双离子束法淀积类金刚石碳膜的结构特征

用双离子束法在低于50℃的单晶硅、玻璃、钼和不锈钢表面淀积了类金刚石碳膜。考察了多种工况下淀积膜的表面形貌、TED花样和Raman谱,表明这种膜是键参数有变化的由sp~3键和sp~2键混合组成的非晶态碳结构,其表面和内部还随机散布有立方金刚石微晶。本文还结合该膜电阻率和红外吸收谱的测试结果,分析讨论了离子辐照能量、离子密度、工质气体成分和基底材料对膜结构的影响。     

柔性功能薄膜辉光光谱深度分辨率分析

本文首先通过脉冲射频辉光放电发射光谱定量表征了自然生长在Si (111)基片上约1nm的SiO_2膜,表明射频辉光放电发射光谱具有纳米级别的深度分辨率。随后用原子力显微镜和分光光度计对一款含有Ag层的柔性光学功能薄膜进行了表征,并利用脉冲射频辉光放电发射光谱,在不同的工作条件下对其进行了深度剖析。最后利用原子混合-粗糙度-信息深度模型对所测量的Ag深度谱进行了定量分析,获得了不同测量条件下Ag深度谱的深度分辨率,由此确定了最佳的脉冲射频辉光放电发射光谱工作条件,对获得柔性功能薄膜高分辨率深度谱具有指导意义。     

热阴极辉光放电对金刚石膜沉积的影响

研究了在热阴极辉光放电等离子体化学气相沉积金刚石膜过程中，热阴极辉光放电特性与金刚石膜沉积工艺的关系．结果表明，适当的阴极温度是保证大电流、高气压辉光放电的必要条件．阴极的温度影响辉光放电阴极位降区的放电性质．金刚石膜的沉积速率随着气体压力(16～20kPa)的升高而上升，在18.6kPa左右出现最高值，而阳极位降区电场强度的降低使膜品质下降．放电电流(8～12A)对沉积速率的影响与气体压力的影响具有相似的规律．     

离子渗碳薄膜的新进展

利用乙烯作为保护气体,以射频溅射镀膜的方法,在各种表面上形成离子渗碳薄膜是70代末期研制成功的新型镀膜方法。离子渗碳薄膜具有可以进行选择的机械、光学和电学性能。工艺要求和技术条件较为复杂,是大有前途的新型镀膜方法之一。在射频辉光放电或直流辉光放电的时候,等离子使乙烯气体中的碳分裂沉积到镀材的表面后可以形成人造金刚石薄膜。正因为如此,射频离子渗碳技术引起了真空应用工作者的关注     

极板负偏压对类金刚石薄膜性质的影响

用射频－直流辉光放电系统制备类金刚石薄膜，研究了极板负偏压（Ｖ）对类金刚薄膜性质的影响。结果表明，类金刚石薄膜的性质明显依赖于极板负偏压，在所研究的范围（－３００－９００Ｖ）内，随Ｖ绝对值的增加，薄膜的折射率，消光系数，生长速率，及硬度增加，电阻率下降，Ｖ的变化使膜中Ｈ一及ｓｐ＾３／ｓｐ＾２的比例发生变化，从而使膜的性质发生变化。     

常温下合成金刚石薄膜

采用射频辉光放电的方法在含CH的混合气体的常温条件下制备了含碳的薄膜 ,通过Raman、XRD和SEM分析 ,检验了薄膜的性质 ,表明此膜含有大量的碳的SP3 键的金刚石成分 ,其晶粒为 10～ 10 0nm ,属于纳米金刚石膜。此膜已在玻璃镜片、塑料和磁盘等商品的保护方面获得了广泛的应用     

无碳污染微通道板电子透射膜的工作特性

利用静电贴膜技术在MCP输入面制备了4nm厚Al2O3非晶态电子透射膜,此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染。探讨了贴膜与气体辉光放电的关系,测量了MCP电子透射膜的电子透过特性和离子阻挡特性。实验表明,4nm厚Al2O3非晶态电子透射膜能有效地透过电子,阻止反馈离子。     

辉光放电清洗效果的质谱分析

在辉光放电清洗的实验研究中, 应用质谱技术进行了出气分析,应用其结果对射频辉光放电清洗的效果进行评估.实验结果表明,质谱技术能准确地分析表面吸附气体的分压强,氦离子的轰击可去除以及置换出样品中的气体,氮气、氧气和油蒸气在辉光放电清洗后的出气量下降,有利于超高真空的获得和维持.     

