PbF2:Gd晶体的发光强度与发光均匀性研究

以Ｘ射线荧光光谱分析为手段,测试了用Ｂridgman方法生长的ＰbF2:Gd晶体中Ｇd离子沿生长方向的分布。发现该晶体在Ｘ射线激发下的发光强度与Ｇd在ＰbF2晶体中的含量变化均从结晶开始端至结晶结束端逐渐降低,表明ＰbF2:gD晶体的发光是不均匀的。这种不均匀性源于Ｇd离子在ＰbF2晶体中的分布不均匀性,通过在ＰbF2:Gd晶体中掺入一定量的碱金属离子,可以比较有效地改善Ｇd离子在ＰbF２晶体中的不均匀分布,使晶体的发光均匀性和透光率得到明显提高,其中以Ｎa离子的均匀化效果为最好,推测Ｎa离子的作用是消除了ＰbF2:Gd晶体中因子Ｇd离子的掺杂而造成的间隙Ｆ离子,从而使晶体中的缺陷浓度大大降低。     

PbF2：Gd,Eu晶体X射线激发的发射光谱

用脱氧剂非真空环境下、Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ方法生长未掺和掺钆和铕的、浓度范围在０．１￣０．２ｗｔ％的ＰｂＦ２：β晶体。本文报导Ｘ射线激发ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体的Ｇｄ＾３＋发射。揭示了分别来自＾６Ｐ和＾６Ｉ多重态３１２．５和２７７．４ｎｍ发射带，而＾６Ｄ→＾８Ｓ发射被点阵再吸收。＾６Ｉ的发射强度低于＾６Ｐ，说明＾６Ｐ能级优先占据。室温下以Ｘ射线激发在３６８．９和８１４．５ｎｍ之间观察到１４条Ｅｕ＾３＋     

用于氟化镓铟高数值孔径光纤的氟磷酸盐和氟锆酸盐和氟锆酸盐包 …

为了得到用于１．３μｍ光通讯窗口掺镨化镓铟（ＰＧＩＣＥ）高数值孔光纤，本文报道以ＺｒＦ４－ＢａＦ２－ＬａＦ３－ＡｌＦ３－Ｎａ（Ｌｉ）Ｆ－ＰｂＦ２（ＺＢＬＡＮ（Ｌｉ）Ｐｂ）和ＮａＰＯ３－ＢａＦ２－ＺｎＦ２－ＰｂＦ２（ＦＰＧ）玻璃作为包层材料，研究了芯和包层玻璃在物理性质和化学组分上的匹配性，差热扫描（ＤＳＣ）和电镜（ＳＥＭ）分析表明ＰＧＩＣＺ／ＺＢＬＡＮ（Ｌｉ）Ｐｂ虽在物理性质上匹配，但在化学组分不     

RF Plasma MBE生长GaN材料及特性研究

用ＲＦＰｌａｓｍａ ＭＢＥ方法生长出了ＧａＮ 材料,它的Ｘ 射线衍射半峰宽为３３５ 秒,７７Ｋ 下ＰＬ发光峰半峰宽为２２ｍｅＶ,表明了材料具有较高的晶体质量。根据Ｘ射线衍射分析,位错密度约为７ ．３ ×１０８ｃｍ －２ 。用Ｓｉ 作为掺杂剂,所得载流子浓度可覆盖１０１７ － １０１９ｃｍ －３ 的范围。掺Ｓｉ ＧａＮ 的ＰＬ谱表明,Ｓｉ 的引入可提高材料的发光效率。     

纳米PbF2的制备、物相组成和离子导电性

采用惰性气体蒸发和原位真空压结法制备了具有清洁界面的纳米ＰｂＦ２块材。通过Ｘ射线衍射、差热分析和复平面阻抗谱方法,研究了相结构、相变和离子电导率。结果表明,纳米ＰｂＦ２比粗晶ＰｂＦ２的离子电导率大幅提高,相变温度降低了３０℃。     

CsCdF3:Cr3+晶格畸变及其Cd2+-空位研究

按照零场分裂（ＺＦＳ）的三阶微扰理论和叠加晶场模型,建立了ＺＦＳ参量Ｄ与ＣｓＣｄＦ３：Ｃｒ＾３＋晶格结构之间的定量关系,同时考虑了晶格畸变和Ｃｄ＾２＋空位对零场分裂参量Ｄ的贡献,计算了ＣｓＣｄＦ３：Ｃｒ＾３＋晶体的零场分裂参量Ｄ,计算结果与实验符合甚好,证明了晶格畸变和Ｃｄ＾２＋空位的存在,同时得到ｒ＾３＋离子的Ｆ＾－离子向中心Ｃｒ＾３＋离子分别移动Ｘ１＝０．００２９１ｎｍ,Ｘ２＝０．００１ｎｍ,     

