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相似文献
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1.
采用复合电沉积方法在Ni基体上制备了(Ni-Co)-SiC纳米复合镀层,该镀层的组织结构与电沉积Ni-Co合金(晶粒尺寸:110 nm)镀层不同,由Ni-Co固溶体基体(晶粒尺寸:50 nm)和均匀分布其中的SiC纳米颗粒(晶粒尺寸:45 nm)组成。SiC纳米颗粒的加入大大细化了镀层的组织,增加了镀层的显微硬度.电化学实验表明:SiC纳米颗粒使金属还原电位发生正移,降低了Ni-Co合金镀液的极化作用.  相似文献   

2.
本文研究了沉积温度对Cr12MoV钢基体TiN沉积速率的影响。TiN沉积速率高于低碳钢基体TiN沉积速率,并且随沉积温度升高而增加。研究了不同碳含量铁基体中碳扩散对TiN沉积的影响。TiN沉积速率随碳含量增加线性增加;涂层硬度亦随碳含量增加而增加。基于铁的催化作用,推导出TiN沉积速率方程式: R=h_1+k_1·C  相似文献   

3.
Ni-SiC复合镀层的热稳定性和耐蚀性   总被引:3,自引:0,他引:3  
用电沉积方法在钢上获得Ni SiC复合镀层 ,研究了Ni SiC复合镀层在 85 0℃的热稳定性及通过极化曲线的测定 ,对钢基体、Ni层、Ni SiC层耐蚀性进行比较 .结果表明 ,SiC在 85 0℃加热保温半小时时SiC不分解 ,Ni SiC复合镀层的耐蚀性最好 ,Ni镀层次之 ,钢基体最差 .  相似文献   

4.
超显微硬度法研究SiCp/6066铝基复合材料微区硬度变化   总被引:3,自引:0,他引:3  
对喷射共沉积后经挤压的SiCp/6066铝基复合材料,通过采用超微硬度法测量其微区的硬度变化,观察其显微组织。结果表明:在SiC颗粒分布密集处,基体超显微硬度值HV为143.2,而在SiC颗粒分布稀疏处,硬度值HV为107.2,二者之间有明显差距。这是由于分布密集的增强体SiCp周围局部基体应力场应力集中更剧烈而使超显微硬度值提高,此外还测量了由于热收缩应力引起SiCp周围应力场的变化而导致的微区硬度的变化。在SiC颗粒附近基体硬度值较高,HV达105.8而离SiC子距离大于其颗粒半径的基体中,硬度较低,HV约变81.7,SiCp造成基体中应力场的叠加可使基体中出现张应力区。此外,通过测量复合材料超显微硬度值的变化,分析了残余应力对喷射共沉积复合材料微区一些力学性能的影响。  相似文献   

5.
以硝酸锌溶液为沉积液,采用阴极电沉积技术在ITO导电玻璃基片上制备ZnO薄膜.分析了Zn(NO3)2体系ZnO的电化学沉积机理及反应过程,考察了沉积电位和Zn(NO3)2浓度对沉积过程、薄膜结构及其性能的影响结果表明:沉积电位和Zn(NO3)2浓度对薄膜形貌都有着显著的影响,沉积速率随沉积电位和Zn(NO3)2浓度的增加而增大;当沉积电位和Zn(NO3)2浓度较小时,薄膜粒径小,透光性相对较高.  相似文献   

6.
不锈钢基体室温熔盐电沉积铝   总被引:1,自引:0,他引:1  
在AlC13-EMIC室温熔盐体系中,在201不锈钢基体上电沉积了铝镀层,并利用金相显微镜、能量色散谱和扫描电镜对镀层的成分、表面形貌及镀层与基体之间的结合情况进行了观察分析.结果表明,201不锈钢基体可以通过AlC13-EMIC室温熔盐电沉积的方法获得完整平滑且纯度较高的铝镀层.铝镀层晶粒尺寸随电流密度变化较为明显,随电流密度的增大,晶粒尺寸变小,镀层更加致密化.在电沉积前,通过阳极活化对不锈钢基体进行预处理,可以使铝镀层和不锈钢基体的结合得到显著的提高;通过对电沉积后试样进行热处理,可以提高铝镀层和基体之间的结合力.  相似文献   

