Utilisation de diodes Schottky comme détecteurs et mélangeurs à 30 THz (Using a Schottky diode in detecting and mixing at 30 THz)

La note décrit les résultats préliminaires obtenus avec des diodes Schottky utilisées comme mélangeuses dans la région des 10.6 ?m. Le battement entre deux lasers à CO2 a été observé ainsi que des effets de directivité et l'influence de la polarisation de la diode. à 10.6 ?m une sensibilité de la détection de 1 V/W a été obtenue. The letter describes preliminary results on Schottky diode mixers at 10.6 ?m. We observed the beat note between two CO2 radiation lasers. The detection dependence is reported with respect to the directivity and the d.c.bias. A sensitivity of 1 V/W was obtained at 10.6 ?m.     

Numerical simulation of cruiser or aircraft lightning (Simulation numerique du foudroiement d'un croiseur ou d'un avion)

Ship and aircraft manufacture requires modern technologies based on composite materials, which increases the vulnerability of electronic equipment subjected to an electromagnetic pulse (EMP). The use of a 3D finite-difference method to simulate a natural EMP, such as lightning, is limited by excessive CPU time. Improvements are introduced to described these phenomena using large computation time windows with reduced CPU cost. Numerical results are given when the hull of a cruiser is subjected to lightning. Les bateaux et les avions, fabriqués avec des technologies modernes basées sur des matériaux composites résistants ou faiblement conducteurs, deviennent de plus en plus vulnérables aux impulsions électromagnétiques (IEM). L'utilisation d'une méthode aux différences finies à trois dimensions, dans la simulation des IEM d'origine naturelle telles que la foudre, est limitée par un temps de calcul élevé. Les améliorations, qui sont présentées, permettent de décrire ces phénomènes sur de larges fenêtres de temps tout en réduisant les co?ts de calcul. Les résultats numeriques proposés sont obtenus dans le cas du foudroiement d'une caréne de croiseur.     

Realisation materielle des reseaux de Pétri generalises (Hardware implementation of generalised Petri nets)

Cette lettre présente une réalisation matérielle des réseaux de Pétri généralisés. On considère ici des réseaux bornés dont les arcs entre places et transitions et transitions et places sont pondérés par des entiers positifs, et dont lea transitions peuvent être étiquetées. This letter describes a hardware implementation of generalized Petri nets. Bounded nets with arcs having positive integer weights and with labelled transitions are considered.     

Le maillage rectangulaire et le changement de maille dans la méthode TLM en deux dimensions (Rectangular meshing and mesh change in the 2D TLM method)

L'utilisation de mailles rectangulaires et le changement de maille dans la méthode TLM en deux dimensions permet de réduire le temps de calcul sur ordinateur dans de grandes proportions pour de nombreux problèmes. La théorie est exposée et des résultats sont donnés pour des structures `fin-line?. The letter shows how the introduction of rectangular meshes, and of a variable-size mesh process in the original 2-dimensional TLM method, leads to a dramatic reduction of the needed CPU time. The theoretical aspects of these modifications are given, as well as some numerical results obtained for 'fin-line' structures.     

Le maillage parallélipipédique et le changement de maille dans la méthode TLM en 3 dimensions (Parallelipiped meshing and mesh change in the 3D TLM method)

La théorie des mailles parallélipipédiques et du changement de maille dans la méthode TLM est exposée. Des résultats sont donnés pour des structures fin-line en cavité. Le temps de calcul est réduit dans un rapport considérable pour de nombreux problèmes. The letter shows how the introduction of parallelepiped meshes and a variable-size mesh into the original three-dimensional TLM method leads to a dramatic reduction of the CPU time needed. The theoretical aspects of these modifications are given, as well as some numerical results obtained for `fin-line? structures in a cavity.     

Filtre recursif nonlineaire [Nonlinear recursive filter]

Un filtre récursif nonlinéaire est synthétisé de fa?on simple par utilisation de la transformée de Laguerre multivariable et d'un isomorphisme entre l'espace des signaux continus et l'espace des signaux discrets. A nonlinear recursive filter is easily synthesised by use of the multidimensional Laguerre transform and of an isomorphism between the continuous-signals space and the discrete-signals space.     

Antenne spirales équiangulaires planes à réflecteur conique (Plane equiangular 4-arm spiral antenna with conical reflector)

On présente une étude expérimentale des principales caractéristiques de rayonnement d'une antenne à quatre spirales équiangulaires planes disposées au-dessus d'un réflecteur conique dont on fait varier l'angle au sommet. Un compromis entre gain et bande passante a été trouvé. We present experimental work giving the radiation characteristics of a plane equiangular four-arm spiral antenna with a conical reflector whose cone angle is varied. A compromise between gain and bandwidth is given.     

