高度紧凑的车用棚级驱动IC

AUIR08152S缓冲栅级驱动器允许使用任何标准的小电流栅极驱动器、光电耦合器或CMOS隔离器来驱动开关应用中的大尺寸IGBT或MOSFET,有效地将低功率或功率不足的栅极驱动提升为大电流驱动系统。AUIR08152S采用紧凑的S08封装,这一高度集成的缓冲器IC可替代10个分立式元件,以实现更简单、小巧、坚固的系统设计。     

600V单通道高压端驱动IC

AUIRS2123S和AUIRS2124S高速功率MOSFET和IGBT驱动器符合AEC—Q100标准,可以提供10V至20V的栅极驱动电源电压。输出驱动器具有适用于最小驱动器跨导的高脉冲电流缓冲过程,而浮动通道可用来驱动在600V电压下工作的高压端配置的N沟道功率MOSFET或IGBT。这两种器件均具有负电压尖峰（V5）免疫性,可防止系统在大电流切换和短路情况下发生损坏事件。     

电源

车用三相栅极驱动ICAUIR S20302S能够驱动6个通过自举供应高侧驱动电路的N通道功率MOSFET或IGBT。该器件还具备嵌入式死区时间、防止交叉传导功能、以及配备诊断功能的欠压保护和过流保护。新器件采用专有的HVIC和锁存免疫CMOS技术,可以加固整体单片式结构。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出相兼容,低至3.3V逻辑。AUIR S20302S适合12V、24V和     

无刷直流电动机功率驱动电路设计

介绍IR2130功率MOSFET驱动器的特点,设计基于功率MOSFET和栅极驱动芯片IR2130的无刷直流电动机功率驱动电路,通过对驱动电路自举元件的合理选择以及寄生效应的正确分析和处理,实现无刷直流电机的电子换向和高效驱动,具有结构简单,工作稳定,保护可靠等优点.另外IR2130驱动芯片内置死区电路,以及过流保护和欠压保护等功能,大大降低了电路设计的复杂度,提高了系统的可靠性.     

IR推出汽车栅极驱动应用IC

国际整流器公司（InternationalRectifier，简称IR）推出AUIRS2117S和AUIRS2118S600VIC，适用于汽车栅极驱动应用，包括直喷装置和无刷直流电机驱动器。     

车用双低侧驱动IC

AUIRB24427S在整个温度范围内为每个通道提供超过6A的高输出电流,用于驱动采用模块和分立封装的大尺寸IGBT和MOSFET的栅极。由于该器件在开／关模式中的输出阻抗极低,功耗也非常低,因而可以在严苛环境和高温环境中操作,比如在混合动力电动汽车的电源级作为初级侧或次级侧驱动器。     

通用汽车驱动应用的AUIRS2301S 600 V IC

国际整流器公司（International Rectifier,简称IR）推出AUIRS2301S 600V IC,适用于汽车电机驱动、微型逆变器驱动和通用三相逆变器应用。 AUIRS2301S是一款坚固的通用驱动器,拥有独立的高侧和低侧参考输出通道,提供从5V到20V的栅极驱动电压。     

IR推出IRS44273L低侧栅极驱动IC

国际整流器公司(International Rectifier,简称IR)推出采用SOT-23-5L高精密封装的IRS44273L低侧栅极驱动IC,能够有效提供高驱动能力。IRS44273L易于使用,为IGBT及MOSFET栅极驱动器提供简便的解决方案,可以在最小的电路板上,提供典型1.5A拉电流和灌电流能力、快速开关性能及集成     

产品博览

IR推出1200V和600V高速栅极驱动集成电路系列功率管理技术公司IR日前发布了一系列带有完备保护功能的高压IGBT控制集成电路。与基于光耦或变压器的分立元件的传统方案相比,新方案除了功能先进之外,噪声免疫力更高,并将使用元器件数减少30%,占用的电路板面积缩减一半。新推出的IC系列包括1200V及600V的栅极驱动集成电路及电流传感接口集成电路,应用领域为换向电机     

集成专用驱动器在开关电源中的应用

介绍了开关电源中驱动部分的工作情况,集中说明了栅极专用驱动器IR2110的使用方法及其抗干扰措施。由于IR2110本身的缺陷,常规使用方法只能适合小功率场合,在中大功率场合根本无法使用。然而IR2110这款芯片具有较高的性价比,他完全可以驱动上千瓦的功率管。通过对IR2110芯片内部结构的了解和分析,得到几种新的外围电路,实验结果比较令人满意,介绍几种用于大功率场合的方法。     