CsCdF3:Cr3+晶格畸变及其Cd2+-空位研究

按照零场分裂（ＺＦＳ）的三阶微扰理论和叠加晶场模型,建立了ＺＦＳ参量Ｄ与ＣｓＣｄＦ_３：Ｃｒ^３＋晶格结构之间的定量关系;同时考虑了晶格畸变和Ｃｄ^２＋空位对零场分裂参量Ｄ的贡献,计算了ＣｓＣｄＦ_３：Ｃｒ^３＋晶体的零场分裂参量Ｄ,计算结果与实验符合甚好．证明了晶格畸变和Ｃｄ^２＋空位的存在;同时得到包围 Ｃｒ^３＋离子的 Ｆ^－离子向中心 Ｃｒ^３＋离子分别移动Ｘ_１＝０．００２９１ｎｍ,Ｘ_２＝０．００１ｎｍ,Ｘ_３＝０．００２６ｎｍ．ＣｓＣｄＦ_３：Ｃｒ^３＋晶体基态的ＺＦＳ主要来自Ｃｄ^２＋空位,但晶格畸变的贡献是不能忽略的．     

用于光纤电流传感器的BiGd∶YIG和Gd∶YIG磁光单晶的生长及性能研究

本文用助溶剂熔盐法生长了具有高法拉第旋转角、低温度灵敏性的磁光石榴石单晶：（ＹＢｉＧｄ）３Ｆｅ５Ｏ１２（ＢｉＧｄ∶ＹＩＧ）和（ＹＧｄ）３Ｆｅ５Ｏ１２（Ｇｄ∶ＹＩＧ）。对所生长的单晶,经Ｘ射线和扫描电镜能谱测试,分析了结构和晶体组成。测试光吸收系数和比法拉第旋转角等磁光性能,并用分子场理论分析了晶体的饱和磁化场和法拉第旋转角随温度变化的关系。结果表明ＢｉＧｄ∶ＹＩＧ非常适合光纤电流传感系统等一些磁光器件的应用     

PbF2晶体发光性能的研究历史和现状

本文阐述了ＰｂＦ２可用作闪烁晶体的许多优点，并对其发光性能的研究历史，特别是它在低温、相变和掺杂条件下的发光特征作了评述，报道了ＰｂＦ２晶体发光性的最新研究进展，明确了目前存在的问题及今后应注意的几个研究方向。     

X射线影像存储材料BaF_xCl_（2－x）Eu~（2＋）的制备及其热释发光和

本文采用了不同温度下两次烧结的新方法，制备了系列Ｘ射线影象存储材料ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）（ｘ＝０．９０，０．９５，１．００，１．０５，１．１０１．１５）。通过改变Ｆ／Ｃｌ比值，研究了在Ｘ射线辐照后ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的热释发光性质，给出了热释发光峰的温度与缺陷种类的关系。最后，我们研究了ＢａＦ＿ｘＣｌ＿（２－ｘ）：Ｅｕ￣（２＋）的光激励发光性质，给出了Ｆ／Ｃｌ比值与光激励发光强度的关系。     

Eu3+对Na3Gd2(BO3)3∶Tb3+发光性能的影响及其能量传递

采用高温固相法制备了Na_3Gd_2(BO_3)_3∶Tb~(3+),Eu~(3+)荧光粉,并对样品的物相组成、微观形貌、发光性能和能量传递进行了分析。结果表明,Na_3Gd_(2-x)(BO_3)_3∶xTb~(3+)荧光粉在紫外和近紫外区域有较强的激发峰,在368nm波长激发下,发射光呈绿色,Tb~(3+)最佳掺杂量为x=0.04。随着在Na_3Gd_(1.96)(BO_3)_3∶0.04Tb~(3+)中掺入Eu~(3+),Tb~(3+)对Eu~(3+)产生了以电偶极-电偶极相互作用为主的能量传递,且传递效率随Eu~(3+)掺杂量的增加而逐渐增大。发射光谱中Tb~(3+)的发射峰强度逐渐减弱,而Eu~(3+)的发射峰强度逐渐增强,导致Na_3Gd_(1.96-y)(BO_3)_3∶0.04Tb~(3+),yEu~(3+)荧光粉发光颜色由绿色向橙色变化。     

