电视发射机金属陶瓷四极管碰极的修复

电视发射机金属陶瓷四极管碰极的修复张国清我单位一台ＧＳＺ－１型３００Ｗ电视差转机，刚开低压１～２分钟，未前级ＦＵ－２５２Ｆ槽路箱上的栅流表反打到头，用万用表测灯丝电压正常，测栅负压降到零。关机打开槽路箱，断开栅极接线，然后开机加热灯丝，高压开关应打在...     

用集中参数元件替代FU－101F管座帘栅片

用集中参数元件替代ＦＵ－１０１Ｆ管座帘栅片我台两部ＧＺ－１０－ｌ型１０ｋｗ中波广播发射机，１９７９年投入运行以来，一直利用原机ＦＵ－１０１Ｆ管座上的帘栅片和双面镀银陶瓷片所形成的分布参数与其它集中参数一道构成本机的中和线路。发射机在运行中出现帘栅极常...     

改电子管阻尼管为半导体阻尼管

改电子管阻尼管为半导体阻尼管朱家珩（廊坊中波发射台）我台６部Ｉｋｗ中波脉宽调制式发射机使用的阻尼管为ＦＵ－３３型电子管，其额定寿命＞３００小时。使用中一旦出现断灯丝情况，将会在调制级回路中产生高于主整电压几倍甚至十几倍的感应电压，极易造成击穿低通线圈...     

FU－13管的修复

ＦＵ－１３管的修复我台使用的２００ｋｗ中波广播发射机，其低三级，采用ＦＵ－１３管。在使用过程中曾数次出现ＦＵ－１３灯丝不亮，换下故障管经测量都未断丝，有的灯丝阻值仍然正常，有的测量时三用表指针摆动不稳，重新上机灯丝死活也不亮。下机经仔细检查发现有的管...     

分米波电视发射机故障检修一例

分米波电视发射机故障检修一例故障现象一台ＧＳＺ─１２２２频道３００Ｗ发射机末级管ＦＣ─７３５Ｆ栅阴碰极，腔体内高频吸收介质曾被部分电击烧焦，部分裂开多条细条纹。经打磨、切掉烧裂部分介质后开高压正常。换上新管后开机，阴流出现有规律的周期性升降现象，即当...     

GSZ－1型300W差转机故障一例

ＧＳＺ－１型３００Ｗ差转机故障一例我台使用的北京广播器材厂生产的ＧＳＩ－Ⅰ型３００Ｗ电视差转机，在运行中功率放大器ＦＣ一２５２Ｆ自然损坏，换新管后阴流为零，测灯丝电压６Ｖ正常，测板压稍有偏高（６８０Ｖ），查高压供电通路未发现异常，说明高压负载电路正常...     

GSUF—5kW发射机末级调整及典型故障处理

ＧＳＵＦ－５ｋＷ发射机末级调整及典型故障处理江正方（广东省江门市电视台）鞍广产ＧＳＵＦ发射机是单通道合放式发射机，末级放大器为ＡＢ类共栅电路，输出功率ｓｋｗ，功率增益为１６ｄＢ。此机在我台已使用近３年，现根据使用的一些情况和出现的问题简述几点体会。１...     

FU－832F在GZ－10－1型中波广播发射机的应用简介

ＦＵ－８３２Ｆ在ＧＺ－１０－１型中波广播发射机的应用简介曹生华，王成志（河北省广播电视厅７１７台）ＦＵ－８３２Ｆ陶瓷四极发射管，主要是为１０ｋｗ脉宽调制发射机而设计的，但同样适用于１０ｋｗ中波屏调发射机。如采用一只ＦＵ－８３２Ｆ代替两只ＦＵ－１０ｉＦ...     

FU－832F发射管的维护

ＦＵ－８３２Ｆ发射管的维护杨瑞田（锦州３１９转播台）目前，ＦＵ－８３２Ｆ发射管被广泛应用在中波１０ｋｗ发射机上，生产发射机的工厂采用ＦＵ－８３２Ｆ作单管功率放大。有些台站对原机实行改造时，也采用ＦＵ－８３２Ｆ取代并联工作的ＦＵ－１０１Ｆ做高频功率放大...     

第三代移动通信系统带来的挑战

ＩＭＦ－２０００是国际电联提出的一个全球覆盖的，具有高度智能和个人服务特色的移动通信网。它容纳了不同的系统和终端，具有世界统一的频率并提供比第二代系统更加先进的分组数据和多媒体业务，ＩＭＦ－２０００基于ＩＴＵ－ＴＱ．１２００建议和ＩＴＵ－ＴＭ．３００建议，在不同网络间提供最大程度的互通。利用自适应软件可下载终端来支持频段，多环境能力；关键参数可按需要选择，再加上更高的频谱利用率，该系统特别适合于发     

GSUF-10-I分米波彩色电视发射机应用与实践冷却风机控制系统原理

ＧＳＵＦ┐１０┐Ｉ分米波彩色电视发射机应用与实践冷却风机控制系统原理宁夏银川电视台王晋明１概述银川电视台使用鞍山广播器材总厂生产的ＧＳＵＦ－１０－Ⅰ型１０ｋＷ彩色电视发射机在１８频道播出。该机由两只ＴＨ－３４７和一只ＴＨ－３８２进口大功率管完成发射任...     

