合金精炼提纯过程中金属Sn的电解回收研究

Al-Si-Sn三元合金精炼方法能够显著提高太阳能级多晶硅的提纯产率,但添加的金属Sn与Si难以分离的问题限制了它的实际应用。选用SnCl2(60g/L)作为电解液,Al-Si-Sn合金(58.14%(原子分数)Al-31.86%(原子分数)Si-10%(原子分数)Sn)作为阳极,高纯Sn(99.99%)作为阴极,在室温下进行恒电流沉积实验。通过讨论电流密度、电解液pH值、沉积时间、搅拌速度等参数对电流效率及Sn沉积层形貌的影响,优化电解回收金属Sn实验工艺。研究结果表明,在室温下,当磁力搅拌速度为800 r/min,电流密度为0.4~0.5 A/cm2,沉积时间为3~6 min,pH值为3~4时,电流效率达到最大值。     

区域熔炼制备高纯铟的研究

以精铟为原料,采用区域熔炼方法提纯金属In,研究平衡分配系数、区熔速度及区熔次数对铟提纯效果的影响。结果表明,Ni、Cu、Ag、As、Fe、Zn通过区域熔炼有较好的去除,而Cd、Sn、Pb脱除效果较差;在熔区速度3.5 mm/min,10次熔融,可得到铟的纯度为99.9991%。结合真空蒸馏提纯铟的实验结果,采用真空蒸馏-区域熔炼的方法能获得更高纯度的金属In。     

碘化铟(InI)多晶的水平区熔提纯

采用水平区熔法对由两温区气相输运法制备的InI多晶进行提纯, 探索高纯、单相InI多晶的制备工艺。通过X射线粉末衍射仪、扫描电子显微镜以及电感耦合等离子体原子发射光谱仪对水平区熔提纯前后的InI多晶的晶格结构、形貌组分以及杂质浓度进行了表征。结果表明, 经过水平区熔提纯后的InI多晶晶格结构完整, 质量较高, 晶格参数为a=0.476 nm, b=1.278 nm, c=0.491 nm, 与理论值十分接近; In、I化学配比得到了有效调节, 其化学配比接近理论化学配比1: 1; 中间产物含量及杂质浓度显著降低。以提纯后InI多晶为原料, 用提拉法生长出的InI单晶电阻率达到10¹⁰ Ω·cm。     

三氯化硼的提纯方法

二氯化硼除作为阳离子聚合催化剂和硼化合物的原料外,还用作半导体的掺杂剂或蚀刻剂,但要求纯度特别高。三氯化硼一般的合成方法有:(1)在高温下,将碳和氧化硼与氯进行氯化反应;(2)在高温下,金属硼与氯进行氯化反应,     

铝硅合金精炼提纯多晶硅的研究进展

采用高效节能、环境友好的冶金法提纯多晶硅是光伏产业发展的重要途径之一,具有很强的中国特色。该方法通常结合2个或2个以上冶金步骤实现工业硅的提纯,这些步骤包括湿法提纯、合金法提纯、定向凝固提纯、真空熔炼提纯等。合金法提纯具有操作温度低、设备实现简单、杂质去除效果好等优点,已成为研究的热点。概述了铝硅合金体系精炼提纯原理、提纯过程及提纯效果,总结了近年来采用该方法提纯多晶硅的研究进展,并对其发展进行了预测。     

支持我国铟产业发展的对策研究

日本和韩国把全球稀缺矿产资源——铟，列为战略矿产资源储备。而我国作为世界铟生产和出口大国，却对铟产业的发展不够重视。我国铟产业结构不合理，铟生产集中度低，开采加工过程中资源浪费严重，加之铟企业竞相压低价格出口，致使出口定价权长期被日本等消费国家控制，我国铟产业发展陷入日本等国家设计的“低水平发展循环陷阱”。因此，很有必要通过采取加强对铟资源保护、加大对铟产业技术的研发投入、建立我国铟资源的战略储备和商业储备、国家出台一系列相互配套的鼓励政策等对策，来支持我国铟产业健康快速发展。     

液晶提纯方法综述

对液晶单体和混合液晶的提纯方法进行了论述和总结.     

