真空灭弧室各种触头材料在开合负载条件下的性能

在过去几年里,真空开关原理在中压系统中得到了广泛的认可。当控制大电路电流的真空断路器几乎都采用ＣｕＣｒ２５（重量％）至ＣｕＣｒ５０作为触头材料时,用于开合较低负载电流（如接触器）的真空灭弧室所选用的触头材料还未确定,这种材料也必须满足多次开合操作下的低烧蚀、低截流值、产生高频瞬态电压的可能性以及灭弧能力好等要求。人们不仅经常采用以难溶成份为基本组分的材料,如ＷＣｕ、ＭｏＣｕ、ＷＣＡｇ等,而且似乎也在使用ＣｕＣｒ材料。本文的目的是研究这些材料在负载及超负载条件下的开断性能。实验是在合成试验电路中利用一个真空试验室进行的。试验室的触头处于有效值达７ｋＡ的燃弧电流,峰值为２３ｋＶ的瞬态恢复电压的作用下。利用扫描电子显微镜,我们比较了各种触头材料的开断能力和燃弧后的触头表面状况。     

用于真空开关的触头材料

本文分析了用于真空开关的触头材料的要求和性能；阐述了最近几年来常用于各种真空开关中的触头材料，如ＣｕＴｅＳｅ，ＣｕＣｒ和ＡｇＷＣ等；文章最后还介绍了国内外正在开发和研究的新触头材料情况。     

真空断路器的大电流开断

在以Ｃｕ、ＣｕＣｒ（５０／５０）和ＡｇＷＣ为触头材料的真空开关管中进行了大量的开断实验，开断电流范围从２．５ＫＡ至３２ＫＡ。     

使用AgWc和CuCr触头材料的真空灭弧室在高频电流过零时的重燃型式

在一种特殊的中压线路中，可对使用两种触头材料；ＡｇＷｃ和ＣｕＣｒ的真空灭弧室在高频真空电弧电流过零后的重燃原理进行实验研究。该线路采用“综合试验”原理。     

用强流金属离子源研究Ti－Si化合物的形成

利用金属蒸汽真空弧（ＭＥＶＶＡ）离子源引出强流Ｔｉ离子注入单晶硅，当ＭＥＶＶＡ源引出电压为４０ｋＶ，束流密度达到１００μＡ／ｃｍ２，Ｔｉ离子剂量为５×１０１７／ｃｍ２，Ｔｉ离子注入单晶硅可得到Ｃ５４－ＴｉＳｉ２的注入层，且薄层电阻低于３．０Ω／□．本文用束流热效应讨论了形成硅化物的机理．     

低压MOCVD外延生长InGaAsP／InP应变量子阱材料与器件应用

本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积（ＬＰ－ＭＯＣＶＤ）外延生长ＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ应变量子阶材料，材料参数与外延条件的关系，量子阱器件的结构设计及其器件应用．用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于４００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值７～１２ｍＡ的１．３μｍ量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于６００Ａ／ｃｍ２（腔长４００μｍ），ＤＣ－ＰＢＨ结构阈值９～１５ｍＡ的１．５５μｍ量子阶激光器以及高功率１．３μｍ量子阱发光二极管和ＩｎＧａＡｓＰＩＮ光电探测器．     

脉冲激光淀积高电流密度的YBCO超导带材

采用脉冲激光加辅助离子源的方法在长为６．０ｃｍ的ＮｉＣｒ合金基带上制备０．１３μｍ厚的Ｙ－ＺｒＯ２（ＹＳＺ）隔离层，再用脉冲激光在ＹＳＺ／ＮｉＣｒ带上制备１．５μｍ厚的ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ超导厚膜形成ＹＢＣＯ／ＹＳＺ／ＮｉＣｒ超导带材。实验测得在７７Ｋ，０Ｔｅｓｌａ下其临界电流密度为８．７５×１０４Ａ／ｃｍ２，超导转变温度为８８．６Ｋ。     

Eu3+配合物红色有机电致发光器件

合成了一种新型的Ｅｕ＾３＋配合物－Ｅｕ（ＢＡ）２（ＭＡＡ）（Ｐｈｅｎ）,并将其作为红光发射材料制备了结构为Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／Ｅｕ（ＢＡ）２（ＭＡＡ）（Ｐｈｅｎ）／Ａ１ｒ的有机电致发光薄膜器件。这种材料具有很强的荧光和很好的单色性且比较强的电致发光。器件的开戾电压为１２Ｖ。在电压为２６Ｖ的正向驱动下,器件的亮度为１５ｃｄ／ｍ＾２,发光效率为０．２５１ｍ／Ｗ。结合测量粉末、薄膜状态下的荧光光谱、激发     