Al栅a—Si TFT栅绝缘膜研究

Ａｌ栅可明显降低ＡＭ－ＬＣＤ中ａ－Ｓｉ ＴＦＴ矩阵的栅总线电阻及栅脉冲信号延迟，有利于提高高密显示屏的开口率与图像质量。本文详细分析了Ａｌ栅的阳极氧化技术，获得了适于ａ－Ｓｉ ＴＦＴ复合栅的Ａｌ２Ｏ３栅绝缘材料。     

薄膜晶体管寻址液晶显示器中栅延迟导致的图像信号失真

考虑栅信号线电阻、栅民源信号线的交叠电容以及ＴＦＴ导电沟道电容所构成的ＲＣ常数对栅延迟的影响，建立了ａ－ＳｉＴＦＴ－ＬＣＤ的等效电路模型。讨论了栅信号延迟对液晶显示屏尺寸、显示分辨率及民极材料的依赖关系。计算了用典型金属材料作民极时，在栅线的不直，象素电容的最大充电能力与栅延迟，为大面积、高分辨率ＴＦＴ－ＬＣＤ提供了设计依据。     

测量三种关键工艺参数的微电子测试结构

本文叙述了Ｘ射线曝光掩膜的评估、Ｆ－Ｎ隧道电流检测氧化层厚度以及三角形栅ＭＯＳ管测量偏称钽的微电子测试结构，并讨论了量测的结果。     

多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐射特性的影响

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉｄｓ－Ｖｇｓ亚阈特性的辐射影响应。结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力。其辐射敏感性的降低可能归结为ＳｉＯ２栅介质和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近Ｆ的浓度相对较大以及栅场介质中Ｆ注入缺陷相对较少所致。     

UF—2传真机传感器常见故障检修

ＵＦ－２传真机传感器常见故障检修赵振强ＵＦ－２ＥＸＣ传真机是符合ＣＣＩＴＴ建议的Ｇ３类高速传真机，可用于公共电话交换网或专线网。作为机械和电子相结合的产物，各类传感器及其电路在传真机中的地位显得尤为重要。传感器在使用中动作频繁，极易出现故障，但如果掌...     

多晶硅栅光刻前后注F对MOS器件辐照特性的影响

分析研究了Ｈ２＋Ｏ２合成栅氧化、多晶硅栅光刻前后注Ｆ和Ｐ的沟和Ｎ沟ＮＯＳＦＥＴ，在最劣γ辐照偏置下的阈电压和Ｉ（ｄｓ）－Ｖ（ｇｓ）亚阈特性的辐射影响应．结果表明，多晶硅栅光刻前注Ｆ比光刻后注Ｆ和未注Ｆ，具有更强的抑制辐射感生氧化物电荷积累和界面态生长的能力．其辐射敏感性的降低可能归结为ＳｉＯ２栅介质和Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近Ｆ的浓度相对较大以及栅场介质中Ｆ注入缺陷相对较少所致．     

BF_2~+注入单晶硅和多晶硅栅快速热退火氟迁移特性的SIMS分析

本文借助ＳＩＭＳ技术，系统地分析了４５ｋｅＶ，１×１０１４、２×１０１５和５×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入单晶硅和８０ｋｅＶ、２×１０１５ｃｍ－２ＢＦ＋２注入多晶硅栅在快速退火条件下，Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的分布剖面，并对Ｆ在单晶硅和多晶硅栅中的迁移特性进行了深入的分析和讨论．Ｆ在多晶硅栅中的迁移，不但存在着Ｆ的扩散，而且还存在着Ｆ的发射和吸收，据此成功地解释了实验结果．     

金属陶瓷四极管阴极内环与管座内环接触面积小的改进

金属陶瓷四极管阴极内环与管座内环接触面积小的改进刘同江，立晓国（牡丹江广播电视局）金属陶瓷四极管ＦＵ－９２０ＦＡ、ＦＵ－８３２ＦＡ、ＦＵ－１０１（Ｚ）Ｆ，是用在１０ｋｗ脉宽调制调幅广播发射机的脉放末级和高末级的定型管型。这几种管子的灯丝、栅极、帘栅极...     

77KFowler—Nordheim电子注入和栅氧化层俘获特性研究

本研究了７７Ｋ下薄栅ＮＭＯＳＦＥＴ在Ｆ－Ｎ均匀注入时栅氧化层对电荷的俘获特性，发现沟道区上方栅氧化屋将俘获电荷，使阀值电压下降，而栅边缘氧化层地电子的俘获明显增强，并高于室温一的对应值，从而导致ＮＭＯＳＦＥＴ关态特性变差，沟道电阻增大，以及电流驱动能力的显降低，提出了栅边缘氧化层增强电子俘获的深能级中性陷机制。