Influence de la réduction de mobilite due au champ transversal sur les caractéristiques des transistors m.o.s. (Influence on the characteristics of m.o.s. transistors of the mobility reduction due to a transverse electric field

La lettre analyse l'effet de la réduction de mobilité des porteurs, sous l'action du champ transversal, surles caractéristiques des transistors m.o.s. On y détermine l'expression du courant de drain en utilisant une dépendence hyperbolique entre la mobilité et le champ transversal. Cette expression est en bonne concordance avec les résultats expérimentaux. Les méthodes de détermination des parametrés intervenant dans la relation IO(VG.VD) sont exposees. The letter deals with the effect of the reduction of the carrier mobility on the characteristics of an m.o.s. transistor when a transverse field is applied. The expression for the drain current is developed by the use of a hyperbolic relation between the mobility and the transverse field, and gives good agreement with the experiment. The determination of the parameters used in the IO(VG.VD) relation is presented.     

Doublet replié actif à large bande à la réception (Transistor-fed thick folded dipole with large bandwidth at reception)

On présente un doublet replié actif de faibles dimensions fonctionnant à la réception de 300 à 1400 MHz. Le transistor permet l'adaptation de l'impédance de sortie; l'impédance de rayonnement de l'élément passif est déterminé pour assurer une sensibilité correcte à la réception. A small active folded dipole used for reception between 300 and 1400 MHz is presented. The output impedance is matched by a transistor and the folded-dipole radiation impedance is determined to allow good sensitivity to the reception of weak signals.     

Détermination directe des vitesses de phase et de groupe dans les lignes microondes par la méthode TLM (Direct determination of phase and group velocities in microlines by the TLM method)

La méthode TLM permet d'agir sur l'excitation dans lea lignes. Les vitesses de phase sont déterminées en s'approchant du synchronisme entre l'excitation et les modes existants. La vitesse de groupe est déduite de la modulation de fréquence créée par variation des dimensions de la structure. L'accès à ces grandeurs réduit notablement les temps calcul. The TLM method permits modification of the excitation of modes in microlines. This property gives us access to phase velocities by synchronisation of excitation and propagating modes. Producing frequency modulation by variation of geometrical dimensions, the group velocities are deduced. Theoretical aspects and numerical results are given.     

Sur une formulation unifiée des mécanismes de focalisation et de défocalisation dans les transistors plans (Generalised approach of pinch-in and crowding effects in planar transistors

On montre quc I'analyse du mécanisme de focalisation dans les transistors plans, qui intervient en régime d'avalanche, conduit à une formulation générale des effets bidimensionnels induits par la résistance répartie de base, indépendamment de I'origine et du sens du courant base. Les résultats sont expérimentalement confirmés. An analysis of pinch-in effect in planar transistors for reverse base-current drive conditions is presented. This analysis leads to a general formulation of base-bias effects due to the flow of the forward as well as the reverse base current. An experimental proof is added.     

Low-frequency noise in GaAs Schottky-gate f.e.t.s.

Measurements of the low-frequency noise in GaAs Schotty-gate f.e.t. channels have been performed from 10 Hz to 0.5 MHz between ?120 and +21 °C. Diffusion and recombination noise sources appear to be predominant at low temperatures for low-power-level conditions. Nous avons entrepris la mesure du bruit basse fréquence prenant naissance dans le canal des f.e.t. à l'arséniure de gallium pour des fréquences allant de 10 Hz à 0. 5 MHz et une température comprise entre ?120 et +21 °C. Nous avons mis en évidence que pour de faibles puissances dissipées les sources de bruit principales à basse température ont pour origine des phénomènes de diffusion et de génération recombinaison.     

Ein vorschlag zur verstärkung von plasmawellen in festkörpern mit massenanisotropie

The dispersion and amplification of transverse waves in drifting solid-state plasmas is investigated. The system is represented by the superposition of a wave in the hole plasma and an electron helix. It is found that a left circular-polarized wave near cyclotron resonance of the holes is amplified if both electron and hole cyclotron frequencies are large compared with their collision frequencies, and if the electron drift mobility is much higher than that of the holes. These conditions are fulfilled in a solid with special anistropy of the effective electron and hole masses, e.g. in the trigonal direction of a bismuth single-crystal. However the local theory presented here is only qualitatively applicable in this case since the electron Fermi velocity is much higher than the calculated drift velocity.

Résumé

La dispersion et l'amplification éventuelle d'ondes transversales dans les plasmas glissants des solides font l'objet de l'étude. Le système est représenté par la superposition d'une onde dans le plasma des trous et d'une hélize d'électrons. Il en résulte qu'une onde polarisée circulairement à gauche est amplifée à proximité de la résonance cyclotron des trous lorsque les fréquences cyclotron des électrons et des trous sont beaucoup plus élevées que leurs fréquences de choc et si la mobilité des électrons glissants est grande par rapport à celle des trous. Dans un solide présentant une anisotropie spéciale des masses effectives des électrons et des trous, ces conditions sont en principe remplies p.ex. dans la direction de l'axe trigonal d'un monocristal de bismuth. Les résultats ne sont cependant applicables à ce cas que qualitativement, puisque la vitesse de Fermi des électrons est beaucoup plus granfe que la vitesse de glissement obtenue par le calcul.     

