中流强注入机的弗瑞曼离子源

一、引言离子注入在半导体工业、金属材料改性的研究,特别是在大规模集成电路的研制中得到了广泛的应用。我们这台离子源是为中流强离子注入机研制的,它的设计指标是:1.气、固两用离子源,固体工作温度为250-800℃。2.分析后接收~(11)B~+≥500μA,横向张角(发散束)α≤±3°,纵向张角(会聚束)β≤±1°。3.在~(11)B~+=500μA下灯丝寿命为10小     

ECR离子源束流发射度测量系统设计

为了实现ECR离子源束流发射度的精确、可靠测量,同时实现将系统中不同设备的控制测量数据统一显示到操作界面,基于EPICS软件系统,开发完成了双狭缝电机运动控制和PXI板卡的数据采集的发射度测量系统。采用LabVIEW软件的DSC模块实现对束流流强的PV变量发布;基于StreamDevice开发了电机运动控制IOC程序。整套系统运行稳定可靠、使用方便,满足离子源束流发射度的测量要求。     

尼尔逊离子源重离子束流的发射度

尼尔逊离子源已广泛地应用于重离子加速器、同位素分离器及研究用离子注入机。用于C-600离子注入机的尼尔逊离子源,目前已获得达100μA的三十余种重离子束,其中有近二十种固体元素。     

强激励单透镜的象差特性及其在离子源能散测量中的应用

一、相空间中的等角等高曲线族对于强激励单透镜,因象差展开式中的高阶项不能忽略,故计算与分析的工作量均变大,且展开法的结果也不直观。而象面相空间中的等角等高曲线族可以反映出直至高阶的几何象差的总体作用,我们可惜此在任选的物面与接收平面之间进行任意发射图形的变换。     

纵向高斯型密度分布下电荷束团的自场能与发射度增长

在直线加速器中纵向高斯型密度分布的假定下，推得了纵向高斯型密度分布与横向密度分布分别为均匀型（Ｋ－Ｖ）、水袋型（ＷＢ）、抛物线型（ＰＡ）和高斯型（ＧＡ）相组合情况下的非均匀密度分布的自场能公式及相应的束流发射度增长；并且通过数值计算，给出了束团自场能及发射度随加速器和束团参数变化的图表。     

束流能散度和传输管道孔径变化对束流尾场效应的影响

采用双粒子模型，讨论了束流能散度和传输管道孔径变化对由第一个宏粒子产生的束流尾场的影响。并将所得的计算尾场效应的公式，变换成六维传输矩阵的形式，使之能用于束流传输系统的模拟计算。     

阴极有半圆柱形凹槽的非对称磁控管型H~-离子源的试验研究

一、前言国内唯一的一台标准磁控管型H~-离子源已在1983年完成了桌上试验研究,达到了预期的指标。试验中发现,该源按弧功率估算应能引出更多的H~-束流(>50mA),H~-束流的引出除受该装置引出电压(<18kV)的限制外,阴极表面利用系数低也限制了H~-束流的引出,为提高源的效率,引用了阴极-阳极引出狭缝形状聚焦技术,试制了一个带半圆     

低发射度L波段光阴极微波电子枪物理设计

太赫兹(THz)光源对电子束的能量、能散及发射度有极高要求,研发高性能电子源是基于自由电子激光(Free Electron Laser,FEL)的THz光源的重要挑战。对电子腔中束团发射度增长机制的研究,有助于设计针对有效的发射度补偿方案。本文首先描述了L波段光阴极微波电子枪腔的设计,利用POISSON Superfish软件给出了腔内电磁场分布,详细分析了束流发射度增长的因素,讨论发射度补偿原理。由此提出基于主副螺线管线圈抑制发射度增长的补偿方案,并用ASTRA程序对补偿效果进行模拟计算。结果表明,采用该补偿方案后,电子腔输出束团的能散和发射度有显著改善,达到THz光源对于电子源的要求。