95%氧化铝陶瓷烧结镍工艺探索北大核心CSCD

通过对不同Mo-Mn金属化配方体系的烧结镍工艺探索,发现烧结镍工艺适用于Mo含量高的Mo-Mn金属化配方体系。当Mo质量分数为70%时,镍粉粒度d0.5为1.872μm,镍层厚度为6~12μm时,封接件断面显示镍层连续、致密,陶瓷标准件的抗拉强度为116 MPa,陶瓷金属封接件的环境性能测试结果符合行业标准要求。     

镍硼镀层对陶瓷与金属联接的影响

采用自催化镀方法对Ａｌ２Ｏ３陶瓷表面进行３Ｎｉ－Ｂ镀层金属化处理，然后，把金属化的Ａｌ２Ｏ３分别和Ｎｉ，Ｆｅ－Ｎｉ合金组成偶对，进行了固相压力扩散焊，并通过组织分分析对界面区的固相反应进行研究。结果表明，经特殊预处理的９９％Ａｌ２Ｏ３陶瓷，其表面镀层Ｎｉ－Ｂ型基体的结合强度可达２５０ＭＰａ以上，镀层呈非晶态，而热处理可完全晶体化。Ｎｉ－Ｂ／Ｎｉ（Ｆｅ－Ｎｉ）对。界面消失，成分完全均匀；Ａｌ２Ｏ３／     

PZT95／5型铁电陶瓷复合烧结研究

本文研究了ＰＺＴ９５／５型铁电陶瓷的复合（层叠）烧结，Ｎｂ２Ｏ５添加剂含量不同的两组份层叠形成的复合之间存在一个扩散界在层，组成间Ｎｂ含量浓度梯度差值越大，扩散界面层厚度越大。理论分析表明，烧结工艺对扩散界面层厚度一的影响，烧结温度赵高，保温时间越长，扩散界面怪厚度越大。     

氧化铝复合陶瓷烧结工艺研究与力学性能改善

研究了反应结合Al₂O₃－ZrO₂－SiC复合陶瓷的烧结工艺与力学性能改善途径,对快速烧结与Ar气氛常压烧结工艺及材料力学性能进行对比,并分析了微观结构．实验结果表明,快速烧结是抑制晶粒生长、获得均匀、细微、致密结构的有效途径,材料的力学性能也达到了较好水平,但其工艺难度大,而Ar气氛常压烧结工艺简便易行,也可获得相当水平的力学性能．经热等静压使材料充分致密化,消除缺陷,力学性能大幅度提高．     

放电等离子烧结技术制备透明氧化铝陶瓷

采用放电等离子烧结技术(SPS)制备了透明氧化铝陶瓷,研究了样品在模具内部的位置对其光学性能的影响,结果表明,在模具中心处样品的直线透过率最高(波长为640nm时为51%,波长为2000nm时为84%),这主要是由于模具内部温度分布不均引起样品晶粒尺寸不同所致.     

预热粉体爆炸烧结单相纳米氧化铝陶瓷初步研究

采用预热粉体爆炸烧结的方法对单相纳米氧化铝陶瓷的烧结技术进行了初步研究，对纳米陶瓷的密度、不同预热温度对纳米陶瓷显微结构的影响、纳米陶瓷的ＸＲＤ谱线特征、以及纳米陶瓷的质量及其改善途径进行了分析。     

特种陶瓷烧结致密化工艺研究进展

特种陶瓷的性能主要取决于其烧结工艺。为获得均一致密的陶瓷结构而发展出各种各样的烧结工艺,每种工艺都有其特有的优势与不足。通过综述特种陶瓷烧结致密化工艺的研究现状,包括传统烧结方法的新工艺路线以及近年来发展的新型烧结方法及工艺,评价了这些工艺的特点、机理以及烧结致密化效果,为特种陶瓷制备工艺的选择提供参考。     

