Φ200 mm硅单晶的生长工艺特点

在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚的选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转及规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。     

Φ20mm硅单晶的生长工艺特点

在全自动拉晶条件下，讨论了拉制Φ２００ｍｍ硅单晶遇到的新问题。热场配置、工艺参数的选择、石英坩埚泊选用等有了更严格的要求。合理的轴向温度梯度和径向温度梯度、低拉速、低晶转瘃规范的拉晶工艺是拉制大直径单晶的关键。     

历产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大。大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产Φ１０１ｍｍ区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索，成功实现了在国产设备上搠制Φ１０１ｍｍ区熔硅单晶。填补了空白，节约了外汇，打破了迷信，为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。     

北京有色研究总院拉制出直径200mm的硅单晶

北京有色研究总院国家半导体材料工程研制中心继1992年拉制出第一根直径为150mm硅单晶后,日前又拉制出直径为200mm的硅单晶,这标志我国硅单晶制造技术取得新的进步。 半导体材料硅是电子信息技术的基础,被国家列为高新技术发展的重点。这根直径为200mm的硅单晶为N型,重达56kg。加大硅单晶直径,历来被认为是提高硅片产量、降低成本的有效措施,技术难度也相应     

在国产炉上研制区熔Φ101mm硅单晶

高反压、大电流电力电子器件的发展要求区熔硅单晶直径进一步增大.大直径区熔硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件.目前国内生产φ101mm.区熔硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现.我们通过设备技术改造和工艺条件摸索,成功实现了在国产设备上拉制φ101mm.区熔硅单晶.填补了空白,节约了外汇,打破了迷信,为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心.     

切克拉斯基法拉制大晶埚径比大直径锗单晶

在配置Φ１５２ｍｍ坩埚的单晶炉内，合理地调整了温度分布场与控制条件，成功地拉制出一根Φ１２８～１４０ｍｍ，有效长度为１２ｍｍ的Ｎ型锗单晶     

切克拉斯基拉制大晶埚径比大直径锗单晶

在配置Φ１５０ｍｍ坩埚的单晶炉内，合理地调整了温度和分布场与控制条件，成功地拉制出一根Φ１２８￣１４０ｍｍ，有效长度为１２ｍｍ的Ｎ型锗单晶。     

φ76.2mm重掺砷硅单晶的研制

本文就如何在TDR-40A单晶炉上拉制出φ76.2mm重掺砷硅单晶作了介绍,提供了试验装置,给出了工艺条件及试验结果,并对重掺砷和重掺锑晶体的异同点进行了初步讨论。重掺锑硅单晶比重掺砷单晶需要更大的(dT/dz)_L,重掺砷硅单晶与重掺锑硅单晶同样有(111)小平面存在,但没有杂质析出现象。     

在国产炉上研制区熔D101mm硅单晶

高反压，大电流电力电子器件的发展要求FZ硅单晶直径进一步增大，大直径FZ硅单晶的拉制最大困难在于高频加热设备能力和成晶工艺条件。目前国内生产D101mmFZ硅单晶只有一个厂家能在进口设备上实现。我们通过设备技术改造和工艺条件摸索。成功实现了在国产设备上拉制D101mmFZ硅单晶。填补了空白。节约了外汇。为国内硅材料生产厂家和国产设备制造厂树立了信心。     

Φ125mm硅单晶的控氧技术

Φ１２５ｍｍ硅单晶的控氧技术张果虎常青方锋吴志强郝玉清秦福（北京有色金属研究总院，北京１０００８８）关键词：硅单晶氧含量控氧技术坩埚结构１引言为满足不同的器件对硅片氧含量的不同要求，需要更精确地控制直拉硅单晶中的氧含量及氧梯度。单晶中的氧有两方面的作...     

HP—1型高压单晶炉

高压单晶炉是拉制离解压高的Ⅱ—Ⅵ族和Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体等用的关键设备。我所成功地将原来一台投料量一公斤的硅单晶炉改造成拉制Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体磷化铟(InP)的高压单晶炉。该设备系统经调试,已成功地拉制出磷化铟单晶。炉子结构简单,电气控     

重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定

重掺锑硅单晶制备中锑的蒸发速率常数的测定常青，曾世铭，何林，王君毅（北京有色金属研究总院１０００８８）关键词：硅单晶，锑，掺杂，蒸发速率，测定（一）实验重掺锑硅单晶是在ＣＧ－３０００型直拉单晶炉上研制的，直径为８２ｍｍ，晶向（１１１）。石英坩埚直径为...     

纯氩气氛下生长直径70毫米区熔硅单晶的工艺

本文概述了拉制大直径区熔硅单晶的试验工作,着重介绍硅单晶的生长设备、氩气净化、加热线圈、操作参数、等诸方面的工艺技术条件。     

PVT法生长6英寸4H-SiC晶体的工艺研究

针对物理气相传输(PVT)方法生长6英寸4H-SiC单晶的工艺过程,研究了晶体生长的生长温度、温度梯度和生长腔室内气压对晶体生长的影响。通过实验的方式,着重研究不同温度梯度下生长的碳化硅单晶质量,确定出合理的碳化硅单晶生长工艺,成功得到直径153 mm、厚度11 mm的晶锭。对该晶体使用拉曼光谱仪进行晶型检测,6英寸4H-SiC的面积达100%。     

Φ300 mm红外锗单晶生长及性能测试

采用直拉法成功拉制直径300 mm红外锗单晶, 讨论了热场温度梯度、拉晶工艺参数以及浮渣对拉晶的影响, 测量了单晶电阻率、红外透过率和断裂模量, 结果表明单晶满足红外光学系统的使用要求.     

硅单晶材料发展动态

概述了现代特大规模集成电路对硅单晶片的质量要求、直拉砷单晶生长工艺及晶片加工技术研究进展和硅单晶材料市场现状及发展趋势。     

装备动态

2835型单晶炉一个操作周期为8小时2835型单晶炉能够拉制直径为2英寸、长度为16英寸的单晶,采用电阻加热,石英坩埚容量为680CC。该单晶炉很容易操作,生产周期短,拉制一公斤的单晶硅生产周期为8小时,而大型单晶炉加料量为20公斤时,生产周期需24小时。该单晶炉由带水冷的主炉室和副炉室、石墨加热器、坩埚和籽晶的升降及旋转机构组     

世界最长的高质量硅单晶

日本三菱材料公司和三菱硅材料公司共同开发出半导体用硅单晶的连续制造法,在该公司中央研究所进行的拉制试验中,成功地制造出直径6英寸、长2米的世界最长的高质量硅单晶。     

密闭热系统中拉制硅单晶

本文介绍采用密闭热系统拉晶工艺拉制硅单晶的情况。试验表明：密闭拉晶不仅有利于减少电耗和氢气消耗，而且可有效地降低硅单晶的氧含量和热氧化层错密度。文中还对密闭系统的材料、形状、放置及作用作了具体描述。     

用SPV法对影响硅片少子寿命因素的研究

随着IC工业的发展，对硅材料的质量提出了越来越高的要求。硅单晶中的非平衡少数载流子寿命(少子寿命)是一个被关注的表征材料性能的重要物理参数。本文通过表面光电压法(SPV)研究提出单晶工艺、退火前硅片的洁净程度及退火炉的洁净程度是影响寿命及内部金属沾污的三个重要因素。