FBP平面凸点式封装

随着IC设计的发展趋势,封装体日益向小体积、高性能化方向发展。江苏长电科技研发出的新型封装形式——FBP平面凸点式封装正是顺应了这一发展趋势的要求。文章主要介绍了FBP封装的结构以及突出的性能优势。     

FBP平面凸点式封装

1、产品及其简介平面凸点式封装(FBP)体积小,功能优,目前最小的封装尺寸已可以做到0.8mm*0.6mm*0.4mm,独特的凸点镀金式引脚使表面安装技术(SMT)焊接更为方便可靠。FBP封装可以适应共晶、导电胶、软焊料等不     

适用于IC封装的表面涂覆层——化学镀镍、钯、金的未来

概述了化学镀镍/化学镀钯/浸金涂（镀）覆层的优点,它比起化学镀镍/浸金,不仅更适用于IC封装,而且提高了可靠性,降低了成本。     

超薄叠层芯片尺寸封装(UT-SCSP)

本文介绍了最新的超薄叠层芯片尺寸封装(UT-SCSP),它是CSP封装与叠层封装相结合的产物。 它特别适用于高密度内存产品。     

层压封装平面LED光源的耐候实验

研究了层压封装的平面LED光源在高温高湿与水下环境的可靠性。平面LED光源采用标准层压工艺封装,对封装后的LED模组进行高温高湿耐候试验与水下环境试验,并与未封装的LED模组进行对比实验。实验结果表明,在环境温度为80℃、相对湿度为80%,模组工作电流为300 mA,连续33天高温高湿条件下,层压封装的平面LED模组的照度变化和温度均高于未封装的LED模组。在40℃水下环境下连续工作400 h,层压封装的平面LED模组的照度略有变化,且光衰小于1%。因此,层压封装能有效阻断外界高温高湿环境对LED模组可靠性的影响,更适合在常温水下照明应用。     

12~(th)电子封装技术和高密度封装国际会议

<正>第12届电子封装技术和高密度封装国际会议(ICEPT-HDP2011)将于2011年8月8日～11日在中国上海举行。会议由中国电子学会电子制造与封装技术分会(EMPT)主办,由上海大学承办。     

倒装芯片化学镀镍/金凸点技术

本文对倒装芯片化学镀镍/金凸点技术进行了阐述。文中主要讨论了化学镀镍/金凸点的表面形貌、均匀性及其在铝电极上的附着性能等问题。     

芯片尺寸封装(CSP)简介

<正>芯片尺寸封装(CSP)和BGA是同一时代的产物,是整机小型化、便携化的结果。美国JEDEC给CSP的定义是:LSI芯片封装面积小于或等于LSI芯片面积120%的封装称为CSP。由于许多CSP采用BGA的形式,     

文献与摘要(120)

三维半导体封装的优势与挑战Benefits and Challenges of 3D Semiconductor Packaging三维封装是为不扩大尺寸而增加IC功能,而把多个芯片封装于同一块载板上。     

电子封装技术和高密度封装联合国际会议(ICEPT-HDP2009)

<正>在过去十多年间.由中国电子学会生产技术学分会(CEPS)主办的电子封装技术(ICEPT)和上海大学主办的高密度封装(HDP)两个国际会议     

QFN用环保塑封料研究

环氧塑封料是微电子工业和技术发展的基础材料,作为IC产品后道封装的三大主材料之一,随着IC封装技术的发展,对其特性的要求也越来越严格。IC产品未来发展趋势倾向于小体积高性能化的方向,QFN即为顺应此发展趋势所开发出来的封装形式。针对此封装形式长兴电子材料(昆山)有限公司开发出EK5600GH环保塑封料产品,此产品具有低吸湿率、低收缩率、高流动性及高可靠性的特点,可以满足QFN封装要求。同时还分别介绍了QFN用环保塑封料的测试数据、可靠性测试结果和客户端可靠性评估结果。     