掺杂条件对掺杂PVCz薄膜发光性能影响的研究

采用荧光染料 Oxazine- 72 0作掺杂剂 ,对聚乙烯基咔唑 ( PVCz)进行掺杂 ,研究了掺杂溶液浓度、掺杂温度和掺杂时间对掺杂 PVCz膜发光性能的影响 ,旨在制备高发光效率和发光强度的 PVCz膜     

光激发下Li6Gd(BO3)3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性

研究了80-500K范围内，光激发下Li6Gd（BO3）3：Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性．在346nm光激发下，热猝灭占优势，发光随温度升高而降低．在274nm光激发下，发光由Gd^3＋向Ce^3＋的能量传递和热猝灭共同决定：低于200K时，能量传递占支配地位，发光随温度升高而增强；高于200K时，热猝灭占优势，发光随温度升高而减弱．225K以下，辐射跃迁占优势，衰减随温度升高而略有增大；225K以上，无辐射跃迁占优势，衰减随温度升高而减小．利用经典的热猝灭公式和Arrhenius公式，获取的激活能分别为0．33和0．32eV．     

Effect of vapor transport equilibration and Mg doped on the luminescence of Er:LiNbO3

Luminescence properties of the congruent and vapor transport equilibration (VTE) treated Er:LiNbO₃ and Er:Mg:LiNbO₃ crystals were recorded at room temperature. It is observed that VTE treatment could enhance the emission intensity of Er³⁺ ions and doping with MgO would weaken it in the visible spectra. As a result, the luminescence intensity of Er³⁺ ions in the VTE treated Er:Mg:LiNbO₃ crystal increased up to 2.2 times than that in the congruent Er:LiNbO₃ crystal. In addition, both VTE treatment and doping with MgO result in some changes of the relative emission intensity of some peaks in the visible emission spectra. In the infrared emission spectra, the luminescence peak at 1540 nm of Er³⁺ ions shifts towards the larger wavelength when the Er:LiNbO₃ crystals were treated using VTE or doped with MgO. The changes in crystalline environment of Er³⁺ ions due to VTE treatment or doping with Mg²⁺ play a key role in these phenomena.     

Hydrothermal synthesis and luminescence behavior of lanthanide-doped GdF/sub 3/ nanoparticles

The lanthanide-doped GdF/sub 3/ nanoparticles have been produced by a simply hydrothermal synthesis procedure. The excitation and emission spectra of the Eu/sup 3+/-doped GdF/sub 3/ nanoparticles showed that the excitation energy of Gd/sup 3+/ is efficiently transferred to Eu/sup 3+/ in the Eu/sup 3+/-doped GdF/sub 3/ nanoparticles. Due to very low phonon energies of GdF/sub 3/ matrix, the /sup 5/D/sub 1/ emission of Eu/sup 3+/ ions in the Eu/sup 3+/-doped GdF/sub 3/ nanoparticles can be observed at room temperature when the doping concentration of Eu/sup 3+/ ions is lower than 15 mol%. The luminescence intensity of the Eu/sup 3+/-doped GdF/sub 3/ nanoparticles increased with increasing concentration of Eu/sup 3+/ ions and reached a maximum at approximately 15 mol%. The Er/sup 3+/-doped GdF/sub 3/ nanoparticles exhibit the typical emission spectra of Er/sup 3+/ in the near-infrared region. The upconversion emission of the Er/sup 3+//Yb/sup 3+/ codoped GdF/sub 3/ nanoparticles can also be observed. However, the upconversion emission intensity of the Er/sup 3+//Yb/sup 3+/-codoped GdF/sub 3/ nanoparticles was much weaker than that of the Er/sup 3+//Yb/sup 3+/-codoped GdF/sub 3/ bulk crystal.     

Green emission enhancement of Ba2SiO4:Eu2+ phosphor via Gd co-doping and charge compensation

A series of new green-emitting Ba_2?x?2ySiO₄:xEu²⁺, yGd³⁺, yR⁺ (R = Li, Na or K) phosphors were synthesized by the solid-reaction method. X-ray diffraction (XRD) and fluorescence spectrophotometer are utilized to characterize the crystal structure and luminescence properties of the as-synthesized phosphors, respectively. The XRD patterns reveal that the doping of Gd³⁺, Eu²⁺ and R⁺ ions have no significant influence on the Ba₂SiO₄ phase. The green emission of Eu²⁺ ion associated with 4f⁶5d¹ → 4f⁷ can be obtained by 396 nm UV excitation source, which match well with the emission wavelength of UV-LEDs chip (380–420 nm). Moreover, the effect of charge compensator ions (Li⁺, Na⁺ or K⁺) on the luminescence intensity of (Ba, Gd)₂SiO₄:Eu²⁺ phosphors were also investigated. When introducing the Li⁺ ions into the (Ba, Gd)₂SiO₄ host lattices, the as-prepared phosphors show the strongest emission. The emission intensity of Ba_1.95SiO₄:0.04Eu²⁺, 0.005Gd³⁺, 0.005Li⁺ is about 1.39 times than that of Ba_1.96SiO₄:0.04Eu²⁺. Furthermore, the mechanism of energy transfer and concentration quenching of Ba_1.982?xSiO₄:xEu²⁺, 0.009Gd³⁺, 0.009Li⁺ phosphors are also discussed.     

