ICP-MS检测多晶硅基体中痕量元素分析的影响因素与控制措施

高纯多晶硅中的痕量杂质能够影响多晶硅的少子寿命,影响多晶硅的光学电学性能,所以,检测控制多晶硅中痕量杂质是保证多晶硅质量的重要指标。为保证高纯多晶硅中痕量元素的检测准确性,对实验过程中涉及到的水、容器、温湿度等因素进行研究,以确定这些因素的影响。结果表明:使用聚四氟乙烯材质的容器能够降低空白值,使用Milli-Q制水机制出的超纯水中的杂质比厂区生产的纯水低等。同时,对实验容器的清洗,溶剂的选择,人员的优化提出了相应的控制措施,确保所用的器皿、试剂等不受污染,尽量减小空白值。     

三氯氢硅制备工艺研究进展

高纯多晶硅生产过程中最重要的原料就是三氯氢硅(SiHCl3),近年来随着光伏产业得迅猛发展,SiHCl3的价格也相应地水涨船高,近几年的平均报价已经超过8000元/t.由此可见,如果多晶硅工厂通过外购而不是自产SiHCl3,其成本是何其之大.若增加制备SiHCl3的工序,不仅可降低多晶硅生产成本,更重要的是,使整个多晶硅生产实现闭环生产成为了可能.而且,SiHCl3制备工序可以根据其工艺特点承担整个多晶硅生产的尾气回收再利用和少量废气的回收处理,基本实现最低成本和零污染.由此可见SiHCl3制备工艺对整个多晶硅生产的重要性.     

软包装薄膜的异味分析

在软包装中来源于薄膜的异味是很难分析和处理的。特别是当包装纯水、牛奶、咖啡、巧克力等这些对异味极为敏感的产品时,膜中的异味就显得非常重要。目前对异味的鉴别主要是靠人的主观判断,最终用统计学的方法来得出结论。仪器只能对某种物质含量相对高时比较有用,但对微量的检验还无能为力。     

某多晶硅工厂损坏工艺管道的修复方法

多晶硅生产中,管道损坏事故经常会发生,但多晶硅产品纯度高,工艺管道洁净要求严格,如何快速,准确采取损坏管道的修复方法即成为为多晶硅行业生产中一项课题。通过一起某多晶硅工厂工艺管道损坏后采取的修复方法和说明,对多晶硅行业的管道施工或修复提供了积极借鉴参考。     

软包装薄膜的异味析

在软包装中来源于薄膜的异味是很难分析和处理的。特别是当包装纯水、牛奶、咖啡、巧克力等这些对异味极为敏感的产品时，膜中的异味就显得非常重要。目前对异味的鉴别主要是靠人的主观判断，最终用统计学的方法来得出结论。仪器只能对某种物质含量相对高时比较有用，但对微量的检验还无能为力。     

制药纯水生产及验证

药品生产过程中，符合要求的纯水是至关重要的，本文介绍了制药纯水相关的验证文件包，以及在纯水生产中应该注意的问题。[编者按]     

气体中微量水份的测定—露点法和氧化铝电容法

前言在半导体材料及电子器件生产中,要用到诸如氢、氮、氧、氩和氦等高纯气体,气体纯度严重影响产品质量。如氢、氮等气体及其流经的系统中的水份和氧,对硅及Ⅲ-V族化合物是极其有害的杂质。在硅外延工艺中,氢中水份达100vpm时,硅外延层会变成多晶结构。在MOS大规模集成电路的硅栅多晶薄膜工艺中,若稀释气体中含有微量水份,使多晶硅薄膜中夹有“氧化硅集团”,从而在刻蚀多晶硅薄膜时,造成多晶硅脱落,致使电学性能变坏。由上可知,对高纯气体及其流经系统中的微量氧和水份必须进行监测和控制。     

兴建年产一千吨电子级多晶硅工厂的思考

文章简要评述了世界以及中国的电子级多晶硅的生产能力和市场需求。在2000年和2010年中国对多晶硅的需求分别是736t/a和1304t/a。但近几年中国的多晶硅生产仅达到80t/a,所以在中国建设一座年产1000t电子级多晶硅的工厂是很合理的。然而由最新统计数据可知,自1997年以来,世界多晶硅生产能力连年均超过市场需求,而且在最近的将来,这一趋势将会继续。为了占领国内多晶硅市场,未来的多晶硅工厂将面临挑战,产品质量和生产成本是应当考虑的最重要指标。为了占领国内市场,在保证多晶硅产品纯度的前提下,生产成本只能略微超过20美元/kg。     

气体中微量水份的测定一露点法和氧化铝电容法

在半导体材料及电子器件生产中，要用到诸如氢、氮、氧、氩和氦等高纯气体，气体纯度严重影响产品质量。如氢，氮等气体及其流经的系统中的水份和氧，对硅及Ⅲ一V族化合物是极其有害的杂质。在硅外延工艺中，氢中水份达100vpm时，硅外延层会变成多晶结构。在MOS大规模集成电路的硅栅多晶薄膜工艺中，若稀释气体中含有微量水份，使多晶硅薄膜中夹有“氧化硅集团”，从而在刻蚀多晶硅薄膜时，造成多晶硅脱落，致使电学性能变坏。由上可知，对高纯气体及其流经系统中的微量氧和水份必须进行监测和控制。     

