硅外延及其应用

介绍了硅外延生长技术,综述了应用于硅外延的分子束外延（MBE）、化学气相沉积（CVD）、液相沉积（LPE）三种工艺,并介绍了Si基外延材料器件的应用。     

LPE生产高阻厚外延产品的自掺杂改善

正高压半导体功率器件主要需求的材料为厚外延高阻的外延片,而LPE的优势在于生产厚外延产品,但厚外延高阻材料对于片内阻值均匀性的要求,与外延时的自掺杂息息相关。此文主要研究LPE上厚外延的自掺杂改善。随着家电、平板电脑、汽车等消费市场不断增长的需求,功率器件的需求量也在逐年增长,所以厚外延高阻材料需求也同步增加。厚外延的材料,主要是在LPE上生产。因LPE为多片式的炉台,所以外延阻值均匀性的改善尤为重要。     

硅外延片中的杂质控制

有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度，决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害，防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。     

硅衬底上异质外延GaAs

综述了ＣａＡｓ／Ｓｉ异质外延材料的性能及应用前景，分析了进一步提高材料质量所面临的问题，重点介绍了降低外延层缺陷方面的研究进展.     

综合吸除对硅外延片（N／N^＋）性能的影响

本文介绍了使用扫描电镜（ＳＥＭ）、扩展电阻（ＳＲ）、瞬态电容（ｃ－ｔ）和化学腐蚀等技术，对采用不同吸除工艺的重掺Ｓｂ衬底的硅外延片（Ｎ／Ｎ＋）性能进行了研究。结果表明，综合吸除技术不仅能有效地改善Ｗ／Ｎ＋硅外延片的电性能（τｇ）和明显地降低外延层上的表面缺陷密度，而且对硅片剖面的电阻率分布也无影响。文中还对综合吸除的机理作了初步探讨。     

硅上异质外延高温超导体薄膜的进展

硅上生长高质量高温超导体薄膜的工作促进了微电子学和高温超导电子学的结合。这种新材料能集中半导体和超导材料的优异特性,将导致半导体和超导体组成的新一代混合集成电路的出现。本文综述了目前硅上生长高温超导薄膜的研究进展,介绍了工艺中遇到的问题和解决的途径。     

6英寸重掺Sb衬底外延后表面异常解决

6英寸Sb(锑)基板是国内半导体分立器件使用的主力材料,此材料主要供客户外延使用.但近期某司的基板在外延后出现表面类似气泡状的缺陷,此缺陷异常,无法抛光去除.文章主要研究此外延缺陷与硅晶体的关系,通过试验分析此异常缺陷出现的原因,找到解决的方法.