizedZirconia),再在YSZ/不锈钢上制备CeO2薄膜,实验结果显示出这时的CeO2薄膜不但是c轴取向,同时在其a-b平面内织构.CeO2(202)射线φ扫描图给出其全宽半峰值为20° 相似文献
2.
以乙醇锂和乙醇钽为起始反应物, 用溶胶-凝胶法在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了新型钽酸锂LiTa3O8铁电薄膜. 经XRD图谱对比, 该薄膜结构不同于LiTaO3晶体结构, 与正交相结构类似. SEM分析显示经过750℃结晶退火的LiTa3O8薄膜表面均匀平整无裂纹, 膜厚约为1μm. 实验结果表明, 在450kV/cm时, LiTa3O8薄膜剩余极化强度Pr为9.3μC/cm2, 矫顽场强Ec为126.8kV/cm; 在9.5kV/cm时, LiTa3O8薄膜漏电电流为8.85×10-9A/cm2, 比LiTaO3薄膜漏电小; 在1kHz时, LiTa3O8薄膜介电常数为58.4, 介电损耗为0.26. 溶胶-凝胶法制备的 LiTa3O8薄膜结晶温度比LiTaO3薄膜高50℃以上. 相似文献
3.
研究了激光辐照引起Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化, 当激光功率为580mW时薄膜的方块电阻有四个数量级(107~103Ω/□)的突变; 对电阻发生突变前、中、后的三个样品进行了XRD测试, 结果表明, 随着激光功率的增大,薄膜由非晶态向晶态转变,用椭偏仪测试了结构转变前、中、后三个样品的光学常数, 在可见光范围内薄膜的光学常数在波长相同情况下有: n非晶态>n中间态>n晶态, k晶态>k中间态>k非晶态, α晶态>α中间态>α非晶态, 结合电阻变化曲线和XRD图谱讨论了激光辐照Ge2Sb2Te5非晶态薄膜的电/光性质变化同激光功率和结构转变之间的关系. 相似文献
4.
通过射频磁控溅射在单晶LaAlO3(100)衬底上生长了膜厚为120nm的La0.75Na0.25MnO3外延膜. 通过X射线衍射、超导量子干涉仪、直流四探针法对其进行了表征. 结果表明, 薄膜为(100)取向外延膜. 居里温度TC=270K, 在居里温度附近, 发生铁磁-顺磁转变. 此材料呈现出典型的自旋玻璃特性, 是由于应力造成的. 在室温附近, 此材料在1T磁场下, 其磁电阻极大值为40.3%. 80K<T<210K时, 其输运机制为电子-电子散射, 电阻率满足ρ=ρ0+ρ1T2+ρ2T5; 220K<TT>TMI时, 其输运机制满足小极化子模型. 相似文献
5.
获得多功能单一过渡层是简化涂层导体多层结构的主要课题之一. 采用化学溶液方法制备La掺杂CeO2过渡层,研究La掺杂量对CeO2薄膜表面形貌和双轴取向生长的影响. 结果表明La掺杂量为10mol%的薄膜表面平整致密,且能保持锐利的双轴织构. 通过多次涂敷工艺,获得具有120nm厚的Ce0.9La0.1O2过渡层. 采用脉冲激光沉积方法在Ce0.9La0.1O2/NiW结构模板层上沉积了YBCO超导薄膜,其起始临界转变温度达到90.5K. 这表明采用化学溶液方法制备Ce0.9La0.1O2薄膜是一种有前景的简化涂层导体多层结构的方法. 相似文献
6.
以Ni(NO3)2·6H2O、Al(NO3)3·9H2O、ZrOCl2·8H2O和Ce(NO3)3·6H2O为原料,采用共沉淀法分别制备了NiO/CeO2/γ-Al2O3和NiO/CeO2-ZrO2/Al2O3催化剂.通过X射线衍射(XRD)、透射电子显微镜(TEM)和近边X射线吸收精细结构(XANES)等方法对催化剂的组成结构进行表征.结果表明,煅烧温度高于600℃时,NiO/CeO2/γ-Al2O3催化剂中的NiO与γ-Al2O3载体发生作用,形成NiAl2O4尖晶石;而NiO/CeO2-ZrO2/Al2O3催化剂中,NiO能够稳定存在,没有NiAl2O4尖晶石生成,且Al2O3与CeO2和ZrO2作用形成一种新的Zr0.30Ce0.45Al0.25O1.87固溶体. 相似文献
7.
