清洁及单层吸附的Mo(001)表面声子色散研究

用最近邻及次邻中心相互作用势讨论了清洁的Mo(001)表面声子。作为初步近似,用质量亏损模型讨论了不同吸附原子质量对表面声子的影响。     

声子之间相互作用对磁场中表面极化子性质的影响

研究了在稳定磁场作用下极性晶体中表面电子与表面光学声子耦合弱的表面极化子性质，采用微扰法和线性组合算符法导出表面磁极化子的基态能量，讨论了反冲效应中不同波矢声子间相互作用对表面磁极化子基态能量的影响     

声子之间相互作用对表面磁极化子有效质量的影响

本文研究极性晶体中电子与表面光学（ＳＯ）声子耦合器，与体纵光学（ＬＯ）声子耦合弱的表面磁极化子的性质，采用线性组合算符和微扰法导出了极性晶体中表面磁极化子的有效哈密顿量。讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对表面磁极化子有效质量的影响。     

极性晶体中表面极化子有效质量的磁场和温度依赖性

采用改进的线性组合算法讨论电子和体纵光学声子弱耦合、与表面声子耦合强时表面极化子有效质量的磁场和温度效应，对ＡｇＣｌ晶体进行了数值计算结果表明，极化子有效质量随温度的升高而减小，随磁场的增大而增大．     

极性半导体中经由形变势的表面磁极化子的性质

采用改进了的线性组合算符和微扰法,研究极性半导体中电子与表面光学声子耦合强,与表面声学声子耦合弱的表面磁极化子的性质。讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用对极性半导体中经由表变势的表面磁极化子的有效哈密顿量,频率,诱生势和有效质量的影响。     

GaSb半导体表面极化子基态能量的研究

采用Ｌ．Ｌ．Ｐ方法导出表面极化子的基态能量,声子平均数,讨论了电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢声子之间相互作用对ＧａＳｂ半导体表面中表面极化子基态能量的影响。数值计算结果表明：当动量趋于零时,声子之间的相互作用对极化子性质无影响;当动量达到某一值时,声子之间相互作用的能量占极化子总能量中非常显著的部分;随着动量（平方）的增加,声子平均数近似线性地增加。     

三元混晶膜的表面声子极化激元

采用改进的无规元素孤立位移模型和波恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究极性三元混晶膜中的表面声子极化激元,以AlxGa1-xAs,ZnxCd1-xS和GaxIn1-xN膜为例,获得了其中表面声子极化激元的频率作为波矢和膜厚之函数的数值结果并进行了讨论。结果表明：在三元混晶膜中有四支表面声子极化激元,不同材料的色散曲线分别显示了混晶电磁声子模的“双模”和“单模”特征。     

三元混晶膜的表面声子极化激元

采用改进的无规元素孤立位移模型和波恩-黄近似,运用电磁场的麦克斯韦方程和边界条件,研究极性三元混晶膜中的表面声子极化激元.以AlxGa1-xAs,ZnxCd1-xS 和GaxIn1-xN 膜为例,获得了其中表面声子极化激元的频率作为波矢和膜厚之函数的数值结果并进行了讨论.结果表明:在三元混晶膜中有四支表面声子极化激元,不同材料的色散曲线分别显示了混晶电磁声子模的"双模"和"单模"特征.     

考虑电子与表面光学声子相互作用的极性晶体膜量子比特

基于线性组合算符法和变分法,讨论了极性晶体膜中电子与表面光学声子(SO)耦合强、与体纵光学声子(LO)耦合弱的电子-声子相互作用系统的量子比特及其声子效应.当膜中电子处于基态和第一激发态的叠加态,电子的概率密度在空间做周期性振荡.结果表明振荡周期随耦合强度的增加而减小,随极化子振动频率的增加而增大.考虑电子与SO声子的相互作用,极化子振动频率发生变化,引起电子概率密度发生改变.     

CdF_2半导体中表面磁极化子的性质

本文讨论电子和表面光学声子耦合强、与体纵光学声子耦合弱时对ＣｄＦ２半导体表面磁极化子性质的影响．采用线性组合算符法和微扰法导出了ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量．在计及电子在反冲效应中发射和吸收不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论了对ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子性质的的影响．对ＣｄＦ２半导体进行数值计算,结果表明,ＣｄＦ２半导体中表面磁极化子的振动频率λ和诱生势Ｖｉｓ随坐标ｚ的增加而减小,随磁场Ｂ的增加而增加;诱生势Ｖｉｂ随坐标ｚ的增加而增加,但与外磁场Ｂ无关;有效势Ｖｅｆ随坐标ｚ和磁场Ｂ的增加     