氯气提纯方法

本文概要地综述了氯气提纯方法及其工艺过程。     

铟的应用与提取进展

铟是现代高新技术产业的重要支撑材料,中国的铟资源和铟生产量为全球之冠,原生铟的提取技术和水平居世界前列;论述了铟提取冶金的新工艺技术及铟产业的发展。     

提高电解过程中氧化钕利用率的研究

研究了氟化物体系熔盐电解制备金属钕的过程中,熔盐配比及加料速度对氧化钕利用率的影响.结果表明,控制适宜的熔盐配比和加料速度,可将氧化钕的利用率提高到约104%,产品一次合格率达到97.2%以上.     

冶金级硅氧化精炼提纯制备太阳能级硅研究进展

综述了目前冶金级硅氧化精炼制备太阳能级硅的研究进展,详细介绍了熔渣精炼、吹气氧化精炼和热等离子体精炼的方法和装置以及杂质的去除效果。研究发现:上述氧化精炼方法对硅中杂质元素Al、Ca、Cu、B、P等具有很好的去除效果;熔渣和吹气氧化精炼对Fe不明显,须借助于定向凝固方法才能彻底的去除;吹气氧化精炼和等离子体精炼对硅中B的去除效果十分明显,可使其降低至0.1ppmw以下,这为当前冶金法提纯制备太阳能级硅在技术和工艺上提供了很好的思路;通过氧化精炼,硅中杂质元素完全可以达到太阳能级硅的要求。本文提出,吹气氧化精炼(或等离子体精炼)与定向凝固精炼联合使用并形成规模化和连续化精炼装置是加快我国太阳能级硅产业化进程最切实可行的办法和措施。     

硫酸型镀铟电极过程动力学初探

过去用电化学方法对硫酸型镀铟工艺、作用机理研究较少.采用循环伏安、线性电位扫描和交流阻抗等电化学方法,研究了硫酸型镀铟中的阴极反应机理.结果表明:该体系内铟电沉积的最佳pH值为2～3,最佳温度为35～45℃;该阴极过程中存在前置化学反应和随后两个不可逆电化学反应,其中第一个电化学反应是控制步骤,其阴极过程电极反应标准常数为8.188×10-10cm/s.     

纳米氧化铟制备的研究进展

综述了纳米氧化铟的基本性能,重点介绍了国内外用气相法、液相法、固相法制备纳米氧化铟的最新研究进展,并对各种制备方法的优缺点进行了评述。阐述了目前纳米氧化铟制备领域存在的主要问题,论述了纳米氧化铟的应用领域,并展望了其今后的发展。     

铌电解电容器研究动态

铌电解电容器具有比铝电解电容器优越的性能,而价格比钽电解电容器便宜,在电解电容器领域颇有发展前途.综述了近年来国内外电容器用高比容铌粉和铌电解电容器最新研究发展动态、性能、制造方法及市场前景.     

电解氢脱氧技术试验研究

在电解氢纯化器调试的基础上,根据数据分析了变工况、反应温度对脱氧效果的影响,讨论了回热器的作用。结果表明,从边界层的角度考虑,脱氧器设计Re应在充分紊流区;纯化器可在很宽的变工况范围内正常工作;脱氧效果低于设计值时,可以采取保温升高温度的措施强化反应效率;回热器的作用主要在于提高反应前的温度。所采取的措施是为了促进氧能够接触到催化剂表面。试验数据对于脱氧器的设计具有一定的借鉴作用。     

电解铜箔用钛焊接阴极辊焊缝均晶化处理工艺研究

为了解决用生产工序少、成本低的钛焊接阴极辊电解生产铜箔出现的周期性色差问题,对钛焊接阴极辊焊缝施加变形量为55%～60%,60%～70%,70%～80%的加工变形,变形后在T1,T2,T3温度下进行热处理,最终在金相显微镜下观察母材及焊缝的显微组织,评定组织的晶粒等级.结果表明,经60%～70%和70%～80%加工变形后,再在T1,T2,T3温度下进行热处理均可明显改善焊缝的粗大组织,其中7号工艺方案(60%～70%加工变形,T3温度热处理)可使焊缝组织与母材组织最接近,晶粒度仅相差0.5级.用于生产电解铜箔,铜箔无周期性色差.     

超声电解法制备超细钴粉体

在333K、pH=3．5～4．5、频率为40kHz的超声波条件下通过改变电流密度和电解液浓度，得到超声电解法制备超细钴金属粉体粒度的变化规律。研究了在电解过程中加入明胶和十二烷基硫酸钠分散剂对钴粉粒度的影响。在0．08mol／L CoCl2电解液，电流密度160mA，1v01％十二烷基硫酸钠分散剂，电解时间1h实验条件下得到了D50粒度为0．72μm的钴超细粉体。