研究了不同V5+含量Mg4(SbNb1-xVx)O9[MSNV, 0.05≤ x≤0.3]系陶瓷的烧结特性、微观结构和微波介电性能. 结果表明: 一定量V5+取代能够明显降低该陶瓷的烧结温度. 在所有组成范围内, XRD显示了单一刚玉型结构. 随V5+含量的增加, 样品的介电常数ε和品质因数Q·f先增大后减小, 样品的谐振频率温度系数τf逐渐减小, 这是由于V5+的取代使得B位键价增强所致. 在x=0.15, 1250℃烧结, 可获得εr=9.98, Q·f=20248GHz (8GHz), τf=-23.3×10-6·K-1的新型微波介质陶瓷. 相似文献
8.
(1-x)CaTiO3-xLi1/2Sm1/2TiO3陶瓷的微波介电性能研究 总被引:1,自引:1,他引:1
采用固相法制备了(1-x)CaTiO3-x(Li1/2Sm1/2)TiO3系列微波介质陶瓷材料, 研究了该体系的相组成、烧结性能和微波介电性能之间的关系. 结果表明: 在x=0.1~0.9mol范围内, (1-x)CaTiO3-x(Li1/2Sm1/2)TiO3 体系均形成了单一的斜方钙钛矿结构; x=0.1~0.5和x=0.6~0.9组分的最佳烧结温度分别为1250和1300℃; 介电常数εr、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值、谐振频率温度系数τf均随着x的增大而减小. 当x=0.7时, 1300℃下保温5h烧结得到的材料的微波介电性能为: εr=116.5, Qf=3254GHz, τf=42.43×10-6/℃. 相似文献
9.
采用脉冲激光沉积技术(PLD)在硅基片上生长了二氧化钛纳米晶氧化物薄膜, 系统讨论了基片温度、氧分压等因素对薄膜结构特性的影响.X射线衍射结果表明在氧气氛下, 生长的薄膜为锐钛矿结构, 其结晶性随着基片温度的升高而增强, 在750℃、5Pa氧压的情况下为完全c轴取向的锐钛矿相TiO2薄膜, 在750℃、5Pa氩气氛下则为(110)取向的金红石相薄膜. 场发射扫描电子显微镜结果表明薄膜表面致密, 呈纳米晶结构, 其晶粒尺寸在35nm左右.用傅立叶红外光谱和拉曼光谱对不同条件下制备的TiO2薄膜进行了表征.紫外-可见透射光谱的测试结果表明, 薄膜在可见光区具有良好的透过率, 计算得到制备的锐钛矿和金红石相TiO2薄膜在550nm处的折射率分别为2.3和2.5, 其光学带隙分别为3.2和3.0eV.因此通过沉积条件的改变可得到结晶性能和光学性能都不同的TiO2薄膜. 相似文献
10.
采用溶胶-凝胶法制备了1mol%、3mol%、5mol%、8mol% Ho3+掺杂的Ba0.65Sr0.35 TiO3薄膜, 研究了薄膜的表面AFM、XRD谱、光学透射谱和光致发光谱. 结果表明: Ho3+浓度从1mol%增加到8mol%时, BST薄膜的晶格常数先增大后减小; 位于615、650和750nm处的发光, 分别对应5F3→5F7、5F5→5F8和5S2、5F4→5F 的跃迁, 发光谱和5S2, 5F4的寿命谱分析表明, 在Ho3+浓度为3mol%时三个发光带强度均最大. 并分析了Ho3+与Ba2+/Sr2+/Ti4+的离子位置替代机制及交叉弛豫机制. 相似文献
11.
采用sol-gel工艺制备了Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结. 研究了退火温度对异质结微观结构与生长行为、漏电流密度和C-V特性等的影响. 研究表明: 成膜温度较低时,SrBi2Ta2O9、Bi4Ti3O12均为多晶薄膜, 但随退火温度升高, Bi4Ti3O12薄膜沿c轴择优生长的趋势增强; 经不同退火温度处理的Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/p-Si异质结的C-V曲线均呈现顺时针非对称回滞特性, 且回滞窗口随退火温度升高而增大, 经700℃退火处理后异质结的最大回滞窗口达0.78V; 在550~700℃范围内, Pt/SrBi2Ta2O9/Bi4Ti3O12/\\p-Si异质结的漏电流密度先是随退火温度升高缓慢下降, 当退火温度超过650℃后漏电流密度明显增大, 经650℃退火处理的异质结的漏电流密度可达2.54×10-7A/cm2的最低值. 相似文献
12.