7.
由沉积纳米晶体镍   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用恒电沉积的方法,在55-65℃,pH值小于3.5,电流密度大于5A/dm^2含有糖精的瓦特液中分别以直流和脉冲方法镀取镍。经X射线衍射分析,镍晶体沉积层表现为(111)择优取向,扫描电镜和能谱分析结果显示,所得的镍晶晶粒尺寸为小于10nm的纳米晶体,并且镀层中含有少量的硫。通过研究电流密度及溶液中糖精浓度对镍沉积速率的影响,发现电流密度低时,镍沉积速率与电流密度呈线性关系,糖精的加入使镍沉积允许的电流密度增大,沉积速率减慢,对镍沉只起增加极化作用。  相似文献   

8.
采用热丝化学气相沉积(HFCVD)技术,以甲烷(CH4)和硅烷(SiH4)作为源反应气体在Si(111)衬底上生长了晶态SiC薄膜.通过X射线衍射(XRD)、傅立叶红外(FTIR)等分析手段对样品结构、组分进行了分析.通过提高H2稀释度,使得SiC薄膜的质量得到了改善.选取高H2稀释度,利用原子氢在成膜过程中的刻蚀作用稳定结晶相,可在较低的衬底温度下,沿Si(102)择优取向异质生长出晶态SiC薄膜.  相似文献   

9.
利用离子辅助电子束蒸发技术在不同沉积工艺参数下制备了ITO薄膜,详细讨论了沉积工艺参数的变化对ITO薄膜表面形貌及晶体结构的影响。结果表明:随基板温度的升高,ITO薄膜的缺陷增多,表面粗糙度增大。高温下沉积的薄膜为多晶结构,并呈现[111]择优取向;随着沉积速率的升高,薄膜表面粗糙度变大,结晶度升高,晶粒尺寸增大,呈现出沿[001]取向择优生长的趋势,并且低速率下沉积的薄膜中包含除立方氧化铟外的其他晶相。  相似文献   

10.
如何制备高密度、分布可控、尺寸一致的纳米硅量子点,是各种纳米器件研究中首先需要解决的问题。在等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)中,用大氢稀释逐层淀积技术在氮化硅表面上自组装生长高密度、尺寸均匀的硅量子点结构,这种方法充分利用了氢气等离子体在薄膜淀积中诱导晶化作用和对非晶结构的选择刻蚀作用,能够在低衬底温度的条件...  相似文献   

11.
目的:建立高效液相色谱-蒸发光散射检测器(HPLC-ELSD)测定黄芪甲苷含量的方法。方法:采用蒸发光散射检测器(ELSD)以黄芪甲苷为对照品对参芪颗粒中黄芪甲苷进行HPLC分析,色谱柱Agilent C18(250 mm×4.6 mm,5μm),流动相乙腈-水(32:68),流速0.8mL/min,柱温30℃,ELSD漂移管温度105℃,载气流速2.5 L/min。结果:黄芪甲苷在30.48μg/mL~304.8μg/mL范围内线性关系良好,回收率为97.64%(,RSD=1.11%)。结论:HPLC-ELSD法具有良好的精密度和重现性,可用于参芪颗粒中黄芪甲苷含量测定的质量控制。  相似文献   

12.
利用低压化学气相沉积方法在N型Si衬底上异质外延生长3C-SiC薄膜,研究和分析了不同碳化工艺和生长工艺对3C-SiC外延层的影响;探讨了Si衬底3C-SiC异质外延应力的消除机理.通过台阶仪和XRD对不同工艺条件下的外延层质量进行分析,得到最佳工艺条件的碳化温度为1000 ℃,碳化时间为5 min,生长温度为1200...  相似文献   

13.
采用高温高压处理丹酚酸提取物的方法来提高丹酚酸A的含量,以丹酚酸A的得率为指标,通过高效液相色谱法测定丹酚酸A的含量,考察了酸的种类、丹酚酸提取物中丹酚酸B的含量、反应时间、反应温度、pH、物料浓度对转化合成丹酚酸A的影响。色谱分析条件为:色谱柱Kromasil C18(250mm×4.6mm,5μm),流动相为水(0.1%甲酸)和乙腈,体积流量1mL/min,进样量20μL,检测波长280nm,丹酚酸A的质量浓度在0.055~0.55mg/mL线性关系良好。通过单因素考察及正交试验得到了转化合成丹酚酸A的最佳工艺条件为:反应时间4h,反应温度120℃,pH为5,反应物料质量浓度5mg/mL。  相似文献   