预热粉体爆炸烧结单相纳米氧化铝陶瓷的研究

采用预热粉体爆炸烧结技术制备单相纳米陶瓷,用40nm的α-Al2O3粉体作原料进行烧结试验,用高倍扫描电镜,X射线衍射分析等手段对试验结果进行了测试。最近的研究表明：纳米粉体分别经600－800度预热后进行爆炸烧结,可以得到密度为96－100％理论密度,晶粒大小在100nm以下的单相氧化铝纳米陶瓷,随着预热温度的递增,陶瓷晶粒生长有加快趋势,与常温下爆炸烧结相比,本研究的陶瓷晶粒无明显晶格变形,对陶瓷质量的影响因素及其改善途径也进行了分析。     

硅溶胶添加对氧化铝多孔陶瓷烧结性能的影响

以煅烧α-Al2 O3粉末为原料,硅溶胶为高温结合剂,羧甲基纤维素钠为成型黏结剂,通过混料、困料、模压成型、高温烧结等工序制备氧化铝多孔陶瓷,利用SEM和XRD对多孔陶瓷微观形貌和晶体结构进行测试,并对多孔陶瓷的线收缩率、体积密度、显气孔率和抗弯强度进行表征,系统地研究硅溶胶添加对氧化铝多孔陶瓷高温烧结特性的影响.结果表明:低温下硅溶胶的热解产物石英型SiO2将氧化铝颗粒黏结起来,形成物理黏结,能提高多孔陶瓷的力学性能;烧结温度达1500℃时,SiO2开始与氧化铝反应形成莫来石,莫来石结合相的生成使得氧化铝多孔陶瓷趋于致密,力学性能优异,抗弯强度可达(105.5±8.0)MPa;随烧结温度的升高莫来石生成量增多,导致氧化铝多孔陶瓷的体积膨胀,进而使得孔隙率增大,力学性能降低.烧结温度介于1400～1500℃之间时,可以得到微观结构合理、力学性能优异、孔隙率适中的氧化铝多孔陶瓷.     

ZnO压敏陶瓷烧结工艺优化

首次采用正交试验法研究了烧结工艺中工艺参数对ZnO压敏陶瓷性能的影响.经试验研究,最终确定出了烧结工艺中的主要工艺参数,即烧结温度、保温时间、升温速率、烧结方式的最佳配比,为工业生产ZnO压敏陶瓷提供了理论与试验上的技术依据.     

碳化硅陶瓷的活化烧结与烧结助剂

综述了作为碳化硅陶瓷烧结助剂的热力学条件及液相烧结的有效条件,介绍了碳化硅陶瓷烧结助剂的研究进展.     

微波快速烧结精细陶瓷技术

介绍了微波快速烧结精细陶瓷技术的特点、应用及其前景。     

以Al-B-C为烧结助剂的SiC陶瓷热压烧结工艺

以SiC超细粉末为原料,Al粉、B粉和碳黑为烧结助剂,采用热压烧结工艺制备了SiC陶瓷,重点研究了烧结助剂含量(4～13 wt％)对SiC陶瓷物相组成、致密度、断面结构及力学性能的影响.除SiC主晶相外,X射线衍射图还显示了Al8B4C7相的存在;当烧结助剂的含量从4 wt％增至13 wt％时,扫描电镜照片显示陶瓷断面形貌从疏松结构变成致密结构,存在晶粒拔出现象;陶瓷力学性能随着烧结助剂含量的增加先升高后降低.当烧结助剂含量为10 wt％时,SiC陶瓷的力学性能达到最高,抗弯强度为518.1 MPa,断裂韧性为4.98 MPa·m1/2.Al、B和C烧结助剂在1850℃烧结温度下形成的Al8B4C7液相促进晶粒间的重排和传质,并填充晶粒间的气孔,提高了陶瓷致密度.     