采用传统陶瓷制备工艺, 制备了掺杂Na2O-CaO-B2O3(NCB)氧化物的Ca0.3(Li1/2Sm1/2)0.7TiO3(CLST)陶瓷, 研究了NCB掺杂量与晶相组成、显微结构、烧结性能及微波介电性能的关系. 研究结果表明: 复合氧化物NCB掺杂量在1wt%~15wt%范围内没有杂相生成, 晶相仍呈斜方钙钛矿结构. 随着NCB添加量的增加, 陶瓷致密化温度和饱和体积密度降低, 介电常数εr、无载品质因数与谐振频率乘积Qf值也呈下降趋势, 频率温度系数τf向正方向增大. NCB氧化物掺杂能有效地将CLST陶瓷的烧结温度由1300℃降低至900℃. 添加12.5wt% NCB的CLST陶瓷在低温900℃烧结5h仍具有良好的微波介电性能: εr=73.7, Qf=1583GHz, τf=140.1×10-6/℃, 满足高介多层微波器件的设计要求. 相似文献
13.
Ti/SnO2+Sb2O3+MnO2/PbO2阳极的性能研究 总被引:10,自引:0,他引:10
制备了一种非贵金属阳极-Ti/SnO2 Sb2O3 MnO2/PbO2,并用XRD、SEM进行了表征,计算出了电极的分形维数,测定了该电极在硫酸中的使用寿命和动力学参数,把该电极用于处理含酚废水和Pb电极进行对,结果表明,节电33%,转化率达95%,是一种优良的电化学催化剂。 相似文献
14.
尖晶石型Ni0.8Zn0.2Fe2O4纳米晶体的?制备及电磁性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
以金属离子的柠檬酸盐为前驱体,通过sol-gel自燃烧的合成方法制备了镍锌铁氧体(Nio.8Zno.2Fe2O4)纳米晶体.采用FT-IR、DSC-TG、XRD、TEM波导等方法对产物以及产物的电磁性能进行了表征.结果表明,在前驱体中,金属离子与柠檬酸以络合物的形式存在.凝胶在220℃完成自燃烧反应.随着热处理温度的升高,粉体的粒径逐渐增大.纳米晶体在8~12GHz的测试条件下具有介电损耗与磁损耗.随着涂层厚度的增加,混合媒质的微波反射率逐渐增加,反射率吸收峰随着厚度的增加向低频移动. 相似文献
15.
以Mn3O4为前驱体的LiMn2O4及其电化学性能 总被引:11,自引:0,他引:11
对传统的固相反应进行了改进,以控制结晶法合成出来的Mn3O4为前驱体,和LiOH混合煅烧,制备出锂离子电池正极活性材料尖晶石LiMn2O4。对由此方法得到的尖晶石LiMn2O4的结构和电化学性能进行了研究。通过X线光衍射和扫描电镜分析表明,该材料为纯相尖晶石LiMn2O4,不含其它杂质相,而且晶粒大小比较均匀;通过电化学性能测试表明,该尖晶石LiMn2O4具有良好的电化学性能:其首次放电比容量为128mAh/g,经过10次充放电循环后,其放电比容量仍有124mAh/g。 相似文献
16.
锂铝硅微晶玻璃结构与性能热稳定性研究 总被引:3,自引:0,他引:3
以TiO2、ZrO2为形核剂制备了透明低膨胀锂铝硅系微晶玻璃, 通过测定其等温转变动力学曲线,讨论锂铝硅玻璃析晶及相变与热处理温度和时间的关系, 并采用DTA、XRD和SEM等方法研究锂铝硅微晶玻璃结构和性能的热稳定性. 结果表明, 以β-石英固溶体为主晶相的透明微晶玻璃能在750~900℃较宽的温度范围和较长的时间内保持主晶相和结构的稳定, 850℃保温5h仍具有较高的透光率和极低的热膨胀系数, 性能具有很好的高温稳定性. 材料结构和性能的稳定性均源自钛锆复合形核剂较高的形核效率. 相似文献
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本文介绍了Bi2O3-SiO2系统的研究进展。首先对该系统的稳定相平衡和亚稳定相平衡进行了综述,然后讨论了该系统中化合物Bi12SiO20、Bi4Si3O12和Bi2SiO5的结构、性能、生长、应用等方面的情况,预计Bi2SiO5将成为一种有前途的新功能晶体。 相似文献
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采用简单的涂抹方法, 在衬底上制备了CaBi4Ti4O15涂层; 经不同温度退火和120℃放置处理, 得到了浸润性从超疏水到亲水, 其表面接触角从152.5°到43.6°变化的CaBi4Ti4O15涂层表面; 通过扫描电镜分析,研究了不同退火温度下涂层表面微观结构变化对表面 浸润性的影响. 结果表明: CaBi4Ti4O15涂层表面晶粒和孔洞尺寸变化是导致其表面浸润性从超疏水到亲水变化的主要原因, 而包含纳米颗粒的阶层结构导致亲水CaBi4Ti4O15涂层表面呈现出超疏水性. 相似文献