PbF2:Gd晶体的发光强度与发光均匀性研究

以Ｘ射线荧光光谱分析为手段,测试了用Ｂridgman方法生长的ＰbF2:Gd晶体中Ｇd离子沿生长方向的分布。发现该晶体在Ｘ射线激发下的发光强度与Ｇd在ＰbF2晶体中的含量变化均从结晶开始端至结晶结束端逐渐降低,表明ＰbF2:gD晶体的发光是不均匀的。这种不均匀性源于Ｇd离子在ＰbF2晶体中的分布不均匀性,通过在ＰbF2:Gd晶体中掺入一定量的碱金属离子,可以比较有效地改善Ｇd离子在ＰbF２晶体中的不均匀分布,使晶体的发光均匀性和透光率得到明显提高,其中以Ｎa离子的均匀化效果为最好,推测Ｎa离子的作用是消除了ＰbF2:Gd晶体中因子Ｇd离子的掺杂而造成的间隙Ｆ离子,从而使晶体中的缺陷浓度大大降低。     

CsI(Tl)晶体发光均匀性的研究

本文对Tl分布、几何形状以及表面条件对大尺寸锥形CsI（Tl）晶体的闪烁发光均匀性的影响进行了研究,提出了改善大尺寸锥形CsI（Tl）晶体的发光均匀性的措施.     

KDP晶体光学均匀性检测实验研究

本文阐述了正交偏振干涉测量技术的基本原理和实验方法.Fizeau干涉仪的输出激光束经过线偏振镜后变为线偏振光,调整偏振方向让光束的偏振态分别平行于KDP晶体的o轴和e轴,得到两幅干涉图.通过这两幅干涉图的差值得到晶体的折射率分布不均匀性.该检测技术借助可改变输出激光偏振态的大口径干涉仪精确地测量晶体在切割方向上.光折射率和e光折射率的偏差.本文所采取的方法是在大口径干涉仪的小端口放入可改变偏振方向的线偏光镜.本文通过对一批330mm×330mm的大口径KDP晶体的折射率均匀性测量验证了该方法.     

钨酸铅(PbWO_4)晶体的发光均匀性研究

通过对下降法生长的全尺寸钨酸铅（ＰｂＷＯ４）晶体沿长轴方向不同点的透过率和光产额的测量、分段晶体的透过率和光产额的测量,研究了钨酸铅晶体的发光均匀性及其影响因素．结果表明：钨酸铅晶体发光均匀性主要由生长后期的钨酸铅晶体质量所决定,采用晶种为大头的加工取向有利于提高钨酸铅晶体的发光均匀性．     

钨酸铅(PbWO4)晶体的发光均匀性研究

通过对下降法生长的全尺寸钨酸铅（PbWO4）晶体沿长轴方向不同点的透过率和光产额的测量、分段晶体的透过率和光产额的测量,研究了钨酸铅晶体的发光均匀性及其影响因素。结果表明：钨酸铅晶体发光均匀性主要由生长后期的钨酸铅晶体质量所决定,采用晶种为大头的加工取向有利于提高钨酸铅晶体的发光均匀性。     

圆柱形光子晶体微波反应腔的加热效率和均匀性研究

微波加热具有瞬时、可控、高效等优点,已被广泛应用于新材料制备、核工业、名贵药材干燥、化学反应催化、食品加热等方面。微波反应腔作为微波加热系统的关键设备,其更加合理的设计对提升微波加热的效率、均匀性、可控性都具有决定性意义。基于光子晶体对电磁波的布拉格散射特性,将微波波段的光子晶体引入到传统圆柱形微波反应腔中,设计了一款新型圆柱形光子晶体微波反应腔。在此基础上,仿真研究了光子晶体对加热效率和均匀性的影响规律。研究结果表明,相较传统圆柱形微波反应腔,圆柱形光子晶体微波反应腔具有更高的加热效率和均匀性。     

PbF2晶体失透问题的研究

对PbF2晶体在生长过程中的失透以及晶体在加工和储运过程中发生的迭透现象进行了研究，认为晶体在生长过程中的失透是由于晶体生长时氧进入PbF2晶格中由八个氟原子所构成的六面体的中位置，而晶体在加工和储运过程中的迭秀则是由于接触了水造了水造晶体表面部分PbF2由立方相转变为斜方相小晶粒所致。     

大尺寸Y:PbWO4晶体的坩埚下降法生长与光学均匀性研究

报道了大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ_４晶体的坩埚下降法生长工艺,讨论了影响晶体生长的主要 因素．探讨了消除晶体开裂、抑制晶体组分过冷的工艺措施,成功地生长出无宏观缺陷的大尺 寸Ｙ：ＰｂＷＯ_４晶体,尺寸达５２ｍｉｎ×５２ｍｍ×２５０ｍｍ．同时,对实验样品沿晶体生长方向不同部 位的横向透过率及发射光谱进行了测试,结果表明,坩埚下降法生长的大尺寸Ｙ：ＰｂＷＯ_４晶体 具有较好的光学均匀性．     

压电谐振器振动不均匀性的研究

压电谐振器振动不均匀性的研究徐从元毛一葳姜文华（南京大学声学研究所近代声学国家重点实验室南京·２１００９３）１引言对压电谐振器已有过许多研究［１］，已经知道，某些晶体谐振器能工作在不同的振动模式。一般认为，通过仔细设计谐振器的形状可避免不同模式之间的...     