信息报道

<正>IR推出1 200V和600V高速栅极驱动集成电路系列全球领先的功率管理技术公司IR日前发布了一系列带有完备保护功能的高压IGBT控制集成电路。与基于光耦或变压器的分立元件的传统方案相比,新方案除了功能先进之外,噪声免疫力更高,并将使用元器件数减少30%,占用的电路板面积缩减一半。新推出的IC系列包括1 200V及600V的栅极驱动集成电路及电流传感接口集成电路,应用领域为换向电机驱动器、通用换向电路、开关电源SMPS和     

用于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍有源电力滤波器设计中EXB841型绝缘栅场效应晶体管(IGBT)驱动器的驱动原理和电路特点,对IGBT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效办法。样机试运行证明此种设计方案可靠、有效。     

IR推出优化版车用DirectFET 2功率MOSFET芯片组

IR推出了一款优化版车用DirectFET 2功率MOSFET芯片组,适合内燃机、混合动力和电动车中的DC-DC应用。新型40 V逻辑电平栅极驱动芯片组包含AUIRL7732S2 MOSFET和AUIRL7736M2 MOSFET,有助于最大限度减少DC-DC转换器的开关和传导损耗。这些器件也可用于更普遍的重载应用,如泵和风扇的变频驱动器,以及替代接线盒应用中的继电器。     

使用电流感应IR212X栅极驱动IC

本文介绍包含电流感应功能的IR212X系列栅极驱动集成电路。     

IR21367在无刷直流电机控制中的应用

给出了一种应用栅极驱动器IR21367搭建的用于全桥式驱动无刷直流电机控制系统MOSFET实用驱动电路.试验结果表明通过该驱动电路可以得到满意的驱动波形,并使电机获得良好的运行特性.     

基于有源电力滤波器的IGBT驱动及保护研究

介绍了采用M57962L设计的有源滤波器中绝缘栅场效应晶体管（IGBT）驱动器的驱动原理和电路特点,对IG—BT的栅极驱动特性、栅极串联电阻进行了探讨,给出过流保护和过压吸收的有效方法。样机试验证明了此种设计方案可靠、有效。     

德州仪器MOSFET驱动器

德州仪器（TI）推出一款针对N通道互补驱动功率MOSFET的4A高速同步驱动器。TI的TPS28225驱动器以4．5V至8．8V电压控制MOSFET栅极，从而实现了高效率和低电磁卜扰（EMl），在7V至8V电压范围内时，器件效率达到最高。TPS28225实现了14ns自适应停滞时间控制、14ns传输延迟时间、2A大电流电源以及4A吸入驱动功能。针对较低栅极驱动器，驱动器的0．4欧姆阻抗可使功率MOSFET的栅极低于闽值电平，以确保高dV／dT相位节点转换时不会出现贯通电流。内部二极管充电的自举电容器使器件能在半桥配置下使用N通道MOSFET。     

Zetex推出新型高速栅极驱动器开关功率MOSFET及IGBT

Zetex日前推出用于开关电源和电机驱动的全新MOSFET及IGBT产品。这款型号为ZXGD3000的低成本双极栅极驱动器系列产品能灌人高达9A的电流,栅极电容的充、放电速度比栅极驱动器IC更快,有助于加快开关时间,提高电路效率。     

高功率纳秒级激光二极管高侧驱动电路

纳秒级高功率的激光发射系统对激光雷达的探测性能产生重要影响。本文对普遍使用的激光二极管低侧栅极驱动电路进行修改得到高侧栅极驱动方式,使之能够适用于共阴极激光发射电路。该高侧驱动方式采用了一个半桥驱动器,两个GaN FET作为核心器件来控制激光二极管的发光。文中分析了该拓扑结构中电压、电容、电阻、电感等因素对流经激光器电流波形的影响。经过实验测试,在高重复频率下该电路能够产生3.1 ns脉冲宽度,约65 W的峰值功率,能够作为激光雷达的发射模块对场景进行扫描成像。     

Diodes推出全新MOSFET栅极驱动器

2015年1月8日,Diodes公司推出一对额定值1 A的40 V紧凑型栅极驱动器—ZXGD3009E6及ZXGD3009DY,旨在控制板上和嵌入式电源以及电机驱动电路的高电流功率MOSFET。ZXGD3009E6(采用SOT26封装)和ZXGD3009DY(采用SOT363封装)可缩减MOSFET的开关时间,有助于尽量降低开