共查询到20条相似文献,搜索用时 15 毫秒
1.
在过去几年里,真空开关原理在中压系统中得到了广泛的认可。当控制大电路电流的真空断路器几乎都采用CuCr25(重量%)至CuCr50作为触头材料时,用于开合较低负载电流(如接触器)的真空灭弧室所选用的触头材料还未确定,这种材料也必须满足多次开合操作下的低烧蚀、低截流值、产生高频瞬态电压的可能性以及灭弧能力好等要求。人们不仅经常采用以难溶成份为基本组分的材料,如WCu、MoCu、WCAg等,而且似乎也在使用CuCr材料。本文的目的是研究这些材料在负载及超负载条件下的开断性能。实验是在合成试验电路中利用一个真空试验室进行的。试验室的触头处于有效值达7kA的燃弧电流,峰值为23kV的瞬态恢复电压的作用下。利用扫描电子显微镜,我们比较了各种触头材料的开断能力和燃弧后的触头表面状况。 相似文献
2.
本文分析了用于真空开关的触头材料的要求和性能;阐述了最近几年来常用于各种真空开关中的触头材料,如CuTeSe,CuCr和AgWC等;文章最后还介绍了国内外正在开发和研究的新触头材料情况。 相似文献
3.
在以Cu、CuCr(50/50)和AgWC为触头材料的真空开关管中进行了大量的开断实验,开断电流范围从2.5KA至32KA。 相似文献
4.
在一种特殊的中压线路中,可对使用两种触头材料;AgWc和CuCr的真空灭弧室在高频真空电弧电流过零后的重燃原理进行实验研究。该线路采用“综合试验”原理。 相似文献
5.
6.
本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值7~12mA的1.3μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值9~15mA的1.55μm量子阶激光器以及高功率1.3μm量子阱发光二极管和InGaAsPIN光电探测器. 相似文献
7.
8.
9.
借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
10.
硅基GaAs/GaAlAs平面光波导的研究 总被引:1,自引:0,他引:1
分析了金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)GaAs/GaAsAl/GaAs/Si材料结构的性能,用MOCVD法地硅衬底上生长了GaAs/GaAsAl/GaAs材料,并用这种材料制备了平面光波导样品,测定了1.3μm,单模激光的传输损耗小于0.65dB/cm。 相似文献
11.
用法国进口的GaAsVPE设备,采用AsCl)3/H_2/Ga体系,以SnCl_4l/AsCl_3为掺杂液,生长了2英寸多层GaAs外延材料,自行设计了反应器的热场分布,在反应器中增加了合适的搅拌器,用以改变反应器中气体流动情况。GaAs外延层的浓度均匀性与厚度均匀性均小于5%。浓度均匀性的最佳值为3.7%,厚度均匀性的最佳值为1.5%,当外延层载流子浓度为1.9×10 ̄(17)cm ̄(-3)时,室温迁移率达到4390cm ̄2/V·s。 相似文献
12.
本文描述真空开关管中具有放大了的纵向磁场触头的设计。规定的级向磁场的磁感应达10mT/kA,这是大电流电弧由聚集型向准扩散型转化时间减少的缘故。触头表面的电弧运动由聚集型向准扩散型墨迹的横向磁场来控制。两种大电流电弧模型都可以降低触头分离速度。在单相实验中,直径约70mm的触头可分断25-27kA的电流,其分离速度为1.1m/s和0.8m/s,50Hz,恢复电压为35kV。 相似文献
13.
本文介绍了一种对真空微电子器件进行电特性数值模拟的有限差分法。计算了场致发射电流与锥体的曲率半径r_(tip)、锥体半角度θ_(1/2)、栅孔半径r_g和锥体高度h的依赖关系。栅压V_g=100V,锥体发射阴极对曲率半径r_(tip)、栅孔半径r_g的电流灵敏度分别是3.7×10 ̄7A/nm和1.1×10 ̄3A/μm。 相似文献
14.
利用同步辐射光电发射研究了Cr/GaAs(100)界面形成和结构.室温下,当Cr覆盖度低于0.2nm时,Cr与GaAs衬底的作用很弱,没有反应产物生成.覆盖度高于0.2nm时,开始发生界面扩散和反应,As原子与Cr生成稳定的CrAs化合物,而Ga原子则与Cr形成组分变化的CrGa合金相,并居于界面处.提高界面形成温度可显著地加剧界面混合和反应,引起表面偏析As的出现.芯能级谱的结合能与强度分析表明,反应产物可作为有效的势垒(化学陷阱),阻止衬底的Ga的外扩散.此外还比较了Cr与GaAs(100)及GaAs 相似文献
15.
真空灭弧室间隙在短路开断后的介质恢复情况进通过电流过零后施加几十微秒的过量瞬态恢复电压(TRV)来测量的。由于成分、气体含量和制造方法的变化,我们在试验中采用了CuCr触头材料。间隙故障或是因纯介质造成的或是由有效弧后电流控制的。在试验中,我们找到了造成故障的弧后电流、最终介质恢复和材料烧蚀率之间的关系。明显迹象表明所有这些现象都是由聚集型旋转电弧引起的金属蒸汽压力上升所所支配的,从这些试验中看出 相似文献
16.
我们用触头材料为CuW和CuCr的24KV真空开关管进行了井联电容器开断试验。结果表明:CuW触头的重击穿概率比CuCr触头的低。除大电流开断能力外,对地并联电容器的开断,CuW也是一种优选触头材料。CuW触头34KV-25KA真空开关管重击穿概率的计算结果为10^-3,而实际上为零。 相似文献
17.
CATV网路雷患与对策探讨441300随州市广播电视局曾祥书雷电对有线电视系统的破坏作用是雷电流引起的。雷电流是一种幅值极大、作用时间极短的瞬变电流。其幅度典型值为10~20kA,最大可达300kA。雷电流的上升速度用α=di/dt(kA/μs)表示... 相似文献
18.
准分子激光扫描淀积PZT/YBCO结构铁电薄膜 总被引:2,自引:1,他引:1
利用脉冲准分子激光(工作气体XeCl,波长308nm,脉宽28ns)在外延YBCO/LaAlO3(100)单晶基片上淀积了Pb(Zr0.55Ti0.45)O3铁电薄膜,YBCO薄膜既为生长高取向PZT薄膜提供了晶体匹配条件,同时也为PZT铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用X射线衍射表征了该多层膜的晶相结构,扫描电镜观察其表面形貌。PZT铁电薄膜的剩余极化为21μC/cm2,矫顽场为65kV/cm。 相似文献
19.
本文主要分析和探讨了用于浸渍法制造真空灭弧空触头材料的多孔骨架烧结工艺。文中首先阐述了多孔骨架烧结过程的特点,其次论述了多孔骨架烧结的方法和工艺,最后还介绍了几种典型金属的多孔骨架烧结,并例举了目前常用的CuCr触头材料Cr粉颗粒烧结多孔骨架直至CuCr合金触头材料的制成过程。 相似文献