多层集成三维微波结构的全波分析

本文基于三维频域有限差分法(FDFD)建立了多层微波集成无源电路及互连结构的全波分析通用软件.对一些典型的无源器件,例如微带滤波器和通孔的S参数的全波分析结果与有关文献对比一致,验证了该方法的正确性.在结构离散化过程中采用了非均匀网格剖分并且在网格截断边界上联合采用了三种吸收边界条件,以最大限度地压缩形成的稀疏矩阵的阶数.对稀疏矩阵方程采用压缩存储技术和快速迭代解法,以有效地减少所需内存和计算时间.     

光学多层介质膜与多量子阱集成器件

本文采用光学传输矩阵元的方法设计了一种集成型反射式多量子阱器件,并给出了理论计算结果。采用MOCVD生长方法制作了该器件,它由n型多层增透介质膜、i型多量子阱、p型多层高反射率介质膜所组成。测试了该器件的光电流谱和反射率谱,并与理论结果作了比较,二者附合得很好。这种器件可以发展成兼具调制、开关、双稳复合功能的反射式集成器件。     

多层结构氧化锌薄膜制备

介绍了高频声体波微波延迟线用多层结构氧化锌薄膜的制作方法，并对这种交替排列不同结晶取向的多层氧化锌薄膜的微观结构、成膜机理进行了分析和阐述。用具有不同机电耦合系数、厚度为半波长的交替排列多层氧化锌薄膜制成了中心频率为８ＧＨｚ的声体波微波延迟线。同时亦给出了这种新结构的氧化锌压电材料的生长条件及相应的实验结果     

基于多层快速多极子算法分析平面多层结构

由于多层平面结构空域闭式格林函数难以用加法定理展开,因此,将多层快速多极子算法推广到该类问题的分析存在一定困难.采用二级离散复镜像技术,获得了多层介质空域格林函数,通过对其表达形式做简单的改写,提出针对多层平面结构的多层快速多极子算法,详细讨论了加法定理展开条件对离散复镜像系数的影响及处理办法.数值算例验证了本文方法的准确性和有效性.     

基片集成波导多层转换器的设计与仿真

基片集成波导（Substrate Integrated Waveguide,SIW）是可以集成于介质基片中的具有低插损、低辐射、高功率容量等特性的新的导波结构,易于设计、加工,并可方便地实现与微带线、共面波导等平面传输线的集成。然而,一个非常重要的问题就是它与其它形式的传输线之间的过渡问题。文中给出了两种异面多层转换结构。新结构的仿真结果均表现出良好的传播特性,且较传统共面转换结构更为紧凑,便于微带集成电路系统的应用。     

小型化T 隔板多层基片集成波导滤波器设计

基于LTCC 工艺设计并制作了一种多层T 隔板基片集成波导(TSSIW)滤波器。该滤波器以TSSIW 谐振腔为基础,利用其灵活的同层与异层的耦合方式实现四阶交叉耦合结构,并节省60% 以上的电路面积。实验结果显示滤波器中心频率为9. 4 GHz,工作带宽为500 MHz,通带最小插入损耗小于2. 5 dB,回波损耗优于15 dB,表明该滤波器具有体积小、易于集成的特点,同时保持了TSSIW 优秀的频率选择性和寄生响应。     

多层封装结构中的电阻计算

本文介绍一种结合矩量法的边界元分析法，用于计算多层封装结构中，具有任意边界形状的均匀导体平面上各接触点之间的等效电阻网络。     

电力管理信息系统多层结构实现方法

结合电力管理的特点,采用C／S（客户／服务器）与B／S（浏览器／服务器）混合方式作为电力管理信息系统的运行模式,对于电力企业中比较集中的业务管理如系统管理、售电管理等,采用C／S结构,而对于业务比较分散的管理如配电设备管理、配电设备检修等,采用B／S模式。系统设计过程中,同时采用组件技术,将系统中涉及的公用业务逻辑抽象出来,形成业务组件,有利于系统今后因业务管理的变更而引起的系统修改及系统升级。基于Delphi开发平台详细给出了系统实现方法。     

实现多层外延结构的程序设计

本文给出了使用Ｇｅｍｉｎｉ－１型外延炉生产硅外延片时，实现外延层掺杂浓度多层分布的程序。     

多层结构加强光子探测器性能

普林斯顿大学的研究者利用多层堆栈结构将有机光子探测材料可获得的带宽和量子效率分别提高大约430 MHz和75%。他们装置的工作区域是由生长于一厚度为150 nm的铟锡氧化物阳极层位于玻璃衬底上透明)上,苯二甲蓝铜染料(CuPc)和3,4,9,10-perylenetertracarboxylic双苯并咪唑这两种材料层面交替而成。工艺中先将CuPc层长在阳极上,整个层结构厚度为32 nm。两种交替覆盖的材料层各占总数一半,合计64层。基于小分子多层有机细薄膜的光子探测器结构提供了高的性能,这应首先归功于加强光生电荷载流子向电极的移动,其次才是复合或空穴的产生。研究者希望基于这一技术的装置可以在可见及近红外区域的高速大面积成像应用中找到用途。     

