半导体材料表面精密加工技术

半导体材料的表面精密加工技术是半导体工艺技术的一个组成部分。在大规模集成电路的设计和制造中,要求将半导体的表面粗糙度加工达到纳米级。因此,高效率超精密的半导体材料表面加工技术是大规模集成电路生产的关键技术。为此对国内外半导体材料表面加工技术的现状进行了分析,叙述了半导体表面精密加工的一些方法。     

碳化硅—半导体材料

自从1948年 Shockley 发明晶体管以来,半导体元件已愈来愈获得重要意义,它导致了主要是通讯技术和强电技术方面的革命性发展。对半导体材料性质的进一步研究(首先是锗,其后是硅),为这一发展提供了基础。半导体元件的特性是由所采用的半导体材料所决定的。因此,进一步研究半导体材料是发展具有更良好的或完全新的特性的半导体元件的关键。碳化硅(SiC)是一种适用于新技术用途的半导体材料,其显著特性优点是:耐高温;禁带宽;化学稳定性好和硬度高。为了充分利用材料的半导体性质,必须要将其制成单晶形式,同时纯度要特别高。碳化     

电子材料的盛宴——2005中国国际电子材料展览会沪上隆重举行

继半导体设备、电子生产设备、PCB 等专业电子展相继在沪举行之后.又一专业国际展-- 2005中国国际电子材料展览会(CEM EXPO 2005) 将于2005年11月22～25日在上海新国际博览中心举行。电子材料是发展电子信息产业的重要载体。以硅材料为主体, 结合化合物半导体材料及新一代高温半导体材料的共同发展,构成了21世纪半导体产业发展的主流。     

半导体一氧化碳敏感材料研究进展

金属氧化物半导体由于具有耐热、耐腐蚀、成本低廉等特点，常用于制作气体传感器的敏感元件。本文简要介绍了SnO2半导体材料、TiO2半导体材料作为一氧化碳敏感材料的最新研究进展。     

中国半导体材料业的状况分析

半导体材料是现代信息技术发展的重要支柱,对社会的发展和变革做出了突出贡献。近年来,我国中央政府不断的资金、技术、政策扶持下,国内半导体市场也出现了高增长的势头。多项涉及半导体的公关被国家、地方作为重点公关项目,使得半导体材料事业有了长足发展,成果显著,许多基础材料能够取代进口材料,并不断打破国外的垄断。本文主要阐述各半导体材料大国的产业发展之路,分析当前我国半导体材料产业发展过程中遇到的困境和机遇,以期探索出一条符合我国发展之路的半导体事业,并逐步走向国际顶端市场。     

半导体材料激光退火技术研究(二)

GaAs和InP等Ⅲ-Ⅴ族半导体,第三代半导体GaN以及SiC、ZnSe、CBN和金刚石等高温半导体材料近年发展很快。这些非硅化合物半导体材料,在不远的将来,其市场规模可能赶上单晶硅。它们在耐高电压、抗高温或动作速度方面超过单晶硅,主要在单晶硅性能达不到要求的领域发挥作用,推动科技的进步与发展。     

传感器敏感材料

传感器敏感材料机械部重庆仪表材料研究所张德武传感器在现代科学技术中的应用越来越广泛，用来制造传感器的敏感材料的研究与应用开发也越来越被人们所重视。传感器敏感材料种类很多，按材料分类可分为金属功能材料、半导体材料、陶瓷功能材料、高分子功能材料和复合功能...     

高阻材料霍尔效应测试法探讨

高阻半导体材料的霍尔测试,不论是测试技术,还是数据分析处理都比低、中阻材料困难得多。对此,本文介绍和讨论了有关实现高阻半导体材料常规霍尔元件的具体方法。     

微波半导体材料及器件技术创新发展战略

半导体材料是决定MMIC芯片性能和成本的首要因素。微波半导体器件则是MMIC芯片的核心要件。在战略角度研究分析了微波半导体材料及器件的发展趋势,指出为实现芯片及模块的性能和成本目标,当前应持的创新发展战略。     