AlGaAs／InGaAs功率PHEMT用异质材料的计算机优化与器件实验结果

借助一新的工艺模拟与异质器件模型用ＣＡＤ软件──ＰＯＳＥＳ（Ｐｏｉｓｓｏｎ－ＳｃｈｒｏｅｄｉｎｇｅｒＥｑｕａｔｉｏｎＳｏｌｖｅｒ），对以ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ异质结为基础的多种功率ＰＨＥＭＴ异质层结构系统（传统、单层与双层平面掺杂）进行了模拟与比较，确定出优化的双平面掺杂ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ异质结构参数，并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算，用于指导材料生长与器件制造。采用常规的ＨＥＭＴ工艺进行ＡｌＧａＡｓ／ＩｎＧａＡｓ功率ＰＨＥＭＴ的实验研制。对栅长０．８μｍ、总栅宽１．６ｍｍ单胞器件的初步测试结果为：ＩＤｓｓ２５０～４５０ｍＡ／ｍｍ；ｇｍ０２５０～３２０ｍＳ／ｍｍ；Ｖｐ－２．０－２．５Ｖ；ＢＶＤＳ５～１２Ｖ。７ＧＨｚ下可获得最大１．６２Ｗ（功率密度１．０Ｗ／ｍｍ）的功率输出；最大功率附加效率（ＰＡＥ）达４７％。     

硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究

分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法地硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测定了１．３μｍ，单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ。     

2英寸高均匀性GaAs多层外延材料

用法国进口的ＧａＡｓＶＰＥ设备，采用ＡｓＣｌ）３／Ｈ＿２／Ｇａ体系，以ＳｎＣｌ＿４ｌ／ＡｓＣｌ＿３为掺杂液，生长了２英寸多层ＧａＡｓ外延材料，自行设计了反应器的热场分布，在反应器中增加了合适的搅拌器，用以改变反应器中气体流动情况。ＧａＡｓ外延层的浓度均匀性与厚度均匀性均小于５％。浓度均匀性的最佳值为３．７％，厚度均匀性的最佳值为１．５％，当外延层载流子浓度为１．９×１０￣（１７）ｃｍ￣（－３）时，室温迁移率达到４３９０ｃｍ￣２／Ｖ·ｓ。     

真空开关管加强型磁场触头

本文描述真空开关管中具有放大了的纵向磁场触头的设计。规定的级向磁场的磁感应达１０ｍＴ／ｋＡ，这是大电流电弧由聚集型向准扩散型转化时间减少的缘故。触头表面的电弧运动由聚集型向准扩散型墨迹的横向磁场来控制。两种大电流电弧模型都可以降低触头分离速度。在单相实验中，直径约７０ｍｍ的触头可分断２５－２７ｋＡ的电流，其分离速度为１．１ｍ／ｓ和０．８ｍ／ｓ，５０Ｈｚ，恢复电压为３５ｋＶ。     

真空微电子器件的数值模拟

本文介绍了一种对真空微电子器件进行电特性数值模拟的有限差分法。计算了场致发射电流与锥体的曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、锥体半角度θ＿（１／２）、栅孔半径ｒ＿ｇ和锥体高度ｈ的依赖关系。栅压Ｖ＿ｇ＝１００Ｖ，锥体发射阴极对曲率半径ｒ＿（ｔｉｐ）、栅孔半径ｒ＿ｇ的电流灵敏度分别是３．７×１０￣７Ａ／ｎｍ和１．１×１０￣３Ａ／μｍ。     

Cr/GaAs(100)界面形成和界面反应的SRPES研究

利用同步辐射光电发射研究了Ｃｒ／ＧａＡｓ（１００）界面形成和结构．室温下，当Ｃｒ覆盖度低于０．２ｎｍ时，Ｃｒ与ＧａＡｓ衬底的作用很弱，没有反应产物生成．覆盖度高于０．２ｎｍ时，开始发生界面扩散和反应，Ａｓ原子与Ｃｒ生成稳定的ＣｒＡｓ化合物，而Ｇａ原子则与Ｃｒ形成组分变化的ＣｒＧａ合金相，并居于界面处．提高界面形成温度可显著地加剧界面混合和反应，引起表面偏析Ａｓ的出现．芯能级谱的结合能与强度分析表明，反应产物可作为有效的势垒（化学陷阱），阻止衬底的Ｇａ的外扩散．此外还比较了Ｃｒ与ＧａＡｓ（１００）及ＧａＡｓ     

