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以Bi2O3和SiO2为原料,采用高能球磨法制备了硅酸铋(Bi12SiO20)粉体。通过x射线衍射和扫描电子显微镜分析了合成粉体的相结构和形貌,研究了球磨时间对产物相组成的影响;使用红外光谱分析和拉曼散射光谱对球磨得到的样品进行了分析。结果显示:球磨8h后出现了Bi12SiO20的晶相结构;随着球磨时间的延长促进了Bi12SiO20的形成,从而提供了一种可以商业化大规模生产Bi12SiO20压电粉体的方法。 相似文献
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采用提拉法、电阻炉加热铂坩埚,a 轴取向生长纯的 Bi_(12)SiO_(20)和 Bi_(12)SiO_(20)∶0.05wt·%MnO_2,0.02wt·%Cr_2O_3(BSO∶Mn,Cr)晶体。电子顺磁共振谱指出:光照后激活心电荷态各自为 Mn~(5+)和 Cr~(4+);其 g 因子大小分别为2.0009和1.9616。光照前 BSO∶Mn 在410~750nm 有吸收带,并和吸收边重叠,它相应于 Mn~(5+)离子 ~3A_2→~3T_2,~3T_1跃迁,Mn~(5+)和 Mn~(4+)同时在晶体里存在。光照后,Mn~(5+)离子吸收增加。另外,BSO∶Cr 光色效应可通过 Cr~(5+)→Cr~(4+)电荷传输过程来解释。纯 BSO 晶体粉末有一个 g=2.0109峰宽为75G 的 ESR 带,这带被归为本征捕获空穴心。 相似文献
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空间高温实时观察装置(SHITISOI)被用于观察和记录在Li2B4O7溶体中KNbO3胞状结晶的整个生长过程,并对胞状结晶生长过程中浮力对流和表面张力对流的影响进行了研究.首次观察到空间条件下,Li2B4O7溶体中稳态表面张力对流图像,它呈镜面对称的抛物线状.由于表面张力对流的作用,KNbO3胞晶生长且充满了整个的溶体.而在地面上,由于浮力抑制表面张力,降低了胞晶在流体中的生长速度,使溶质KNbO3胞晶在Li2B4O7溶体中分布不均匀,本文还提出了胞状结晶生长理论的模型.这个模型的主要特点是表面张力对流起始于KNbO3胞晶的界面上;这是由于KNbO3溶质扩散速率减少而引起的KNbO3溶质表面张力梯度.本模型的预言和实验所观察的现象吻合得比较好,这说明该理论模型是合理、可靠的. 相似文献
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采用分子动力学方法模拟了7种组分的Na20-- A1203 -- SiO2体系微晶玻璃熔体结构,分析了体系的径向分布函数、键长分布和键角分布,得出了不同含量Na+对Na20-- A1203 -- SiO2体系玻璃网络结构的影响。 相似文献
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Bi12TiO20晶体是一种优良的全息记录材料。本论文对纯Bi12TiO20和掺Ce∶Bi12TiO20晶体的衍射效率、半波电压、旋光度等性能进行了测试,并讨论了掺入的Ce对晶体性能的影响,Ce^4+离子在晶体中取代Bi^3+离子形成新的区域中心。此外还探讨了Ti原子对晶体旋光度的影响,认为Bi12TiO20晶体旋光度远小于Bi12SiO20、Bi12GeO20的根本原因在于Ti原子的性质和极化不 相似文献
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在壳模型的基础上, 通过分子动力学方法模拟了压强对Bi4Ti3O12(BIT)铁电相变行为的影响. 为了提高模拟的准确性, 在原有势参数的基础上增加了Ti-Ti短程相互作用势. 计算得出了温度为300K时BIT单晶的铁电正交B2cb相在x方向和z方向的自发极化强度分别为39.4μC/cm2和0, 与实验结果较好的吻合. 然后模拟了压强对BIT相变行为的影响. 模拟结果表明: BIT单晶在压强从-2 GPa到24 GPa范围内, 经历了两次结构相变, 分别发生在 6 GPa和20 GPa处. 这种对称性的改变类似于在环境压力条件下温度导致BIT单晶对称性的改变. 因而模拟结果为研究压强引起BIT的相变行为提供了理论依据. 相似文献
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生长了六种掺杂锗酸铋(简称 BGO)晶体(分别掺 Fe、Cr、Mn、W、Pb 和 Ce)。在合适的测试条件下,测量了它们的光吸收系数、光电导参数和暗电导率,并与未掺杂样品进行了比较。计算出了样品的特征参量μφτ,为上述材料光折变性质的研究提供了必不可少的数据。在此基础上,对 BG0∶Cr、BGO∶Fe 和BGO∶Mn 晶体的光折变机制进行了简略的讨论,认为 BGO∶Cr 中的光折变中心可能是:Cr~(3+)作为施主,Cr~(4+)作为电子陷阱;或 Cr~(4+)作为受主,Cr~(3+)为空穴陷阱。 相似文献