高跨导AlGaN/GaN HEMT器件

报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaN HEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1.0μm,源漏间距为4.0μm.器件的最大电流密度达到1000mA/mm,最大跨导高达198mS/mm,转移特性曲线表现出增益带宽较宽的特点.同时由所测得的S参数推出栅长为1.0μm器件的截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为18.7GHz和19.1GHz.     

高性能ZnO HFET器件的开发

据《信学技报》(日)2010年109-361期报道,日本大阪大学纳米材料微器件研究中心采用ZnO宽禁带半导体材料制作了具有微波特性的HFET器件。ZnMgO/ZnO异质结构形成了高迁移率、高浓度的二维电子气。该器件源栅间距为2μm,栅宽为100μm,跨导为23 mS/mm,最大漏电流约为6 mA。该器件高频特性,截止频率为1.75 GHz,最大振荡频率为2.45 GHz。     

高跨导AlGaN/GaN HEMT器件

报道了生长在蓝宝石衬底上的AlGaN/GaNHEMT器件的制造工艺以及在室温下器件的性能.器件的栅长为1 0 μm ,源漏间距为4 0 μm .器件的最大电流密度达到1 0 0 0mA/mm ,最大跨导高达1 98mS/mm ,转移特性曲线表现出增益带宽较宽的特点.同时由所测得的S参数推出栅长为1 0 μm器件的截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为1 8 7GHz和1 9 1GHz.     

跨导为325mS/mm的AlGaN/GaN HFET器件

报道了使用国产GaN外延材料（蓝宝石衬底）的AlGaN/GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能. 器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm. 器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.921A/mm,最大跨导为325mS/mm,由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27.9GHz和33.1GHz.     

跨导为325mS/mm的AlGaN/GaN HFET器件

报道了使用国产GaN外延材料(蓝宝石衬底)的AlGaN/GaN HFET器件的制备以及室温下器件的性能.器件栅采用场板结构,其中栅长为0.3μm,场板长为0.37μm,源漏间距为3μm.器件的饱和电流密度为0.572A/mm,最大漏电流密度为0.921A/mm,最大跨导为325mS/mm,由S参数外推出截止频率和最高振荡频率分别为27.9GHz和33.1GHz.     

4H-SiC MESFET器件的制备与性能

在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅长栅宽分别为0.5μm/80μm,0.7μm/80μm和2μm/2mm,其中0.5μm/80/μm的MESFET器件的漏极电流密度最高,频率特性最好.在漏源电压Vds=10V时,它的漏极电流Ids约为14mA,电流密度为175mA/mm,最大跨导为25mS/mm,fT=3.5GHz,fmax=7GHz.     

4H-SiC MESFET器件的制备与性能

在半绝缘4H-SiC衬底上成功制备出MESFET器件,并完成直流特性测试和交流小信号特性测试工作.共制备出3种结构尺寸的MESFET器件,其栅长栅宽分别为0.5μm/80μm,0.7μm/80μm和2μm/2mm,其中0.5μm/80/μm的MESFET器件的漏极电流密度最高,频率特性最好.在漏源电压Vds=10V时,它的漏极电流Ids约为14mA,电流密度为175mA/mm,最大跨导为25mS/mm,fT=3.5GHz,fmax=7GHz.     

增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT

成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT. 栅长1.2μm,源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大跨导为221mS/mm,阈值电压为0.57V, ft和fmax分别为5.2和9.3GHz. 比较刻蚀前后的肖特基I-V特性,证实了槽栅刻蚀过程中非有意淀积介质层的存在. 深入研究了增强型器件亚阈特性和频率特性.     

高跨导AlGaN/GaN HFET器件研究

报道了蓝宝石衬底上AlGaN/GaNHFET的制备以及室温下器件的性能。器件栅长为0.8μm,源漏间距为3μm,得到器件的最大漏电流密度为0.7A/mm,最大跨导为242.4mS/mm,截止频率(fT)和最高振荡频率(fmax)分别为45GHz和100GHz。同时器件的脉冲测试结果显示,SiN钝化对大栅宽器件的电流崩塌效应不能彻底消除。     

增强型AlGaN/GaN槽栅HEMT

成功研制出蓝宝石衬底的槽栅增强型AlGaN/GaN HEMT.栅长1.2μm.源漏间距4μm,槽深15nm的器件在3V栅压下饱和电流达到332mA/mm,最大跨导为221mS/mm,阈值电压为0.57V,ft和,fmax分别为5.2和9.3GHz.比较刎蚀前后的肖特基,Ⅰ-Ⅴ特性,证实了槽栅刻蚀过程中非有意淀积介质层的存在.深入研究了增强型器件亚阈特性和频率特性.     