14.
使用花生壳作为原材料,利用微波微碳化的方式将花生壳制备成活化剂载体,进而将活化剂吸附在微碳化的花生壳上面。利用流化床处理含氰废水,研究了流化床中废液的体积流量、微碳化花生壳的温度、流化床循环时间、活化剂等条件对水中氰化物去除率的影响。研究结果表明,体积流量在150mL/min时对氰化物处理效果最好,当流化床循环时间大于2.5h时,微碳化温度为250℃的花生壳去除率最高;使用10%磷酸活化后的花生壳处理氰化物废水,去除率最高。  相似文献   

15.
CH3SiCl3 (MTS)-H2-Ar system has been applied to prepare SiC film with chemical vapor deposition (CVD) method in this paper. For three facets of SiC film, some significant influence on growth rate, surface roughness, thickness and relative density brought by MTS consistency has been mainly discussed with kinetic monte carlo (KMC) method. The simulation results show that there is a certain scale for mol ratio of H2 to MTS (H2/MTS) with different deposition temperature. When MTS consistency increases, growth rate and surface roughness of three facets all increase, which manifests approximate linearity relationship. Thickness of three facets also increases while increasing trend of three facets thickness is different obviously. Although relative density of three facets all increases, increasing trend shows a little difference with MTS consistency increasing.  相似文献   

16.
以过硫酸钾(KPS)为引发剂,丙烯酸丁酯(BA)和丙烯酸异辛酯(EHA)为软单体,乙酸乙烯酯(PVC)为硬单体,丙烯酸(AA)为功能单体,TM-200为交联单体,合成低温型聚丙烯酸酯印花粘合剂.优化的粘合剂制备配方为:乳化剂0.8%,TM-200 2.5%,反应温度70~75℃,预乳化液滴加时间90min,保温时间60min,预乳液滴加量0.5mL/s搅拌速度:250~400r/min.  相似文献   

17.
工艺参数对Ni-SiC纳米复合镀层沉积速率的影响   总被引:1,自引:0,他引:1  
用电沉积的方法在铜表面制备了Ni-SiC纳米复合镀层,研究了不同的工艺参数,包括阴极电流密度、镀液中纳米SiC悬浮量、镀液pH值、镀液温度和搅拌速度对复合镀层的沉积速率的影响。结果表明:在实验电流范围内,镀层的沉积速率随着阴极电流密度的增大呈线性上升的趋势;随着镀液中纳米颗粒悬浮量、镀液pH值及搅拌速度的增大而增大,当达到一定值时,又开始下降;随着镀液温度升高,逐步降低。最佳参数为:不烧焦镀层前提下的最大电流,纳米颗粒体积质量为5g/L,pH值3.5—4.0,温度30℃,搅拌速度为中高速。  相似文献   

18.
1INTRODUCTION C/Ccompositeisakindofmultifunctioncom posite,whichhasmanyspecialproperties,suchas excellentheat resistantpropertyanddimensional stability,highspecificstrengthandmodulus,as wellaslowthermalexpansioncoefficientandwear rate[15].Itistheonlyheat structuralmaterialthat canworkinnon oxygenandattemperatureover1600℃foralongtime.Moreover,itsspecific thermalcapacityistwiceaslargeasthatofcom monmetalmaterialanditsheat conductivitycanbe designedasrequired.Therefore,C/Ccomposite haswide…  相似文献   

19.
探讨了用高效液相色谱仪检测洋甘菊中芹菜苷质量浓度的方法,并测定了样品中芹菜苷的质量浓度。采用依利特Sinochrom ODS-BP柱(4.6mm×250mm,5μm),流动相为甲醇-1%乙酸(体积比为60∶40),流速1.0mL/min,柱温25℃,检测波长333nm,作为测定样品中芹菜苷质量浓度的条件。结果表明,芹菜苷在0.999 9~99.99μg/mL质量浓度线性范围内线性关系良好,R2=0.999 9,平均回收率为1.04%,RSD=1.87%,测得芹菜苷在洋甘菊中的质量浓度为83.205mg/L。此方法快速、简便、准确,可用于洋甘菊中芹菜苷的HPLC测定。  相似文献   

20.
采用二醇柱,在等度洗脱条件下,建立了高效液相色谱(HPLC)定量分析人参提取液中人参皂苷的检测方法.优化的色谱条件:LiChrospher100 Diol柱(250 mm x2 mm i.d.,5μm),流动相为乙腈-水(体积比为82∶18),流速为1.0 L.min-1,检测波长为200 nm,柱温为15℃.研究结果表明:在较低温度下,采用二醇柱分析7种主要人参皂苷,具有分析速度快,不需要梯度洗脱程序,方法简单等优点.  相似文献   

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