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采用氧化物陶瓷工艺制备低温共烧铁氧体(LTCF)多层片式器件用NiCuZn铁氧体材料,研究了V_2O_5掺杂对材料微观结构、磁导率及其温度特性的影响。结果表明,随V_2O_5掺杂量的增加,样品平均晶粒尺寸增大,材料烧结温度降低,磁导率先增大后降低;宽温NiCuZn铁氧体配方采用0.4wt%的V_2O_5掺杂,可使材料实现低温烧成(烧结温度900℃左右),并具有高磁导率(500左右)、致密的细晶粒显微结构,从而获得满足LTCF多层片式铁氧体器件高、低温应用环境(-55~+85℃)下磁性能要求的低温烧结NiCuZn铁氧体宽温材料。 相似文献
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采用溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备Ni0.2Cu0.2Zn0.6Fe2O4铁氧体材料。基于低温共烧铁氧体(LTCF)技术的要求,研究了掺杂Bi2O3对NiCuZn铁氧体材料的微结构和电磁性能的影响。结果表明,采用溶胶-凝胶法制备的NiCuZn材料,通过掺杂Bi2O3助烧剂,880℃低温烧结4h,已经生成所要的尖晶石相铁氧体;SEM显示随着Bi2O3的加入,NiCuZn铁氧体晶粒逐渐变大,生长均匀。在磁性能方面,添加3wt%Bi2O3时饱和磁化强度达到了77.03 A·m2/kg。Bi2O3在促进NiCuZn铁氧体烧结的同时,增大了材料的磁导率。 相似文献
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采用传统陶瓷工艺制备了NiCuZn系铁氧体材料。采用流延法制备了长宽为125×125mm、厚度为50~200μm的NiCuZn铁氧体薄片。测试了铁氧体材料的微观形貌与磁导率谱,研究了材料微观形貌对材料的谐振频率的影响,讨论了Zn含量对材料的磁导率与谐振频率的影响,探讨了当铁氧体薄片应用于射频识别(RFID)系统时,铁氧体薄片的磁参数对可读写距离的影响,分析了应用不同材料可读写距离存在差异的原因。研究表明,材料的晶粒大部分处于单畴状态时有利于提高材料的谐振频率;随着Zn含量的减小,材料的磁导率逐渐降低、谐振频率逐渐增高。在磁导率虚部较小时,可读写距离与磁导率实部近似成正比。 相似文献
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采用固相反应法制备了NiCuZn软磁铁氧体,探究了CaCO_3添加对铁氧体微观结构、磁性能以及电学性能的影响。运用砖墙模型,对晶界及晶粒的电阻率进行了近似计算,结果表明,在低频时,NiCuZn铁氧体的电学特性趋向于晶界特性,在高频时,其电学特性主要由晶粒决定。综合考虑到NiCuZn铁氧体材料的磁电性能,当CaCO_3添加量为0.04 wt%时,样品具有高起始磁导率(1370)、高饱和磁感应强度(353 mT)及高电阻率(1.2×10~8?·m),磁电性能最为优异。 相似文献
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介绍了一种高磁导率(μi=2300)、高Bs、高居里温度NiCuZn铁氧体TN230B材料的制备方法及生产过程.研究表明,引入适量的CuO可大大改善材料的电磁性能;通过对原材料的选择,严格控制主配方和制备工艺可获得优良的材料性能. 相似文献
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以不同工艺生产的NiO为原材料,制备了高频低磁导率NiCuZn铁氧体.用扫描电镜(SEM)分析原材料NiO的微观形态的差异,用X射线衍射(XRD)研究预烧后固相反应的进行状况,考察了不同NiO材料对低温烧结材料高频Q值的影响.研究发现,低温烧结条件下,高活性的NiO原材料能有效提高低磁导率NiCuZn铁氧体的高频Q值. 相似文献
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LTCC铁氧体叠层片式器件及材料的国内外发展动态 总被引:3,自引:0,他引:3
根据最近(2008.10.10)举行的第十届国际磁铁氧体会议(ICF10)和第十三届全国磁学会议(2008.10.31)资料,以及近两年有关专业会议文献,综合介绍了近期国内外制作叠层片式电感、滤波器和变压器的LTCF(低温共烧铁氧体)工艺、低温烧结NiCuZn、MnZn、Co_2Z、Co_2Y、BaM等铁氧体技术以及LTCC(低温共烧陶瓷)叠层片式电感的研发进展,展望了LTCC和叠层片式电感的发展趋势. 相似文献
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叠层片式电感及低温烧结铁氧体的研发进展 总被引:13,自引:0,他引:13
介绍了叠层片式电感的现状及其低温共烧技术,特别就低温烧结NiCuZn、MgCuZn和Co2Z铁氧体粉料的研发进展作了详细报道.最后,展望了低温烧结铁氧体的发展趋势,指出缩小差距的研究方向. 相似文献