Aiguillage et convertisseur virgule-flottante/virgule-fixe cellulaires (Cellular arrays as a programmable switch and floating-point/fixed-point convertor)

On définit ici une cellule élémentaire, qui permet de construire un aiguillage, l'équivalent combinatoire d'un registre à décalage, un convertisseur virgule flottante/virgule fixe. L'utilisation de passages enterrés permettrait une réalisation en circuit intégré assez compacte, avec métallisation unique pour les interconnections. An elementary routing cell is defined, and used in several arrays: a programmable switch, a switching-network equivalent to a shift register and a floating/fixed-point convertor. Designing the last one for integration, with deep contacts would lead to a rather compact array, which needs only one interconnection metallisation.     

Un resultat sur l'application de procédés limites de synthèse à des fonctions booléennes (Result of limited synthesis procedures applied to switching)

Lors de l'essai de synthèse d'une fonction Booléenne par une méthode qui ne permet pas d'atteindre toutes les fonctions complètes, la probabilité de succés est plus élevée si la fonction est quelconque (et, en particulier, incomplète) que si elle est complète. On donne ici une limite inférieure du gain moyen. When it is attempted to synthetise a switching function by a given limited method, i.e. one which does not generate all the complete functions, the probability of success is greater on any functions, complete or not, than on a complete one. The letter gives a lower bound on the average gain.     

Implanation de sélénium dans le Ga1?xAlxAs (Implanation of selenium into Ga1?xAlxAs

Par implantation d'ions de sélénium, de fines couches de type n sont obtenues dans le Ga0.71 Al0.29As. Pour les faibles doses, I'activité électrique est proche de 100%, et I'effet de l'implantation est comparable pour le GaAs et le Ga1?x Alx As. Les mêmes resultats sont obtenus en utilisant du Si3N4 ou de l'AIN comme film de protection. By implantation of selenium ions, thin n-type layers are obtained in Ga0.71Al0.29As. For small doses, the electrical activity is close to 100%. and the effect of the implantation is comparable for GaAs and Ga1?x AlxAs. The same results are obtained when using Si3N4 or AlN as a protective film.     

Forced oscillations in an oscillating circuit utilising nonlinear capacitance

This letter deals with forced oscillations in an oscillating circuit with nonlinear capacitance. The method in Reference 6 is used, which does not put limitations on the amplitude of the oscillations or on the degree of nonlinearity in the circuit. The resonance characteristic and the conditions for monostable and bistable régimes of the circuit oscillations are examined.     

Einfluss des Abstandes Emitter-Basiskontakt auf die Stromverstärkung bipolarer Transistoren

The diffusion of minority carriers from the emitter junction toward the base contact of bipolar transistors with very small dimensions cannot be neglected. The influence of this diffusion on base-current and current-amplification was demonstrated by means of analogue model-measurements. In order to calculate the diffusion toward the base contact an analytical approach is derived for the distribution of the minority carrier density between the emitter region and the base contact. There is reasonably agreement for a comparison between analytical predictions and analogue simulations for typical structures and impurity distributions.

Résumé

Chez les transistors bipolaires aux petites dimensions, la diffusion des porteurs minoritaires ne peut pas être négligée. L'influence de cette diffusion sur le courant de base et sur l'amplification du courant est démontrée par des mesures sur des modèles analogues. Une solution approximative analytique pour la distribution de la densité des porteurs minoritaires entre la région d'émetteurs et le contact de base est dérivée pour le calcul de la diffusion à la contact de base. Un assez bon rapport entre le calcul et le modèle analogue est démontré par des exemples donnés par des zones de base de géométrie typique et des différentes distributions des impurités.     

A.C. admittance of double-injection space-charge-limited diodes

It is shown that the high-frequency admittance for a double-injection space-charge-limited diode can be written in a very simple form both for the ohmic-relaxation régime and for the dielectric-relaxation régime.     

Unilateral gain of heterojunction bipolar transistors at microwavefrequencies

General expressions for the h parameters of small-signal equivalent circuit models for emitter-up and emitter-down heterojunction bipolar transistors (HBTs) are derived. The unilateral gain U is calculated from these h parameters for InGaAs/InAlAs n-p-n HBTs. When the device parasitics are sufficiently reduced, the unilateral gain is found to exhibit a resonance behavior at high frequencies that deviates from the traditionally assumed 6-dB/octave roll-off. This unusual behavior in the unilateral gain is found to be caused by the appearance of negative output conductance of the device in certain bands of frequencies. The occurrence of the negative output conductance is shown to be a transit-time effect, and its implication for the device performance at high frequencies is discussed