氢化非晶碳硅及其光电特性

我们用射频辉光放电分解在单晶硅和玻璃衬底上制造非晶碳硅合金膜，通过红外吸收、光吸收、暗电导率和光电导率的测量给出了化学组分、光学带隙，红外光谱、暗电导率，光电导率，掺硼的影响和退火特性。     

无碳污染微通道板电子透射膜的工作特性

利用静电贴膜技术在MCP输入面制备了4nm厚Al2O3非晶态电子透射膜，此工艺不造成MCP通道壁内表面碳污染。探讨了贴膜与气体辉光放电的关系，测量了MCP电子透射膜的电子透过特性和离子阻挡特性。实验表明，4nm厚Al2O3非晶态电子透射膜能有效地透过电子，阻止反馈离子。     

取代基对有机硅化合物等离子体聚合规律的影响

在外部电容耦合的辉光放电装置中进行了三乙氧基乙基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷和三甲基乙烯基硅烷的聚合。研究了体系压力、放电功率、等离子气体(N_2、Ar)及基片距离对淀积速率的影响,重点讨论了取代基的影响。并用元素分析、红外光谱和热重分析等方法研究了聚合物的结构与性能。     

辉光离子氮化的物理基础与实践

前言 在学院各级党组织领导下,工农兵学员、工人师付和革命教师一起群策群力,使辉光离子氮化新工艺逐渐完善。这是以阶级斗争为纲,贯彻毛主席的教育路线的又一丰硕成果。 1932年德国B.Berghaus首先利用辉光放电发明了离子氮化法。但当时还未掌握稳定大电流辉光放电的技术。随后W. Weizel和 B.Brant等人进一步研究,辉光离子氮化才在生产上得到应用,现在国内外在热处理工业中都很重视。 辉光离子氮化是使含氮气体电离,N离子在电场作用下对工件表面轰击加热工件,并被吸附向里扩散形成氮化层。这个工艺过程与辉光放电有密切的关系。但国外文…     

等离子体聚丙烯薄膜的电子及温敏性能

在射频辉光放电条件下制备出等离子体聚丙烯薄膜，用红外吸收光谱、用Ｘ射线光电子能谱分析了聚合膜的本体及表面结构；测量了聚膜的电气特性和湿敏特笥。     

取代基对有机硅化合物等离子体聚合规律的影响EI

在外部电容耦合的辉光放电装置中进行了三乙氧基乙基硅烷、三乙氧基乙烯基硅烷和三甲基乙烯基硅烷的聚合。研究了体系压力、放电功率、等离子气体(N_2、Ar)及基片距离对淀积速率的影响,重点讨论了取代基的影响。并用元素分析、红外光谱和热重分析等方法研究了聚合物的结构与性能。     

理论分析辉光放电对碳纳米管生长速率的影响

利用负偏压增强热丝化学气相沉积 ,在沉积过渡层Ta和催化剂NiFe层的Si衬底上制备了碳纳米管 ,并用扫描电子显微镜研究了它们的形貌。发现辉光放电后 ,碳纳米管的平均长度比无辉光放电时大 ,并且随着负偏压的增大而增大 ,即辉光放电增大了它们的生长速率。结合辉光放电和扩散理论分析了辉光放电对碳纳米管生长速率的影响 ,结果表明在生长碳纳米管的过程中 ,由于辉光放电的产生 ,碳在催化剂中的活度得到增强 ,从而增大了碳纳米管的生长速率。     

