硫分压对光吸收层CuInS2薄膜性能的影响

在不同硫分压r (r=Sn/[N2+Sn])下,采用Cu-In预制膜硫化法制备了CuInS2薄膜.用扫描电子显微镜、X射线衍射仪、霍尔测试仪、紫外-可见光分光光度计对薄膜的表面形貌、结构、电学、光学性能进行了表征分析.结果表明:随着r增加,薄膜的结晶质量提高,当r＝1/2时,晶粒大小如一,粒度保持在1 μm左右,沿[112]晶向择优生长,载流子浓度为5.6×1016 cm-3,光学带隙在1.53 eV左右.     

硫化时间对CuInS_2薄膜特性的影响（英文）EI北大核心CSCD

磁控溅射制备Cu-In合金薄膜,随后通过固态源硫化制备了CuInS2。采用XRD、SEM、紫外可见光分光光度计和霍尔效应测试仪分析了薄膜的特性。结果表明：硫化时间为10min至30 min时,不同的硫化时间硫化后薄膜的成分几乎保持不变,薄膜的结晶程度随时间的增加变好,电阻率随硫化时间的增加而提高,薄膜的光学带隙位于1.42-1.55eV之间。     

氧对CIS薄膜太阳能电池开路电压的影响

采用硫化Cu-In前驱膜的方法制备CuInS2薄膜,通过分析CIS薄膜制备过程中不同阶段样品中的氧,讨论了氧的来源及其存在形态,以及对CIS层开路电压可能造成的影响。用扫描电镜（SEM）和能量色散谱仪（EDS）研究前驱膜的形貌及其成分,用X射线衍射仪（XRD）表征薄膜的结构,用俄歇电子能谱（AES）对硫化薄膜中各元素沿深度方向的分布进行了检测,最后用I-V测试仪对硫化膜的开路电压进行测量。结果表明,CuInS2薄膜中的氧来源于Cu-In前驱膜,氧主要以Cu2In2O5的形式存在于CIS/Cu-In界面处,由于氧化物在硫化反应过程中影响了Cu和In向外表面的扩散,从而影响了CIS薄膜的成分和CIS太阳能电池的性能。     

载气流量对CIS薄膜性能的影响

采用Cu-In预制层后硫化法制备CuInS2（CIS）薄膜。研究了硫源处载气流量对薄膜形貌、成分及结构等的影响。用扫描电镜（SEM）、能量色散谱仪（EDS）、X射线衍射仪（XRD）对薄膜形貌、成分、结构进行了表征,并用扩散生长模型加以解释。结果表明,具有CuIn和CuIn2混合相的Cu-In预制膜,在不同的载气流量下,硫化后所制备的薄膜均具有CIS/CuxIny/Cu结构。检测结果支持铜、铟离子穿过先期生成的CIS膜向外扩散,在表面处与硫反应生成CIS的生长模型。     

热处理温度对CuInS2粉体物相、形貌及光吸收性能的影响

采用溶剂热法在不同反应体系和温度下,制备了一系列Cu In S2(CIS)粉体。CIS粉体的物相、形貌、光吸收性能分别用X射线衍射(XRD)仪、场发射扫描电镜(FESEM)、透射电镜(TEM)、紫外-可见光谱仪(UV-Vis)等手段进行了表征。结果表明,180℃时乙醇-硫脲体系所得"绣球"状CIS粉体为黄铜矿结构,而乙二胺-硫化钠体系则为"花簇"状纤锌矿结构,升高溶剂热温度,两者形貌均往"球体"演变;结合XRD,差热(DSC)分析表明纤锌矿CIS具有往黄铜矿CIS转变的趋势,物相转变温度约为453℃;受物相转变影响,纤锌矿CIS的带隙值由黄铜矿的1.43 e V减小至1.35 e V,其可见光吸收能力增强。同时探讨了CIS物相的转变机理。     

沉积温度对Ge2Sb2Te5溅射薄膜结构、电/光性质的影响

在衬底加热条件下利用磁控溅射法制备Ge2Sb2Te5薄膜,利用X射线衍射仪表征各种沉积温度下薄膜的结构,差示扫描量热法(DSC)确定的薄膜晶化温度为168℃(加热升温速率为5℃/min)。用四探针法测试薄膜的方块电阻,分光光度计测试薄膜的反射率谱,并根据反射率数据讨论在波长为405和650nm时薄膜的反射率对比度同沉积温度关系。结果表明:室温沉积的薄膜为非晶态;在衬底温度为140℃条件下薄膜已完全转变为晶态Ge2Sb2Te5,在300℃时出现少量的六方相;低于140℃时易形成非Ge2Sb2Te5组分的其它晶相,它们对薄膜的电/光性质有很大的影响,可能是导致此类相变光存储薄膜使用过程中反射率对比度下降的原因。     