X射线荧光粉Gd2O2S:Pr,Ce的固相合成及发光性能研究

采用草酸铵共沉淀法实现在Gd2O3中掺杂Pr和Ce,以此为原料,硫粉为硫化剂,无水Na2CO3为助熔剂,1000℃真空固相合成了Gd2O2S:Pr和Gd2O2S:Pr,Ce粉末。采用XRD确认了反应产物为目标产物,制备的Gd2O2S:Pr为六方晶系单一相,粉末粒度分布1~10μm,在313 nm的紫外光激发下,主发射峰位于511 nm,属于Pr3+的3P0→3H4跃迁。主发射光强度随Pr3+的含量变化而改变,当Pr3+的含量在0.80%时主发射光强度最大。添加Ce3+可以明显降低Gd2O2S:Pr的荧光余辉,但同时也降低了发射光强度,Ce3+的添加量要在余辉控制,荧光光强和闪烁体使用寿命三者间平衡选择。     

PbF2：Gd,Eu晶体X射线激发的发射光谱

用脱氧剂非真空环境下、Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ方法生长未掺和掺钆和铕的、浓度范围在０．１￣０．２ｗｔ％的ＰｂＦ２：β晶体。本文报导Ｘ射线激发ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体的Ｇｄ＾３＋发射。揭示了分别来自＾６Ｐ和＾６Ｉ多重态３１２．５和２７７．４ｎｍ发射带，而＾６Ｄ→＾８Ｓ发射被点阵再吸收。＾６Ｉ的发射强度低于＾６Ｐ，说明＾６Ｐ能级优先占据。室温下以Ｘ射线激发在３６８．９和８１４．５ｎｍ之间观察到１４条Ｅｕ＾３＋     

PbF2晶体发光性能的研究历史和现状

本文阐述了ＰｂＦ２可用作闪烁晶体的许多优点，并对其发光性能的研究历史，特别是它在低温、相变和掺杂条件下的发光特征作了评述，报道了ＰｂＦ２晶体发光性的最新研究进展，明确了目前存在的问题及今后应注意的几个研究方向。     

光激发下Li6Gd(BO3)3:Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性

研究了80-500K范围内，光激发下Li6Gd（BO3）3：Ce晶体发光和衰减的温度依赖特性．在346nm光激发下，热猝灭占优势，发光随温度升高而降低．在274nm光激发下，发光由Gd^3＋向Ce^3＋的能量传递和热猝灭共同决定：低于200K时，能量传递占支配地位，发光随温度升高而增强；高于200K时，热猝灭占优势，发光随温度升高而减弱．225K以下，辐射跃迁占优势，衰减随温度升高而略有增大；225K以上，无辐射跃迁占优势，衰减随温度升高而减小．利用经典的热猝灭公式和Arrhenius公式，获取的激活能分别为0．33和0．32eV．     

复合沉淀法制备(Y,Gd)2O3:Eu纳米粉体及其发光性能

报道了一种采用氨水和碳酸氢铵的混合溶液作为复合沉淀剂来制备(Y，Gd)203：Eu发光粉体的新工艺，采用热分析(TG-DTA)、红外光谱(FT-IR)、X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等手段对粉体制备过程中的物理化学变化进行了研究．通过X射线激发的发射光谱研究了Eu掺杂浓度和煅烧温度对(Y，Gd)2O3：Eu粉体发光性能的影响．结果表明采用复合沉淀法制备工艺，经过850℃烧2h，可以得到晶粒尺寸为50nm左右，且基本无团聚的(Y，Gd)2O3：Eu粉体，比表面积为23m^2／g，其X射线激发的发光强度较草酸盐沉淀法所得到的相同组分的粉体大大增强．     

Gd2O2SO4粉体的合成及其晶体结构确定

通过750℃,2h煅烧Gd2O3和H2SO4(摩尔比1:1)的前驱体方法合成了Gd2O2SO4粉体.利用Gd2O2SO4的X射线粉末衍射数据和Material Studio 4.0 Reflex模块中Powder solve技术和Rietveld精修方法对Gd2O2SO4的晶体结构进行了研究.研究表明:Gd2O2SO4具有空间群为PMNB(62)的正交晶系,晶胞参数为a=1.2996nm,b=0.8117nm,c=0.4184nm,V=0.440698nm3,Z=4,计算密度为6.6949g/cm3,并确定了晶胞中原子的位置,Rietveld精修得到的Rwp=9.15%.     

碘化铯晶体中Pb2+基聚集相的发光性质

掺铅的碘化铯（Pb：CsI）晶体在400℃空气中进行热处理可以在晶体中诱导产生发光中心,这些发光中心的激发谱与CS－Pb-I体系中一系列化合物的激子吸收谱相吻合．它们被认为是由该晶体在退火过程中所形成的CsPbI3、Cs4PbI6等聚集相产生的．测量了10～30K温度范围内分别在410nm和360nm波长激发下Ph：CsI的发射谱,观察到各发射谱的相对强度随退火时间而变化,这表明在400℃退火温度下晶体中各类Cs－Ph－I聚集相的形成和转化已十分活跃．     

放电等离子烧结Gd/Gd5Si2Ge2复合材料磁热效应研究

以高纯钆和Gd5Si2Ge2合金为原料,采用放电等离子烧结技术制备了两组元Gdx(Gd5Si2Ge2)1-x(x=0,0.33,0.5,0.7,1)层状复合磁制冷材料.通过自制的磁热效应测量仪器直接测量了复合材料在外加磁场1.5 T下的磁热效应(ΔTad).随着复合比例的变化,材料的最大绝热温变(ΔTad)从x=0.3时的1.6 K增加到x=0.7时的2.0 K,而最大绝热温变峰的位置从286K变到了293 K.同时,与单组元的Gd5Si2Ge2合金相比,随着钆的含量增加时,复合材料的最大绝热温变峰变宽.当x=0.7时,层状复合磁制冷材料在外加磁场1.5 T下的最大绝热温变(ΔT)在260-310K范围里从1.1 K变到2.0 K,这种材料非常适合作为室温磁制冷材料.