放电等离子超快速烧结氧化铝力学性能和显微结构研究

本文介绍用和电等离子超快速烧结方法制备的氧化铝陶瓷的力学性能和显微结构特征，超快速烧结的升温速率为６００℃／ｍｉｎ，在烧结温度不保温，迅即在３ｍｉｎ内冷却至６００℃以下，与保温时间为２ｈ的无压烧结相比，可降低烧结温度和提高样品密度。力学性能研究结果表明，用放电等离子超快速烧结方法制备的纯氧化铝陶瓷的抗弯强度高达８００ＭＰａ以上，比通常氧化铝陶瓷的抗弯强度高出一倍，用ＳＥＭ研究了在不同温度下超快速烧     

β—Sialon陶瓷的微波烧结研究

微波加热具有极快的加热和烧结速度，并从根本上不同于常规加热，利用微波高温烧结陶瓷是近年来迅速发展的一门新技术，本文利用自行研制的ＴＥ１０３单模腔微波烧地没加添加剂的自蔓 β－Ｓｉａｌｏｎ粉的微波加热特征进行了研究，通过选择适当的保浊 速加热至１６５０℃，有着适当的保温时间可获得９７．５％ＴＤ的β－Ｓｉａｌｏｎ陶瓷，与常规无压烧结（１８５０℃）相比显示了更高的密度，更均匀的微观结构和力学性能。     

低温烧结氧化铝基陶瓷材料的研究

介绍了一种经１５００℃烧结研制的Ａｌ２Ｏ３基陶瓷材料。采用ＥＤＳ、ＸＲＤ、ＳＥＭ等手段分析了助烧剂的成分及Ａｌ２Ｏ３基陶瓷的相结构，讨论了Ａｌ２Ｏ３基陶瓷结机理和部分性能。     

烧结工艺和掺杂对羟基灰石陶瓷性能的影响

研究了稀土氧化物掺杂和快冷处理烧结工艺对ＨＡＰ陶瓷结构和性能的影响。含稀土氧化物掺杂的陶瓷经快冷处理烧结后，抗弯强度达１７０￣１９３ＭＰａ，抗压强度达７８０￣９６０ＭＰａ，相对密度≥９８％，且其在生理盐水中的 抗腐蚀能力明显高于不含稀土氧化物的陶瓷样品。动物植入实验结果证明，该材料在动物体内无排异反应，有良好的生物相容性。     

氧化铝陶瓷表面连续导电金膜的制备工艺及性能

以Al2 O3陶瓷作为基底,采用磁控溅射和丝网印刷两种工艺在其表面制备导电Au膜,并通过控制变量法制备不同参数下不同厚度的Au膜,对两种制备工艺进行了系统性的深入研究.通过高精度电阻测量仪、扫描电子显微镜(SEM)、能谱仪(EDS)分析热处理前后Au膜的导电性能及微观形貌,采用激光共聚焦显微镜(CLSM)表征Au膜表面的粗糙度.结果表明:磁控溅射制备的纳米Au膜的导电膜厚阈值为30 nm,膜层对基底面粗糙度改变较小.对纳米Au膜进行600℃热处理后,Au发生固态润湿,导致电阻值急剧增大,导电性能下降.借助丝网印刷工艺,采用40％(质量分数)的金浆和200目丝网即可印刷得到导电性良好的Au膜,该工艺能够有效节约成本和金浆.     

工程陶瓷的微波烧结研究与展望

从烧结装置，工艺过程及对材料结构，性能改善等方面综述了微波能在工程陶瓷烧结领域中的应用与发展。评价了这种烧结技术的先进性及有待完善之处。     

MnO2-TiO2-MgO复相添加剂对氧化铝陶瓷烧结温度的影响

用注浆成型方法,通过加入MnO2-TiO2-MgO复相添加剂,在1300℃下获得了相对密度为95%的氧化铝陶瓷。研究了MnO2-TiO2-MgO复相添加剂对氧化铝陶瓷力学性能、显微结构的影响。通过比较在添加相同质量MnO2、MgO的情况下,添加不同质量的TiO2对氧化铝陶瓷烧结性能的影响。结果表明,该复相添加剂能有效降低氧化铝陶瓷的烧结温度,尤其Al2O3+0.5%MgO+3%MnO2+3%TiO2体系烧结效果最好,晶粒分布均匀,几乎无晶粒异常现象,平均粒径为1μm,烧结体密度达到3.78g/cm3。