电沉积Co-W合金薄膜的性能研究

柠檬酸盐存在的酸性镀液qa(pH=4.0),通过改变[WO42-]/[Co2+]比值电沉积制备了Co-W合金薄膜.使用XRD对薄膜的微结构和相组成进行了分析,结果表明沉积态时,Co-W合金薄膜具有晶态结构;随着薄膜中Co、W含量的不同,薄膜从富Co的面心立方相向Co+Co7W6+Co3W共存相转变.采用FE-SEM对薄膜表面形貌和组成分析表明:Co-W合金薄膜中Co含量较高,随着镀液中[WO42-[Co2+]比值的增加,薄膜中W含量会增加,膜面逐渐变得致密;当镀液中[WO42-]/[Co2+]=0.5时,薄膜中W含量达到最大值,同时膜面上出现大量气孔.通过VSM对薄膜磁性能进行了测试,结果显示Co-W合金薄膜的易磁化轴平行于膜面.     

ILGAR法CuInS2薄膜制备中的化学计量控制

采用离子层气相反应法(ILGAR)法,以CuCl、InCl3为原料,C2H5OH为溶剂,H2S为硫源在常温下合成了CuInS2薄膜,建立了前驱体溶液中[Cu]/[In]比与薄膜化学计量之间的关系.利用X-ray光电子能谱仪(XPS),X-ray衍射仪(XRD)、扫描电镜(S EM)、可见-紫外分光光度计(UV-Vis)和霍尔测试系统(HALL)等技术表征了不同化学计量下CIS薄膜的相组成、结构形貌、薄膜生长、光学和电学性质.试验表明,薄膜中Cu/In与溶液中[Cu]/[In]呈线性变化,并伴随有立方闪锌矿结构→黄铜矿结构晶型转变过程;当0.94≤Cu/In≤1.27时,测定出CIS薄膜为单相,表面较致密、均匀、附着性好;薄膜的光吸收系数高于104 cm-1,禁带宽度Eg在1.27 eV～1.35 eV之间,表面暗电阻随Cu/In的增加从102Ω·cm降为10-1 Ω.cm,载流子浓度在1016cm-3～1017cm-3.     

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 文章对蜡源方波材料NbSe2晶体的制备及其电学特性进行综述，介绍了利用化学气相输运法制备NbSe2晶体。测试出NbSe2晶体的临界温度为7.2K，30 K附近发生CDW转变，出现了CDW和超导电性共存的现象，通过分析 NbSe2晶体的ρ T曲线和NbSe2晶体的XRD图谱，讨论了低温下NbSe2晶体的重入现象。     

Bi2-xSbxTe3热电薄膜的电化学沉积及表征

采用电化学沉积法,在ITO导电玻璃及钛片上沉积Bi2-xSbxTe3热电薄膜。采用循环伏安、SEM、XRD、EDX等技术分别对电化学沉积过程和薄膜的形貌、相结构、组成进行研究,并对其室温时的热电性能进行测试。结果表明,在含有Bi3＋、HTeO2+和SbO+的硝酸溶液中,采用控电位沉积模式,可以实现铋、锑、碲三元共沉积,得到Bi2-xSbxTe3薄膜。薄膜热处理前用冷等静压处理可以提高薄膜的密实度和平整度,并有利于热电性能的提高。     

Surface Microstructure Characterization of Sol-gel Derived Porous TiO_2 Thin Films

Several techniques, such as sol-gel [l], spraypyro1ysis [2], chemical vaPor deposition [3], canbe used to prepare titania thin films. Among the-se preparation techniques, the relatively simplesol-gel method is most widely used. The filmproperties are highly dependent uPon the prep-aration process and surface microsttucttoe, suchas panicle size, pore sttucfore, surface rough-ness, phase comPosition and so on. Therefore,the characterization of the surface microsttuc-tufe of thin films is vital …     

退火温度对钴铁氧体薄膜结构和性能的影响

采用溶胶-凝胶法结合匀胶旋涂工艺在复合基片(Pt/Ti/SiO2/Si)上制备了钴铁氧体(CoFe2O4)薄膜,利用XRD、SEM、VSM分析了薄膜的微结构以及磁性能,研究了不同退火温度对钴铁氧体薄膜的结构和磁性能的影响.结果表明,钴铁氧体在500℃时开始形成尖晶石相.随着退火温度的增高,钴铁氧体晶粒逐渐长大,饱和磁化...     

