高压阳极箔隧道枝孔的形成机理

增加枝孔处理是大幅度提高高压阳极箔比电容的有效途径。在分析高压阳极箔隧道孔生长机理的基础上,探讨了在隧道上形成枝孔的机理。主隧道孔的4个(100)面为枝孔的形成提供了材料的结构条件。提高阳极过程的?E(?E=Epit-Ecorr)和发生点蚀的临界电流密度ip,是增强在隧道孔中形成枝孔的必要电化学条件。     

铝阳极箔化成技术

介绍了铝阳极箔的化成方法及其发展动态,对化成工艺和设备作了简单的分析。认为：用非水体系如γ丁内酯化成液,代替水体系化成液,用铝箔导电与溶液导电组合供电化成来代替单一供电化成法,都会取得降低化成耗电量、降低化成箔漏电流、提高化成箔比容及提高化成效率等效果。     

缓蚀剂对超高压铝箔腐蚀扩孔的影响

以HCl-H_2SO_4溶液为发孔液,1 mol·L~(–1)的HNO_3为扩孔液,聚乙二醇作为缓蚀剂以730 V二级化成箔的比容为主要评价指标,并结合扫描电镜分析结果,研究了缓蚀剂浓度、扩孔时间和温度对超高压铝箔扩孔效果的影响。结果表明:扩孔液中添加聚乙二醇作缓蚀剂,可有效提高腐蚀扩孔效果;缓蚀剂浓度增大时,腐蚀箔的孔密度增大,孔径变小;扩孔温度和扩孔时间也显著影响腐蚀扩孔效果。在730 V下化成时,扩孔液中聚乙二醇的最佳浓度为1.0 g·L~(–1);在含1.0 g·L–1聚乙二醇的1 mol·L~(–1)HNO_3腐蚀液中恒流扩孔时,最佳时间为500 s,最佳温度为75℃,化成箔比容达到0.434×10~(–6) F·cm~(–2),与不含缓蚀剂时扩孔、化成所得铝箔相比,比容提高8.5%。     

中高压电容器铝箔扩孔液中缓蚀剂的作用

研究高纯铝箔在盐酸直流电侵蚀时高分子缓蚀剂对隧道蚀孔密度和侵蚀箔比电容的影响,扩孔使用缓蚀剂后,孔密度增加,孔径减小,失重减少,中高压电容器铝箔的比电容约提高23%。     

中高压铝电解电容器阳极箔研究进展

从铝箔杂质和腐蚀液添加剂两个方面概述了国内外在提高中高压铝电解电容器比电容方面的研究进展,其中包括镁、铁、硅、铅等杂质及缓蚀剂和表面活性剂的研究。并介绍了铝电解电容器的几种腐蚀机理,如氯离子的作用机理、腐蚀过程中电流与电位的关系、空位模型。最后预测了铝电解电容器新工艺的可能开发方向。     

后处理对铝电解电容器阳极箔比容的影响

采用硫酸-盐酸体系环保型铝电解电容器用阳极箔腐蚀工艺,硝酸溶液作后处理液,结合SEM分析,探讨了硝酸后处理在阳极箔表面的清洗机理,研究了直流电侵蚀后,硝酸后处理对阳极箔比容的影响。结果表明:在硝酸溶液温度为65℃、清洗时间为250 s的条件下,阳极箔比容随着硝酸质量浓度的增加而增加,当硝酸质量浓度增至35 g/L时,阳极箔比容达到最大值0.70×10–6 F/cm2。硝酸质量浓度继续增加,阳极箔比容逐渐减小。最佳后处理参数为:硝酸质量浓度为35 g/L,处理温度为65℃,清洗时间为250 s。     