QFN器件焊接缺陷分析与工艺优化

QFN器件具有良好的电气性能,但器件回流焊接过程中极易产生底部热沉焊盘焊接空洞、器件引脚间锡珠、桥连等缺陷,当一个印制板焊接多个QFN器件时,缺陷发生率颇高。在高可靠性要求的航天产品焊接过程中,器件返修次数有限制,且返修会造成器件性能下降、组件可靠性降低等问题,因此亟需对QFN器件一次装配良率和焊接效果进行提升优化。为此,从原理上分析QFN器件热沉焊盘焊接空洞、器件引脚间锡珠缺陷产生机理,并从产品焊盘工艺性设计、钢网模板设计、焊接温度曲线设计等方面开展分析与优化。优化后,QFN器件一次装配良率提高,没有产生锡珠、虚焊等缺陷。     

制作圆片级封装凸焊点的垂直喷镀机研制

介绍了为满足微电子新颖封装——圆片级封装(WLP)在硅圆片上制作凸焊点的需要,根据有限元分析模拟优化,设计研制了FEP-1垂直喷镀机。该机可用于φ100-φ150mm(φ4-φ6英寸)圆片上电镀Au、PbSn、In等凸焊点。在150mm液晶显示驱动电路硅圆片上,用该电镀机电镀制作出了合格的高度为17μm、间距为20μm的金凸点。     

自主知识产权产品LIP封装

为解决QFN成本较高的问题和进一步提高产品可靠性,华天科技突破了传统思想的束缚,在产品结构的设计上进行了创新。引脚在封装本体内式封装(LIP:Lead In Package)是一种新型的封装形式,它是针对目前QFN(Quad Flat No-lead)在封装高成本问题而重新选择的设计方案。     

等离子超长高精细线条制作工艺研究

影响等离子超长高精细线条制作的因素有很多,牵涉到所有工序,互相交错,关系复杂,需要一个系统的工艺过程来研究该问题。文中总结了等离子超长高精细线条制作的工艺流程,以及各工序制造过程中影响超长精细线条制作与普通线路制作区别的关键控制点。在此基础上,研究明确了主要制程各个加工步骤关键控制点的解决方案,同时给出了这些关键控制点的工艺参数、设备装置、药水调整等的技术细节。     

多目标优化方法在叠层QFN封装结构优化中的应用

文章采用响应曲面法试验设计与有限元仿真相结合的方法对叠层QFN封装器件在热循环条件下进行仿真分析,通过优化结构参数来降低叠层QFN封装在热循环条件下的Von Mises应力和封装翘曲。使用多目标优化设计方法中的统一目标法来综合考虑Von Mises应力和封装翘曲。应用遗传算法对评价函数在约束条件下进行搜索最优解,得出叠层QFN封装结构优化的方案,以提高封装的可靠性。     

QFN封装分层失效与湿-热仿真分析

采用湿度敏感度评价试验及湿-热仿真方法,分析了温湿度对于QFN封装分层失效的影响.通过C-SAM和SEM等观察发现,QFN存在多种分层形式,分层大多发生在封装内部材料的界面上,包括封装塑封材料和芯片之间的界面、塑封材料和框架之间的界面等.此外,在封装断面研磨的SEM图像上发现芯片粘结剂内部有空洞出现.利用有限元数值模拟的方法,对QFN封装的内部湿气扩散、回流过程中的热应力分布等进行了模拟,分析QFN分层失效的形成原因.结果表明,由于塑封器件材料、芯片、框架间CTE失配,器件在高温状态湿气扩散形成高气压条件下易产生分层.最后提出了改善QFN分层失效的措施.     

微波QFN芯片的SMT技术研究

QFN封装的微波芯片采用一种较新的封装形式,这种封装体积很小,特别适合高密度印刷电路板组装.着重介绍微波QFN芯片的表面组装技术,从QFN的封装形式、PCB的焊盘设计、组装工艺、QFN焊点检测及QFN器件的返修等方面加以详细论述,并对针QFN芯片总结出一套完整的组装技术.     

多层陶瓷外壳电镀层起泡的成因和解决措施探讨

本文对多层陶瓷外壳电镀层起泡的成因进行了探讨和分析。在实际工作的基础上,提出了解决起泡应采取的措施。