氨气泄漏检测材料的研究

简述了氯气等制冷工业中的化学气体的性质与检测方法。详细研究了ＷＯ３系半导体氨敏材料及元件的敏感特性,对Ｉｎ２Ｏ３,ＳｎＯ２等半导体氨敏材料也进行了探讨。     

浅谈半导体级多晶硅关键接触材料的选择

8寸及以上晶圆用原生半导体级多晶硅料对产品质量要求极高,在硅料生产过程中,与硅料接触的材料是产品质量失效模式的主要影响因素之一,因此,对许多关键材料的选择十分重要。本文主要从半导体级多晶硅生产过程中的原料接触材料、产品接触材料分析其潜在风险及最优的材料选择。     

进电材料及压力对半导体放电加工接触电阻的影响

为了减小半导体放电加工中的接触电阻,首先采用具有不同功函数的材料对P型硅进电,进行伏安特性测试,得出当进电材料的功函数与半导体材料功函数相近时接触电阻比较小;其次对在不同接触压力下的P型硅进行了伏安特性测试,结论表明压力越大进电材料与半导体之间的平均间隙越小进而接触电阻越小;再次利用电火花线切割(WEDM)对P型硅加工对上述结论进行了实验验证。最后提出了两项有利于减小半导体接触电阻的工艺措施,以便更好地指导半导体材料的放电加工。     

美、日、欧金刚石半导体材料和器件发展研究

金刚石属于超宽带隙半导体材料,具有优异的物理和化学性质,目前正成为国际竞争的新热点。现介绍了金刚石半导体材料和相关电子器件在日本、欧洲、美国的发展现状,重点阐述了单晶材料生长、掺杂工艺、衬底和外延技术等进展,以及金刚石功率电子器件的最新成果,包括金刚石PIN二极管、金刚石场效应晶体管等。分析了金刚石半导体器件产品化需要突破的关键技术,对国际上金刚石半导体材料和器件的发展进行了展望。     

空间条件下的材料加工 (下)

5. 半导体材料 半导体材料的优异性能是由无缺陷、大尺寸和均匀性决定的。这三个方面都要求克服重力引起的对流和晶体表面应力对材料制备的不良影响。为此,利用空间条件制取高纯、均匀、结构完整的大尺寸晶体有着独特的意义。     

基于LabVIEW的半导体材料检测平台

设计制作了一套以LabVIEW和USB-6009采集卡为检测系统的半导体材料特性检测平台,在温度自主可调的电加热炉的测试环境下,测量不同温度下半导体材料的电阻率和电动势率。测试平台已正式投入运行,在测试过程中实现温度、电压等各项数据的实时处理、显示及保存。根据实验结果可知,系统测量得到的电阻率和电动势率误差控制在允许误差范围以内,实验得到的曲线稳定。     

半导体材料测试仪器的设计与制作

设计了一种在不同温度条件下测量半导体材料电阻率和电动势率的仪器,实现了在不同温度下半导体材料电阻率和电动势率的精确测量;采用电阻炉构建了温度可变的测试环境,电阻炉是具有大滞后特性的被控对象,控制系统中采用大林算法,实现了快速升温过程,控制精度达到了±3℃.     

材料周学术报告一览表

论坛共邀请了14名材料界知名专家学者做主题报告发言,他们分别来自政府、学会、高校以及知名企业,报告内容涉及钢铁材料、工程塑料、陶瓷材料、复合材料以及半导体材料研制与应用状况。现摘录部分报告内容,以飨广大读者。     

高技术与光电信息材料

人类社会正经历一次新的技术革命,它是以微电子技术和计算机的应用为标志的,因而与光电材料息息相关。而光电信材料研制与应用必将有力地推动高技术的迅速发展。本文就高技术与光电材料的关系,以及半导体材料、传感器材料的进展情况,作一综述。     

密炼机在制动材料工业中的应用及其优势

从技术观点来看，非常需要采用密炼机系统来制备制动材料混合物。而使用这一类型的密炼机要求能用于对各种不同材料的混炼，并将高额填充剂／基体配比用于制动材料的配方上。     

国家有色金属及电子材料分析测试中心

国家有色金属及电子材料分析测试中心于1983年8月13日建立,业务上受中国有色金属工业总公司领导和国家科委的指导,是10个国家级分析测试中心之一。主要承担有色金属材料及电子材料,特别是半导体材料、激光红外材料、超导材料、发光材料、电真空材料、磁性材料、压电材料、航空航天材料、