MEMS多层结构的热应力分析

温度载荷能够引起MEMS多层薄膜结构发生翘曲和分层等失效模式,而界面应力则是引起这些失效的直接原因。根据Suhir.E的双金属带热应力分布理论,对温度载荷作用下MEMS界面中的剪应力和剥离应力的分析表明,这两种应力随着与界面中心距离的增大呈指数增加,在界面端处达到最大值。界面应力与材料热膨胀系数和所加载温度呈线性相关,另外还与两材料层的厚度密切相关。以铜/铬组成的双层结构为例,利用Matlab数值仿真研究了界面应力与材料层厚度的关系,结果表明,界面应力与两材料层厚度比有关,当铜层和铬层厚度比为1.5时,层间剪应力和剥离应力均较小,可有效提高MEMS结构的可靠性,降低分层失效的概率。     

实现多层外延结构的程序设计

本文给出了使用Gemini-1型外延炉生产硅外延片时,实现外延层掺杂浓度多层分布的程序。     

半导体多层结构的热应变弯曲和层应力

导出了杨氏模量和生长温度各不相同的多层结构的热应变弯曲半径和层内应力的普遍公式,包括衬底具有固有弯曲的情况,并给出在不同条件下公式的特殊形式,尤其是有较广泛应用的厚衬底条件下的近似式.应用导出的公式,计算了有源区掺Al和具有缓冲层的GaAlAs DH激光器中有源层应力随各层厚度和Al组分的变化,得到有源层应力为零的条件的显式;研究了 MSTO GaAlAs多层结构的有源层内应力,计算了氧化层和金属层的贡献;还测量了GaAs上热氧化层Ga_2O_3的线胀系数和杨氏模量,此方法也适用于其他衬底上的薄层材料.     

离子束合成SOI多层结构的研究

本文报道了借助高剂量离子注入、高温退火等技术获得不同类型SOI(Silicon on Insulator)材料的形成过程及其多层结构。以离子背散射和沟道技术、Auger能谱、透射电子显微镜、扩展电阻测试以及红外透射和反射等分析方法对这些SOI结构进行表征。比较了注O~+和注N~+两种SOI材料的优缺点。研究表明,高质量的SOI材料能够通过离子束合成技术获得。     

集成电路多层互连结构故障定位方法

随着超大规模集成电路特征尺寸的不断缩小,晶圆级失效点的尺寸也随之不断减小,使得常规的失效定位方法EMMI, OBIRCH已无法满足深亚微米级别故障定位的要求。为了能够实现更精准定位缺陷位置,本文提出了一种先进的深层互连缺陷探测技术:微探针测试定位方法。同时,将故障区域划分为浅层金属,底层金属,深层金属及互连通孔缺陷,提出了根据多层互连金属的结构选择对应定位分析技术的方法,分析和讨论了这几种位置缺陷探测的特点以及推荐的故障定位技术。通过实例分析揭示集成电路多层金属互连失效的主要失效机理,对提高失效分析的成功率以及深亚微米的集成电路的设计有着重要的参考作用。     

集成电路多层结构中的化学机械抛光技术

化学机械抛光技术（ＣＭＰ）已成功地应用于集成电路多层结构中的介质层和金属层的全局平面化。这是唯一能对亚微米经器件提供全局平面化的技术，对０．３５μｍ及以下的器件工艺是绝对必须的。ＣＭＰ面临的问题主要是难以维持高效的、稳定的、一次通过性的生产运转。     

多层结构的光子带隙特性

文中提出了一种具有光子带隙特性的多层结构,由方形金属构成的周期阵列位于介质衬底的正中.此结构与传统的微带电路完全兼容,制作时无需在介质衬底中打孔,同时保持了接地地板的完整性.文中比较了阵列平面处于不同位置时的带隙特性,然后通过改变阵列形式来改善带隙特性.文章的最后说明了该结构的一种应用方式.     

铁氧体多层结构电波吸收体的研究

用三种不同磁导率μｉ的铁氧体基复合电波吸收材料制成双层结构电波吸收体，在７～１２ＧＨｚ频段吸收量Ａ与频率ｆ关系曲线与单层基本相似，存在两个吸收峰，但第二峰移向高频，Ａ由２０ｄＢ增至３７ｄＢ；在吸收介质与反射板之间以及在两个介质层之间涂以介电型介质膜，使第一吸收峰移向高频，Ａ分别增至２９ｄＢ和２７ｄＢ。对其作用机理进行了探讨。     

多层结构ISFET传感器特性的研究

本文着重研究了Si3N4/SiO2,Ta2O5/SiO2,Ta2O5/Si3N4/SiO2,Ta2O5/NAS/Si3N4/SiO2等多层介质结构H -ISF ET传感器的特性,给出了实验结果,并做了必要的分析讲座.