真空灭弧室CuCr触头在短路开断后的介质恢复特性

真空灭弧室间隙在短路开断后的介质恢复情况进通过电流过零后施加几十微秒的过量瞬态恢复电压（ＴＲＶ）来测量的。由于成分、气体含量和制造方法的变化，我们在试验中采用了ＣｕＣｒ触头材料。间隙故障或是因纯介质造成的或是由有效弧后电流控制的。在试验中，我们找到了造成故障的弧后电流、最终介质恢复和材料烧蚀率之间的关系。明显迹象表明所有这些现象都是由聚集型旋转电弧引起的金属蒸汽压力上升所所支配的，从这些试验中看出     

CuW触头真空开关管的电容器开断能力

我们用触头材料为ＣｕＷ和ＣｕＣｒ的２４ＫＶ真空开关管进行了井联电容器开断试验。结果表明：ＣｕＷ触头的重击穿概率比ＣｕＣｒ触头的低。除大电流开断能力外，对地并联电容器的开断，ＣｕＷ也是一种优选触头材料。ＣｕＷ触头３４ＫＶ－２５ＫＡ真空开关管重击穿概率的计算结果为１０＾－３，而实际上为零。     

CATV网路雷患与对策探讨

ＣＡＴＶ网路雷患与对策探讨４４１３００随州市广播电视局曾祥书雷电对有线电视系统的破坏作用是雷电流引起的。雷电流是一种幅值极大、作用时间极短的瞬变电流。其幅度典型值为１０～２０ｋＡ，最大可达３００ｋＡ。雷电流的上升速度用α＝ｄｉ／ｄｔ（ｋＡ／μｓ）表示...     

准分子激光扫描淀积PZT/YBCO结构铁电薄膜

利用脉冲准分子激光（工作气体ＸｅＣｌ，波长３０８ｎｍ，脉宽２８ｎｓ）在外延ＹＢＣＯ／ＬａＡｌＯ３（１００）单晶基片上淀积了Ｐｂ（Ｚｒ０．５５Ｔｉ０．４５）Ｏ３铁电薄膜，ＹＢＣＯ薄膜既为生长高取向ＰＺＴ薄膜提供了晶体匹配条件，同时也为ＰＺＴ铁电薄膜提供了下电极。讨论了工艺参数对晶相结构和表面形貌的影响。用Ｘ射线衍射表征了该多层膜的晶相结构，扫描电镜观察其表面形貌。ＰＺＴ铁电薄膜的剩余极化为２１μＣ／ｃｍ２，矫顽场为６５ｋＶ／ｃｍ。     

真空灭弧室触头材料的多孔骨架烧结工艺分析

本文主要分析和探讨了用于浸渍法制造真空灭弧空触头材料的多孔骨架烧结工艺。文中首先阐述了多孔骨架烧结过程的特点，其次论述了多孔骨架烧结的方法和工艺，最后还介绍了几种典型金属的多孔骨架烧结，并例举了目前常用的ＣｕＣｒ触头材料Ｃｒ粉颗粒烧结多孔骨架直至ＣｕＣｒ合金触头材料的制成过程。     

The Studies of Cr/GaAs(100) Interface by Sr-Photoemission

ＴｈｅＳｔｕｄｉｅｓｏｆＣｒ／ＧａＡｓ（１００）ＩｎｔｅｒｆａｃｅｂｙＳｒＰｈｏｔｏｅｍｉｓｉｏｎＦ．Ｐ．Ｚｈａｎｇ１Ｐ．Ｓ．Ｘｕ１Ｓ．Ｈ．Ｘｕ１Ｅ．Ｄ．Ｌｕ１Ｘ．Ｊ．Ｙｕ１Ｙ．Ｍ．Ｓｕｎ１Ｔ．Ｐ．Ｚｈａｏ２（１ＮａｔｉｏｎａｌＳｙｎｃｈｒｏｔｒ...