一维4H-碳化硅光栅红外光学特性及红外尺应用

从理论和实验上对极化材料4H-SiC一维光栅的光学特性进行了研究。发现该结构中存在四种光学模式:传播表面声子极化激元、偶极子天线、局域表面声子极化激元和准静态表面声子极化激元。进一步利用传播表面声子极化激元对于光栅结构参数的敏感性和原子层沉积技术生长介质材料,观察到了沉积材料厚度变化和传播表面声子极化激元的峰位偏移量呈现线性关系。该研究有助于新型微纳器件如纳米尺、传感器等的开发。     

形状对超细微粒表面声子吸收的影响

通过对α-Fe_2O_3球状和园柱状超细微粒的红外透射光谱测量,发现形状不同导致表面声子吸收的明显差异,并对实验结果进行了讨论和分析。     

极性半导体中表面激子的性质

本文研究极性半导体中表面激子的性质,采用微扰法导出表面激子的有效哈密顿量。在计及反冲效应中不同波矢的声子之间的相互作用时,讨论对电子、空穴间的相互作用的有效势、表面激子的自陷能和自陷条件的影响。     

声学形变势表面极化子中的平均声子数

利用线性组合算符方法，计算了声学形变势表面极化子中的平均声子数，结果表明，光学声子平均数（Na）和声学声子平均数（Nb）均是电子运动速度和电子距离晶体表面的深度的函数。对AgCl晶体进行数值计算，结果表明：Na和Nb均随深度Z的增加而减少；Na随振动频率λ的增加而选减后增；Nb随η的增加而减少；并且，对慢速运动的电子，电子运动速度对Na、Nb的影响可以忽略。     

晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内表面磁极化子自陷能的影响

采用Huybrechts的线性组合算符法和变分法 ,研究了晶格热振动对磁场中半无限极性晶体内电子与表面光学 (SO)声子强耦合、与体纵光学 (LO)声子弱耦合体系的影响 ,得到了作为距离晶体表面的深度、磁场和温度函数的表面磁极化子的自陷能 .对AgCl晶体进行了数值计算 ,结果表明 ,不同支声子与电子相互作用对表面磁极化子自陷能的贡献以及它们随距离晶体表面的深度、磁场和温度变化的情况大不相同 .     

浅谈邻频调制器的K系数指标及改善方法

为了使调制器能够邻频传输须用声表面残留边带滤波器,那么现在的邻频调制器都采用国产声表面滤波器,目前市面上的邻频调制器K系数指标一般是刚好达到国标,有的还达不到国标要求。若采用多个声表面滤波器,则K系数的指标更差,在图像上表现为物体的轮廓有一定的嵌边。 一般K系数的测量是指K_(脉冲/条)、K_(2T)、K_(条),总的K系数评价值是所有这些测量值中的最大值,是     

强耦合多原子极性晶体中表面磁极化子的性质

本文研究磁场中强耦合多原子极性晶体中表面电子和表面光学声子的相互作用。采用线性组合算符和简单的么正变换,分别导出强、弱耦合情形下表面磁极化子的基态能量。对于弱耦合得到基态能量是不同支声子能量的通常结果,对于强耦合存在一个由于不同支声子之间的交叉项贡献的附加能量。     

表面处理对CdTe Raman散射谱的影响

利用傅利叶变换喇曼散射技术研究了CdTe表面的Raman散射谱，观察到了CdTe表面光学声子（TO、LO）的一级、二级斯托克斯、反斯托克斯Raman散射峰。实验同时还研究了经过机械抛光、化学机械抛光、化学腐蚀等不同表面处理后的CdTeRaman散射谱。实验表明Raman散射方法除可以用来表征晶体表面的完整性外，还能有效地探测样品的表面沾污情况。总的来说Raman散射技术有希望成为器件工艺过程中的一种表面无损检测手段。     

声学形变势表现极化子的温度效应

采用线性组合算符方法,研究与表面光学声子耦合强、与表面声学声子耦合弱的声学形变势表面极化子的温度效应,对KI晶体的数值计算结果表明：振动频率、有效质量随温度的升高而减少,而诱生势随温度的升高而增大。     

CdTe半导体中弱耦合表面磁极化子的有效质量

本文研究了ＣｄＴｅ半导体中电子与我学（ＳＯ）声子及体纵光学（ＬＯ）声子一经耦合的表面磁极化子的性质。采用改进的线性组合逄符和微扰法计算了半导体中表面磁极化子的有效哈密顿量;当计及电子在反剖效应中,发射和吸收不同波矢的声子之间相互作用时,讨论其对ＣｄＴｅ半导体中弱耦合表面磁极化子有效质量的影响。