综合利用副产物SiCl4氢还原生产多晶硅

随着我国近年来多晶硅生产规模急剧扩大,副产物SiCl4产生的数量将是一个非常庞大的数字,如果不能充分利用,采取自由排放,将可能产生环境灾难和巨大资源浪费。因此生产多晶硅的企业,必须现在就考虑对SiCl4副产物的处理问题,这个问题可以说是关系多晶硅生产企业“生死存亡”的大问题。     

专利技术

本发明涉及太阳能光伏技术领域，公开了一种多晶硅生产方法及其装置。本发明中，包含两条工艺线，工艺线I：SiCl4和H2按一定摩尔配比，生成硅Si和氯化氢HCl；工艺线II：Si—HCl3和H2按一定摩尔配比，生成Si、HCl和SiCl4。由于直接利用副产物SiCl4作为生产原料，降低了多晶硅生产原料成本，同时解决了多晶硅生产副产物SiCl4处理费用高，难度大等问题，进一步有效降低了多晶硅生产厂家的生产成本。     

保障多晶硅的高效生产

像巴西一样，卡塔尔也在举办世界杯足球赛的体育场中为球迷们准备了光伏太阳能空调设备。生产光伏太阳能制冷设备所需的多晶硅是一个高清洁度的化工产品生产过程。为了保证多晶硅生产设备工作的可靠性和高效率，使用了新一代高可靠性的换热器。     

多晶硅还原炉自动控制电流新方法探讨

为了解决多晶硅生产过程中众多不确定因素引起的温度、电流波动等问题,笔者有针对性地研究了多晶硅生产过程有效控制的方法,用于预测与修正自动控制电流,使多晶硅生长过程能稳定地进行晶体生长。多晶     

2008年实现万t多晶硅产能

瓦克有三个业务部门与硅材料有关，即瓦克多晶硅、世创电子材料和瓦克有机硅。 瓦克多晶硅生产的超纯多晶硅是半导体和太阳能市场所必需的基础材料。为了满足全球迅速增长的对超纯多晶硅的需求，瓦克多晶硅正不断地扩充其在德国博格豪森生产基地的生产规模。2005年，瓦克的多晶硅年产量达到5500t，并将进一步提升生产能力，力争在2008年初实现约10000t的年生产能力，     

太阳能级多晶硅生产与发展概况

针对光伏产业太阳能级多晶硅在全球范围内供不应求的局面和国内外多晶硅产业发展现状,对高纯多晶硅的主要制备方法和一些制备提纯的新工艺进行了综述和分析,介绍了国内外太阳能级多晶硅的生产与发展进展,同时概述了当前国内外高纯硅材料的回收再利用情况,最后简要介绍了在废弃电子级硅片方面初步开展的回收处理研究及有关工作.     

在线电导率仪的检定

近年来,科学技术突飞猛进,很多行业都需要使用高纯度的纯水,它们在生产和质控过程中,逐渐要求对纯水的纯度进行在线监测,于是用于监控水质的在线电导率仪大量涌现。而对纯水的监测准确与否直接影响产品的质量,所以在线电导率仪的检定又显得尤其重要。现行的JJG376 - 1985《电导     

多晶硅循环生产节能装置又一关键设备实现国产化

<正>四氯化硅是西门子法多晶硅生产中副产物,其循环使用是长期制约我国多晶硅低成本生产的关键因素,但其氢化条件苛刻,温度在520~580℃,压力2.5~3.8MPa,临氢,循环生产周期短,需3个月~6个月检修和更换,生产效率低下,其更换更带来大量的三废排放,给环境带来污染。在我国,如何高效、稳定运行多晶硅循环生产的多晶硅冷氢化装置,一直是业界     

纯水和超纯水的灭菌大行动——解决工业纯水和超纯水生产中的细菌孳生问题

在工业纯水和超纯水生产设备的使用过程中，必须注意各种不同的生产问题：预处理、生产、消毒以及存储和运输等对最终产品质量具有重要影响作用的环节。因此，需要采用各种药剂，避免细菌孳生。     

现代高纯水

论述了超大规模集成电路与高纯水的关系以及对水质的要求;研究了高纯水制备的几个关键新技术及提高高纯水质量的方法,该方法能有效地降低高纯水中的总有机碳、细菌、细菌内毒素、溶解氧等;讨论了高纯水常用各种管材的污染,并列举了大量数据和应用实例。     

打破国外封锁，国产多晶硅大还原炉试验成功

据报导，中国第一台12对棒多晶硅高效节能大还原炉最近在河南洛阳中硅高科技有限公司试验成功，各项技术指标均达到国际先进水平。至此，由美国、日本、德国等国的7家公司垄断20余年的多晶硅生产核心技术被中国人掌握了12002年我国国内