等离子表面冶金技术的现状与发展

双层辉光离子渗金属技术已成功地在普通碳钢表面形成高速钢、其中包括时效硬化高速钢、不锈钢以及镍基合金等；该技术已成功地应用于手用锯条和机用锯条，使其齿部形成高速钢，锯条不仅具有高速钢的切削性能，而且柔韧不断;钛合金表面经离子渗钼等工处理后，Ti6Al4V的耐磨性得到大幅度提高;经离子渗铌等工艺处理后，TiAl金属间化合物的抗高温氧化性能明显改善。在双层辉光离子渗金属技术的基础上，又发展了加弧辉光离子渗金属，双辉钎焊技术，双阴极辉光放电超硬薄膜合成技术，以及陶瓷表面金属化和异性材料焊接技术等。     

射频辉光放电等离子体化学气相沉积类金刚石膜的性能研究

用自行设计的RF PCVD(射频辉光放电等离子体化学气相沉积 )设备沉积类金刚石膜 ,并对膜的力学、光学、化学性能进行了分析。表明用该设备制备的类金刚石膜具有显微硬度高、磨擦系数小、膜基结合力高、对红外有良好的增透性 ,并且耐磨耐蚀、化学稳定性好。     

316不锈钢表面沉积厚类金刚石膜层的性能研究

采用脉冲辉光放电等离子体气相沉积法在316不锈钢表面沉积膜层较厚的类金刚石膜层。利用拉曼光谱仪(Raman)、X射线光电子能谱仪(XPS)、傅里叶变换红外光谱仪(FT-IR)、光学显微镜、显微硬度计和摩擦磨损实验机分别对膜层组成和微观结构及机械性能进行了表征。研究发现,通过脉冲辉光放电等离子体气相沉积法,在316不锈钢表面制备的类金刚石膜层光滑致密;Raman分析得到的ID/IG和IT/IG比值分别为0.72和0.22;FT-IR分析可知膜层含有较多的CHx组成的sp3键;摩擦磨损试验得到膜层的摩擦系数低至0.100,XPS分析膜层sp3含量高达60.7%和光学显微镜测量膜层的厚度达到7mm。由此可知沉积类金刚石膜层后,可以显著地改善316不锈钢表面的机械性能。     

大气压氦气射频介质阻挡辉光放电的均匀性研究

为了研究大气压射频介质阻挡辉光放电的时空特性,采用一个表面覆盖有石英介质的铜电极和一个自制水电极的放电系统,在氦气中获得了大面积和较大电极间距下的辉光放电。对ICCD高速相机拍摄的径向放电图像和轴向放电图像分析揭示了射频介质阻挡辉光放电不仅具有较好的径向均匀性,而且具有很好的轴向均匀性,并不存在沿径向的发展。这是不同于中频介质阻挡辉光放电的一个显著特征。此外,注意到射频介质阻挡辉光放电在径向和轴向上的发展均与射频周期有很强的关联性。分析认为这是由于空间电荷在射频介质阻挡辉光放电的形成和发展中发挥主导作用。因此,可以认为射频介质阻挡辉光放电所具备非常好的径向和轴向均匀性,与中频介质阻挡辉光放电相比,可能会更有利于工业生产中进行均匀薄膜沉积和对薄膜表面改性处理等。     

理论分析辉光放电对碳纳米管生长速率的影响

利用负偏压增强热丝化学气相沉积，在沉积过渡层Ta和催化剂NiFe层的Si衬底上制备了碳纳米管，并用扫描电子显微镜研究了它们的形貌。发现辉光放电后，碳纳米管的平均长度比无辉光放电时大，并且随着负偏压的增大而增大，即辉光放电增大了它们的生长速率。结合辉光放电和扩散理论分析了辉光放电对碳纳米管生长速率的影响，结果表明在生长碳纳米管的过程中，由于辉光放电的产生，碳在催化剂中的活度得到增强，从而增大了碳纳米管的生长速率。