一种新型高功率输出窗的设计与研究

高功率速调管不断发展,输能窗不仅要满足驻波匹配好、热可靠性高等要求,还需要满足高充气压力下的结构可靠性。文中介绍了一种新研制的高功率速调管输出窗,该输出窗形状不同于传统常用的波导窗窗片,形似"舌头"状,为异形陶瓷。该输出窗不仅在2.05~2.7 GHz(相对带宽26.8%)范围内具有匹配好的驻波及承受20 kW左右功率的可靠性,还满足大充气压(0.9 MPa)下的结构可靠性。该输出窗的研制,解决了高功率系统中大充气压损坏速调管输能窗的问题,为高功率速调管在高功率设备中的应用提供了技术保障。     

浅谈高能量NiMH电池

为了解NiMH电池的工作特性，评价其在电动车辆上的使用性能，对NiMH电池进行了充电试验测试。基于实验结果，给出了NiMH电池的工作电压、工作电压下降率和温升等特性曲，并对这些特性进行了详细的研究和分析，同时也对NiMH电池单体在充放电过程中的一致性行了分析评价。摘．放线进     

SPNRD的光电负阻特性与光学双稳态特性间的对应关系

文章对电阻为负载时,硅光电负阻器件（ＳＰＮＲＤ）的光电负阻特性和光学双稳态特性间的对应关系进行了系统的分析。定义了描述静态光学双稳态特性的７个基本参数,并分析了负载电阻（ＲＬ）和电源电压（Ｖ０）对这些参数的影响,理论分析结果与实测结果相一致,所得出的结论适用于由负阻特性产生双稳态特性的所有情况１。     

TiO2-V2O5陶瓷的复合特性研究

报道了TiO2-V2O5陶瓷的制备工艺和复合功能特性的研究结果。该陶瓷使用传统的陶瓷工艺制备，并测量了其性能参数。该陶瓷具有复合功能特性，即半导体特性、介电特性和压敏特性。用TiO2—V2O5陶瓷可以制备复合功能陶瓷器件。     

二相编码信号特征分析

相位编码信号具有较强的似噪声性和良好的低截获概率特性。二相编码信号由于其技术简单、成熟成为常用的脉压雷达信号。对二相编码信号的特征进行了一些分析．以便为今后设计雷达信号或进行脉压信号的脉内特征分析提供一点参考。     

正激式开关电源输出滤波特性的分析与仿真

文中对正激式开关电源的输出LCR组合滤波特性进行了深入分析,在比较分析以往一些相关研究的基础上,从时域和频域计算仿真了LCR组合滤波器的功能性能以及关键零点频率,以指导变换器环路补偿设计。     

上海某办公楼建筑的能量特性的分析

通过对上海某办公楼的模拟计算，对单层、双层玻璃幕墙及双层通风玻璃幕墙在夏季、过渡季、冬季典型目的温度、负荷特性进行分析比较，研究它们的能量特性，探讨新型的双层玻璃幕墙、双层通风玻璃幕墙的节能效果。     

i-GaAlAs/GaAs异质结绝缘栅场效应晶体管的静态特性研究

本文在改进型电荷控制模型基础上,引进GSW速度场方程,推导出异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFETs)的I_D-V_D-V_G,I_(DS)-V_G,G_m,和C_G等一系列静态特性方程。计算结果与文献实测值进行了比较,在V_G<2V,I_D相似文献   

基于幅频特性的相频特性的测试法研究及仿真

目前关于相频特性的检测是基于相位检波的原理而成的,由于其价格昂贵而使其应用受到限制.该文由幅频特性出发,通过幅频特性和相频特性的关系,采用测量其幅频特性作为相频特性的初始值,讨论了利用求参数法,利用特殊值法以及求f0、BW0.7法求解相频特性的方法,并应用MATLAB编程精确的给出相频特性的测试图.     

ANALYTICAL RESEARCH ON THE STATIC CHARACTERISTICS OF HETEROSTRUCTURE ISOLATED GATE FIELD-EFFECT TRANSISTORS

Based on improved charge control model and combining GSW velocity-field equa-tion, a series of analytical solutions for the static characteristics of HIGFETs such as I_D-V_D-V_G,I_(DS)-V_G, G_m and C_G are derived. The results of calculation are compared with experimentaldata reported in references, within the range of V_G<2V, I_D相似文献