Mg共掺杂Gd3(Al,Ga)5O12:Ce晶体快发光的作用机理

Gd₃(Al,Ga)₅O₁₂:Ce (GAGG:Ce)闪烁体综合性能优异, 应用前景广阔。为加快GAGG的发光衰减速度, 本研究通过提拉法生长了Mg共掺的Gd₃(Al,Ga)₅O₁₂:Ce单晶。测试结果显示, 随着Mg²⁺掺杂浓度增加, 晶体的闪烁衰减速度加快, 光输出降低。传统解释认为, Mg²⁺通过电荷补偿作用将部分Ce³⁺转换成Ce⁴⁺, 后者的发光速度更快。本研究尝试从缺陷的形成与抑制的角度来讨论Mg改善GAGG:Ce晶体闪烁性能的作用机理。由于Ce的离子半径比Gd大, Ce离子掺入将导致发光中心Ce_Gd附近的晶格发生畸变。畸变结果为近邻的八面体格位空间变大, 反位缺陷将更容易在这些变大的八面体格位形成。最终每个发光中心Ce_Gd被四个反位缺陷Gd_Al包裹, 后者捕获载流子, 延缓从基体到发光中心的能量传递, 导致发光速度变慢。由于Mg的离子半径介于Gd和Al之间, Mg_Al将更容易在上述畸变的八面体格位形成, 这会抑制反位缺陷Gd_Al在发光中心Ce_Gd附近形成(或富集), 最终降低(甚至消除)反位缺陷对发光中心的不良影响。XEL测试结果显示, 随着Mg掺杂量增大, 与反位缺陷相关的发射峰强度变弱, 这可以证明Mg对反位缺陷有抑制作用。     

Zn2+掺杂诱导Eu3+激活BiOCl层状半导体的反常发光性能研究

采用固相法在500℃下成功制备Zn²⁺掺杂BiOCl:Eu³⁺层状半导体, 并研究了Zn²⁺ (0~20mol%)掺杂对Eu³⁺激活BiOCl层状半导体发光性能的影响。利用X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、扫描电镜(SEM)、傅里叶变换红外光谱(FT-IR)、激发-发射光谱、荧光寿命衰减曲线对样品的结构和性能进行表征。研究发现, 随Zn²⁺掺杂浓度增大, BiOCl晶体结构不变, Eu³⁺荧光寿命延长, 但发光强度却出现先减后增的反常现象。综合分析表明这可能与BiOCl特殊的层状结构有关。通过XRD和XPS的表征可以推断: 当Zn²⁺掺杂浓度≤10mol%, Zn²⁺在BiOCl中掺杂方式以晶胞层间隙掺杂为主; 当Zn²⁺掺杂浓度>10mol%后, 掺杂方式逐渐向取代掺杂转变。两种掺杂机制对Eu³⁺荧光寿命的改变以及形成缺陷对基质能量传递效率的影响可能是形成上述反常现象的主要原因。研究结果有助于认识稀土掺杂层状半导体的发光性能及影响规律, 并对Eu³⁺掺杂BiOCl这类新型发光材料的开发设计具有指导意义。     

Ln(Ln=Gd3+,Cu+,Sm3+,Dy3+)助激活的Ca8Mg（SiO4）4Cl2∶Eu2+荧光粉的光谱特性和Eu2+的格位计算

采用高温固相法合成了掺杂Ln(Ln=Gd3+,Cu+,Sm3+,Dy3+)作助激活离子的氯硅酸镁钙荧光粉。通过X射线衍射(XRD)对Ca8Mg(SiO4)4Cl2∶Eu2+,Ln进行了表征,结果表明Ln的共掺杂并没有影响基质晶体的面心立方结构。所合成的荧光粉发射峰值位于507nm的绿光区,激发光谱在330~430nm之间均有较强吸收,与紫光InGaN芯片(395nm)相匹配。掺杂Ln作助激活剂增强了荧光粉的发光强度。借助Uitert经验公式计算出Eu2+在Ca8Mg(SiO4)4Cl2基质中占据八配位Ca(Ⅱ)格位。