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论述了大规模 /超大规模集成电路可靠性技术的应用与发展 ,重点强调在大规模 /超大规模集成电路中可靠性技术的地位和作用 ,对“十五”超大规模集成电路可靠性的发展提出了思路 相似文献
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本文概述了集成电路可靠性的发展情况,着重对大规模集成电路的栅氧化层击穿、热电子效应、电迁移等失效机理进行了分析,并介绍了几种有关集成电路的可靠性试验和筛选方法。 相似文献
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《电子工业专用设备》1977,(3)
用光制作集成电路图形,也就是光刻,从光的性质来看,可以说存在着本质上的极限。目前光刻作为可靠性最高的技术应用在大规模集成电路的研制中,并将得到进一步地发展。现在批量生产的全属氧化物大规模集成电路(MOS LSI)光刻工艺为6微米,但以4—5微米为标准的大规模集成电路的生产也进入了成批生产阶段,以2—3微米为目标的大规模集成电路的批量生产也将为期不远。 相似文献
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蔡少英 《电子产品可靠性与环境试验》2005,23(Z1):189-192
跟踪研究了近年来国外在电子元器件可靠性试验方面的发展现状与趋势,主要包括集成电路新的试验方法;大规模集成电路测试方面存在的问题和未来的发展方向;裸芯片可靠性试验技术的发展;MEMS新技术的可靠性发展现状等. 相似文献
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在日本,大规模集成电路光刻掩模的缺陷自动检查,现已成为不可缺少的事了。掩模缺陷自动检查设备是四前年投入实际使用的,它的迅速普及已使人们能用到优质的光刻掩模。进而,这又大大提高了大规模集成电路的性能,可靠性和生产成品率。近来,用常规光刻掩模制造高集成度集成电路——超大规模集成电路的可能性也终于得到证实。 相似文献
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随着大规模集成电路的高集成化及加工条宽的微细化,出现了各种用自对准技术实现布线接触。这种方法仅用一块掩模就可自动形成扩散区和布线间的接触,而且还可形成层间隔离。它可排除予料的掩模套准偏移的余度部分(即多余部分的面积)。这一技术已经应用于批量生产的高速双极大规模集成电路中,而在MOS大规模集成电路中能否应用的问题尚处在研究阶段,这是由于目前还未发现它能克服可靠性等不良因素等优点。 相似文献
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影响磁控溅射膜质量的工艺因素 总被引:8,自引:0,他引:8
用磁控溅射新工艺取代传统的蒸发工艺,制造多种金属膜,用于大规模集成电路生产,改善了器件的性能,提高了成品率和可靠性。对多种金属膜作了简要结构性能分析,提出了其注意事项。 相似文献
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相控阵雷达分布式波控系统设计 总被引:9,自引:2,他引:9
讨论了相控阵雷达波控系统的设计方法及相关问题 ,针对波控的特点研制了专用大规模波控集成电路 ,实现了大型相控阵雷达体积小、控制灵活、可靠性高的高速分布式波控系统 相似文献
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一年一度的报导最先进大规模集成电路的国际固体电路会议今年(ISSC′85),业已闭幕。1兆位动态随机存贮器、256k位静态随机存贮器,二万门级的CMOS门阵等高集成度的大规模集成电路的研制报告引人注目。面向各种信号处理大规模集成电路,通信用大规模成电路,图象存贮等用途的大规模集成电路发展动向,也引起了人们的注意。在模拟-数字并兼容大大规模集成电路及固体摄象元件,工业及民用模拟集成电路方面,取得了卓有成效的成果。 相似文献
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随着集成电路的功能以及各种参数的大量增加,要想保证电路的可靠性,就必须重视集成电路的测试功能,在传统的测试过程中,对集成电路的测试是依靠有经验的测试人员使用信号发生器、万用表和示波器等仪器来进行测试的.这种测试方法测试效率低,无法实现大规模大批量的测试.为此,本文分析了基于FPGA集成电路测试系统的优越性,并选取某集成电路的老化测试系统设计为例进行重点探讨. 相似文献
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频率合成器是通信、雷达、测量设备的一种基本部件。目前,已将锁相技术、娄字分频技术、超大规模集成电路技术结合起来,研制并生产了一系列大规模集成电路锁相环频率合成器(LSI PLL Frequencysynthesizer),集成电路芯片MC145156就是其中之一。单片微机与大规模集成电路锁相环频率合成器结合所组成的系统,具有频率稳定度高、频谱纯、频率变化范围宽、可选信道数目多、系统调试方便、可靠性高、成本低、体积小等特点。下面我们介绍MCS-51单片机与MC145156锁相环频率合成器所组成的系统,重点介绍MCS-51单片微机对MC145156的控制。 相似文献
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随着大规模集成电路(LSI)和封装技术的发展,电路元器件高度集中,元器件的散热成为一个突出的问题,直接影响到所使用的各种高精尖设备的寿命和可靠性。 相似文献
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1959年,Robert Noyce与Jack Kflby共同发明了集成电路,在电子行业内掀起了一场革命。从那之后,集成电路的发展极为迅猛,从SSI(小规模集成电路)起步,经过MSI(中规模集成电路),发展到LSI(大规模集成电路),然后发展到现在的VLSI(超大规模集成电路)及最近的ULSI(特大规模集成电路),甚至发展到将来的GSI(甚大规模集成电路),届时单片集成电路集成的晶体管将超过10亿个。 相似文献
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一、前言 随着半导体工业的迅速发展,特别是大规模集成电路在较短的时间内获得飞速发展,对整个电子工业起着推动作用。为了展望大规模集成电路的发展前景,可以认为二十世纪七十年代是大规模集成电路的全盛时代。但大规模集成电路之所以能如此发展,是与集成电路所用的材料发展联系在一起的,尤其是基础材料更是大规模集成电路的基础。由于大规模集成电路功能复杂,对基础材料的要求就更高。倘若在电路生产过程中混入不应有的杂质,就会直接影响到集成电路的性能和成品率。因而近年来,随着器件 相似文献
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成品率是衡量一种产品的生产水平和工艺技术水平的最重要标志,也是产品质量、稳定性及可靠性的重要标志,更是决定大规模集成电路试制和生产成败的关键,必须认真探讨。根据我们的实践经验,要提高双极大规模集成电路的成品率,必须有正确无误的设计、先进而完善的工艺、切实可行的实施手段、训练有素的职工队伍及科学有效的管理方法。现仅从工艺技术方面作粗浅探讨。 相似文献