V2O5熔化成膜法制备VO2薄膜

发展了一种新的VO2薄膜制备方法—V2O5熔化成膜法，其基本步骤为：基片预处理—涂粉—熔化成膜—真空退火—VO2薄膜。采用XRD和XPS等手段，对所得薄膜的物相组成与价态进行了分析，同时对薄膜进行了电阻随温度变化的测试。结果表明：通过该方法获得的薄膜，其主要成分是VO2，电阻突变达到4个数量级，相变温度为67．5℃。     

预涂CuO的二氧化钛薄膜光催化性能与结构研究

载波片上浸涂一层CuO的TiO2薄膜会诱导金红石相生成，并有效提高其光催化活性，其中预涂一层含量1．0％（质量分数，下同）Cu（CH3COO）2水溶液其光催化活性增幅最大（提高53％）。结果表明：TiO2薄膜晶格畸变越大，金红石型TiO2含量越高，薄膜光催化性能就越好。扫描电镜显示预涂一层CuO的TiO2薄膜颗粒粒径较纯TiO2薄膜小。X射线光电子能谱研究表明，预涂一层CuO的TiO2薄膜中Ti^3＋含量较纯TiO2薄膜高。     

水热合成法制备HfO_2薄膜(英文)

以HfOCl2·8H2O为前驱体采用水热合成法制备了HfO2溶胶,采用旋涂法制备了HfO2-PVP薄膜。利用透射电镜和粒度分析仪观察和表征HfO2溶胶的微观结构和粒度分布。实验发现,通过调整不同的水热合成温度、反应物前驱体浓度、溶液的pH值和水热合成时间等制备条件,可以在3～100nm范围内对HfO2溶胶颗粒的大小进行控制。分别采用椭偏仪,原子力显微镜,傅里叶红外变换光谱对HfO2–PVP薄膜的形貌和结构进行了表征和测量。结果表明,旋涂法制备的HfO2-PVP薄膜的粗糙度小于0.5nm,折射率达1.75左右。实验还发现,HfO2薄膜的激光损伤阈值达到15J/cm3(1064nm,1ns),HfO2-PVP薄膜的激光损伤阈值可高达20J/cm3(1064nm,1ns)。还对HfO2-PVP薄膜中有机粘结剂PVP在激光诱导损伤过程中的作用机理进行了初步探讨。     

不同氮含量BCN薄膜的微观结构与摩擦学行为

用电弧增强反应磁控溅射方法(AEMS)在高速钢(W18Cr4V)基体上制备出具有耐磨减摩性能的BCN薄膜。用X射线衍射仪(XRD)、高分辨透射电镜(HRTEM)和X射线光电子能谱(XPS)研究了氮含量对薄膜微观结构的影响;用显微硬度计和销盘式摩擦磨损仪研究了薄膜硬度和摩擦学行为。结果表明:用AEMS方法制备的BCN薄膜为非晶结构,薄膜中的B-N键的含量随氮含量增加而增加;薄膜中氮含量的增加使薄膜的硬度和摩擦系数升高,磨损率降低。     

溶胶-凝胶制备二氧化钒薄膜的价态研究

采用无机溶胶-凝胶法制备了VO2热致变色薄膜，利用XPS系统地研究了烘干温度、真空热处理温度以及溶胶浓度对VO2薄膜中钒价态的影响。结果表明，保持其它工艺参数不变，薄膜中V^5 被还原的程度随烘干温度和真空热处理温度升高而增大。当烘干温度、烘干时间和真空热处理时间以及真空气压相同时，随溶胶浓度减小，VO2薄膜中V^5 被还原程度存在真空热处理温度临界点，当溶胶浓度配比为1：4～1：3时，临界温度为480℃；溶胶浓度配比为1：3～1：2时，临界温度为400℃。制备高纯VO2薄膜的优化工艺参数组合为溶胶浓度配比1：3，250℃干燥2h后于450℃氢气还原3h(保持真空度为0．5Pa)。