风云一号气象卫星用三元线列硅探测器

根据对器件响应率光谱分布、暗电流、结电容的要求,确定了硅材料参数和有关工艺参数。讨论了为提高器件可靠性及防止光串音,在器件结构设计上采用的光敏元圆角化、加保护铝环和铝屏蔽、浓磷扩散等措施。研制的器件响应率在632.8nm时为0.3A/W,在-10V,25℃时暗电流为5×10~(-11)A,结电容为29pF。器件通过了严格的老化筛选和各种环模试验,因而能适应于空间环境的使用要求。     

硅16元线列探测器

本文介绍了一种硅 pin 线列光电探测器的设计、制造及其特性。     

新构思硅红外探测器

在Ｓｉ衬底上用ＭＢＥ方法进行ｎ型与ｐ型δ掺杂，将Ｓｉ的能带调制成锯齿型结构，产生Ｓｉ的带间跃迁．控制掺杂浓度与周期，来控制电子（空穴）跃迁的有效能隙，可望制成８－１２μｍ波长的Ｓｉ超晶格带间跃迁型红外探测器．     

X射线光谱仪用的硅漂移探测器

硅漂移探测器(SDD)是一个利用高电阻硅作为基片制作的半导体器件,通过在半导体晶片两面注入许多结面使高电阻硅半导体呈耗尽型半导体。电离辐射产生的电子在适     

硅光探测器紫外响应的改善

利用透过二氧化硅层进行杂质扩散的方法，获得低表面浓度浅结深并具有漂移自建场的掺杂层，制作最佳厚度的光透射膜，使硅光敏二极管的紫外响应获得改善，得到在254nm波长下响应度达0．18A／W的结果．     

多孔硅基发光二极管和光探测器

本文评述了最新制备出的几种多孔硅基发光二极管和高灵敏度光探测器的制备，结构和性能，分析了在这些器件制备中所存在的一些问题，讨论了解决这些问题的可能途径。     

线列探测器的冷屏设计

本文报告冷却的屏蔽罩遮光效应的计算结果,给出了在有矩形冷却小孔的线列探测器中,在不同的视场角下,遮光效应与小孔长/宽比的函数关系。     

超快硅基光电探测器

于利希研究中心的科学家们研制了一种硅探测器。它能把经光缆传输的闪光快速地转化为电信号 ,速度要比现有的硅探测器快。目前光纤技术只用于远距离通信 ,未来也可用于局域范围。对于局域网的数据传输 ,比如在一幢建筑物内 ,采用红外光纤技术费用太大。但对于 85 0 nm波长范围却有价格便宜的激光。据该中心的 Buchal教授说 ,可见光波长约在 76 0 nm以下 ,具有额外的优点 ,特别是对于眼睛的安全 ,因为它是直接的 ,不用任何仪器 ,所以是有利的。聚合物光纤技术在红外或近红外区域特别好。这类光传感器有利于填补硅占优势的微电子学和光电子学…     

新型硅微条等探测器的发展及应用

最近几年，新型半导体探测器如硅微条，pixel，CCD，硅漂移室等的发展很快，在高能物理和天体物理实验中广泛应用，作为顶点及径迹探测器，它们的位置分辨率非常高，硅微条探测器的位置分辨能力目前可达到好于1．4μm，这是任何气体探测器和闪烁探测器很难达到的。主要介绍这些新型半导体探测器的结构、原理及其在高能物理、天体物理、核医学等领域的应用。     

硅基近红外探测器研究进展

介绍了近年来在硅基近红外探测器方面所取得的最新进展,分析并讨论了各种吸收区材料以及器件结构,并对其发展与应用进行了展望.     

硅双极型高速工艺和与其相容的硅PIN探测器

文章描述硅双极高速工艺，和一种能与双极工艺相容的硅ＰＩＮ探测器的结构及设计，从而提出一套易于实现两者集成的相容工艺。研制的单片集成光接收机，其中硅ＰＩＮ探测器的光电响应为０．４３Ａ／Ｗ，整机的响应度为４．４×１０３Ｖ／Ｗ，工作频率２５０ＭＨｚ。