SEMITOP替代分立功率器件的最佳选择

1引言 赛米控公司的SEMITOP将多个芯片，例如IGBT，二极管，输入整流桥等集成在一个单个的模块中。高集成度封装减少了器件数量和分立功率器件方案所需的巨大空间，同时还保证了良好的连结性以及可靠性。由于SEMITOP所使用的先进的处理材料，例如DBC陶瓷衬底和内部的硅胶覆盖物，使得对于外部温度改变和机械应力有较强免疫力和品质保证。     

SEMITOP替代分立功率器件的良好选择

1引言 SEMITOP家族包含有SEMITOP 1,SEMITOP 2,SEMITOP3和最新的SEMITOP4。每类产品均有2个耐压等级：600V和1200V,使用的是NPT或Trench IGBT芯片。新推出的SEMITOP 4驱动电机时功率可达22kW,将最新的IGBT芯片封装在一个紧凑的包装里。它是目前的SEMITOP1、2、3模块的延续产品。     

SEMITOP——替代分立功率器件的最佳选择

赛米控公司的SEMITOP将多个芯片,例如IGBT、二极管、输入整流桥等集成在一个单个的模块中。高集成度封装减少了器件数量和分立功率器件方案所需的巨大空间,同时还保证了良好的连结性以及可靠性。由于SEMITOP所使用的先进的处理材料,     

SEMITOP——替代分立功率器件的最佳选择

主要从可靠性，寿命以及价格等方面对分立功率器件和当前功率模块SEMITOP做个比较。     

SEMITOP~——替代分立功率器件的最佳选择

赛米控公司的SEMITOP将多个芯片,例如IGBT、二极管、输入整流桥等集成在一个单个的模块中。高集成度封装减少了器件数量和分立功率器件方案所需的巨大空间,同时还保证了良好的连结性以及可靠性。由于SEMITOP所使用的先进的处理材料,     

可替代分立功率器件的SEMITOP(R)

赛米控公司的SEMITOP是将多个功率芯片(如IGBT、二极管、输入整流桥等)集成在一起的单个功率模块.该模块的高集成度封装减少了器件数量和分立功率器件方案所需的巨大空间,同时也保证了良好的连结性及可靠性.由于SEMITOP使用的是先进的处理材料(例如DBC陶瓷衬底和内部的硅胶覆盖物),故其对于外部温度的改变和机械应力有较强的免疫力和品质保证.图1所示是SEMITOP的外形封装图.     

SEMiX^IM-IGBT模块开发的新平台

本文详细阐述了SEMIX^IM-IGBT模块的应用及其特性，并分析了其工作原理。     

节能化：功率器件的永恒主题

针对各类设备的小型化、低功耗化、高效化和高速化的要求,人们加紧了相应的功率器件的研制开发。另外,功率器件的基本构造正在从双极型MOS型过渡,作为MOS器件的功率MOSFET、IGBT(Insulated Gage Bipolar Transistor)和IPD(Intelligent Power Device智能型功率器件)都在努力扩大自己的应用领域。 目前,随着人们环保意识的增强,市场对节能型电气设备的需求量逐渐上升,空调、冰箱等家用电器大量采用变频技术便是一个很好的例证,而作     

赛米控2006年度技术研讨会与您共同深度关注IGBT

7月27日，世界功率模块市场的领导者一一赛米控公司在北京世纪金源大饭店成功举办了“赛米控2006年度技术研讨会”。此次研讨会由赛米控亚洲技术资格中心总监、大中华区技术总监Norbert Pluschke先生主讲，内容涉及到8个技术议题。会议的主题是“IGBT在焊机、感应加热及变频器中的应用”。     

高性能IGBT模块的设计考虑

本文对ＩＧＢＴ模块中功率芯片（ＩＧＢＴ和续流二极管）的优化设计进行了讨论。通过优化几个重要的工艺参数并改进器件的结构，ＩＧＢＴ不仅有足够的短路容量，而且正向压降与电流下降时间之间可实现最佳折衷。另外，续流二极管的反向恢复特性也有明显改善。通过采用衬底控制技术，ＩＧＢＴ模块的输出特性不受温度的影响，输出电流更稳，输出阻抗更高。本文详细介绍了整个设计考虑。     

用于可持续发展的电能变换器应用的功率器件

本文第一部分评论了当前最新的一些关键技术,涉及功率器件的进展和它们对功率变换应用的贡献,重点放在IGBT和智能功率模块技术上。后一部分讨论了功率模块发展的新领域,包括满足未来应用需要的SiC功率器件的前景。     

Intersil整合功率驱动芯片和MOSFET器件

Intersil公司最近将一种功率驱动芯片与两款MOSFET结合到同一封装设计 ,命名为 EnduraISL6571 Synchro FET,采用 QFN封装方式。该产品显著减少了面板空间 ,简化其设计结构 ,也降低了制造成本。该器件结合了补偿式 MOSFET驱动器、同步半桥转换器和肖特基二极管 ,采用小型热效能封装。其设计可将 DC/DC转换器的工作频率提升至 1 MHz/phase,从整体上减少印刷电路板的空间。ISL6571 CR采用 QFN封装 ,在 4,999～ 9,999数量范围的定购单价为 2美元。相关设计、评估板和电路设计也可提供。Intersil整合功率驱动芯片和MOSFET器件…     

泰科电子推出可替代RXEF器件的超小型POLYSWITCH RKEF器件

泰科电子日前宣布推出新系列PolySwitch^TM电路保护器。新的PolySwitch^TM RKEF电路保护器是针对广泛的各种通用电子产品而设计的——从工业控制器到电池组,在功能方面,它与泰科电子公司现有的RXEF过流保护器相当,但是外形尺寸小得多。     

IR为我们提供无所不在的功率器件

作为功率管理技术方面的领导厂商,国际整流器公司（IR）拥有广泛的产品线和众多的专利技术,公司的全球销售及集团市场执行副总裁Robert Grant先生近日来京向新闻界的朋友介绍了公司的市场战略。他颇为自豪地表示,IR能为汽车、消费电子、计算机/外设、工业、照明、电信和政府/宇航等行业提供关键功率技术,是唯一能为整个功率转换过程设计和制造解决方案的公司,产品包括功率 MOSFET、功率管理IC、IGBT、微电子继电器、输入整流器、肖特基二极管、超快速整流器等,涵盖了功率技术的各个方面。大量的研发投资为技术创新提供了充足动力,让产品工作效率更高、运行温度更低,并提高电力的使用效率。在成功推动功率管理行业发展的同时,为用户和股东创造价值和回报。     

基于IPM器件的电动车驱动系统

IPM器件是日本三菱公司生产的一种基于先进的IGBT技术的功率器件。本文简要介绍了IPM器件的组成、主要特性以及在电动车驱动系统中的应用。     

华虹NEC成为全球最大8英寸功率分立器件代工厂

上海华虹NEC电子有限公司（华虹NEC）以其特色工艺平台及其最新研发成果在ICCAD2011上令人瞩目。华虹NEC展出了嵌入式非挥发性存储器、模拟／电源管理芯片、射频和功率器件等特色工艺平台的最新技术成果和解决方案，吸引了众多业界专业人士前来咨询交流。