铝阳极氧化膜及吕电解电容器

本文叙述铝阳极氧化膜的两种主要结构，生长机理及与形成条件的关系。     

电解电容器铝箔横向隧道孔的生长控制

在酸性介质中已经产生隧道孔的铝箔表面,继续在中性电解液中采取直流阳极溶解时,隧道孔密度及长度与二次侵蚀时电解质类别相关。在此基础上,通过二次侵蚀前铝箔表面的酸浸泡成膜处理,以及二次侵蚀过程中在中性氯化钠介质中添加复合有机物,达到控制此过程中隧道孔生长方向的目的,使其在原隧道孔的孔壁沿着与铝箔表面平行的方向产生新的隧道孔,这为提高铝箔表面积提出了新的途径,为进一步提高铝电解电容器比容提供了可能性。     

柠檬酸盐对阳极箔形成速度与比电容的影响

为了提高铝电解电容器用高压阳极箔形成速度与比电容,将水合处理后的腐蚀箔在95℃、2 g/L柠檬酸钠去离子水溶液中浸泡5 min,在530 V电压化成时,形成时间缩短约2 min,化成箔比电容由0.556×10–6 F.cm–2提高至0.584×10–6 F.cm–2,阳极氧化铝膜的结构与性能得到改善。     

铝电解电容器用阳极化成箔的选用

阳极化成铝箔的质量直接影响铝电解电容器的性能。介绍化成箔的主要性能参数 ,如升压时间、氧化膜稳定耐压值、比容及散差、抗拉强度和折弯强度、表面氯离子残留量等的正确选用。正确选用阳极化成箔对提高电容器产品的质量、降低成本十分重要。     

日本铝电极箔制造技术研究的新进展

总结了日本近几年在铝电解电容器电极箔制造工艺上所取得的成果,着重分析阳极箔交流腐蚀中的多级变频复合腐蚀工艺、预处理工艺及阳极箔化成工艺的最新进展。指出目前我国电极箔生产技术在几个方面与日本的差距。     

硫酸/盐酸比例和Al3+含量对铝箔隧道孔生长的影响

研究了硫酸/盐酸比例、温度和Al3+含量对高纯铝箔隧道孔生长的影响,发现随着硫酸浓度增加,温度对隧道孔极限长度和孔径的影响减小,在本文条件下隧道孔生长的临界温度最低可降低到35℃。在电解液中一定含量的Al3+可以避免铝箔表面形成大孔,从而改善隧道孔分布均匀性。     

铝电解电容器用腐蚀箔的SEM与EBSD研究

采用扫描电子显微镜（SEM）和背散射电子衍射（EBSD）技术分析国产铝光箔与进口铝光箔的表面质量、晶粒大小和织构度对阳极氧化腐蚀箔比容的影响。结果表明,由于光箔轧制与再结晶退火工艺的原因,国产铝光箔表面缺陷多,粗糙度大,晶粒小和织构度低,在相同腐蚀条件下,腐蚀箔的比容比进口铝光箔腐蚀后的比容低,且幅度超过5％。     

铝电解电容器用高比容阳极箔制备技术进展

综述了近10年来铝电解电容器用高比容阳极箔制备技术的研究现状与发展趋势。重点评述了sol-gel法、水解沉积法、电化学沉积法及热处理手段等提高阳极箔比容的技术,对上述方法所制备阳极箔的氧化膜生长机理进行了探讨,提出了发挥有效面积S、形成常数K与相对介电常数εr的共同作用是高比容铝阳极箔制备技术的发展方向。     

前处理和侵蚀对阴极箔比容的影响

碱洗预处理和侵蚀条件对阴极铝箔比容有影响。随 Na OH浓度和 Na3PO4浓度的增大 ,侵蚀箔比容下降。碱洗的温度升高或者时间增加 ,侵蚀箔比容也下降。侵蚀溶液盐酸浓度为 0 .85 mol/ L 时侵蚀箔比容达到极大值。侵蚀液温度过低和过高 ,侵蚀箔比容都低。温度为 90℃时侵蚀比容较高。通过试验得出了较好的前处理和侵蚀条件。