铬掺杂对PZT-PMN陶瓷材料性能的影响

采用TEM、SEM、ESR（电子自旋共振）结构常规压电性能测试手段研究了Cr2O3掺杂对PZT－PMN陶瓷的压电性能、微结构及畴态的影响,压电性能测试结果表明,当Cr2O3含量低于0．06wt％时,可使Kp和Qm同时提高,这说明铬掺杂同时兼具“软掺杂”与“硬掺杂”的双重特性,此外,还发现随着烧结温度的提高,材料性能“硬化”明显,ESR谱分析表明,Cr离子主要以Cr^3 和Cr^5 的方式共存,随着烧结温度的提高,它有从高价态Cr^5 或Cr^6 向低价态转变的趋势,这一价态变化被认为是材料性能随烧结温度提高而“变硬”的主要原因之一。TEM图片显示,随着掺骠的Cr2O3的浓度的增大,由于氧空位或受主离子与氧空位构成的缺陷复合体对畴壁的钉扎,电畴将从正规带状畴向波纹状畴转变。     

铬掺杂对PZN-PZT陶瓷微观结构和电学性能的影响

研究了Cr2O3掺杂对0．2Pb（Zn1／3Nb2/3）O3-Pb（Ti0.5Zr0.5）03（PZN-PZT）陶瓷结构和电学性能的影响。结果表明,Cr2O3掺杂量小于0．3wt％时,Cr2O3能引起三方-四方相变,四方相含量诸加,晶粒尺寸和烧结密度上升;掺杂量高于0．3wt％时,Cr2O3掺杂能抑制晶粒长大并降低烧结密度。同时,Cr2O3掺杂表现出硬性掺杂特征：εr变小,Qm值增加。而tanδ,kp和d33随Cr2O3掺杂量增加而表现出极值特征。最佳的压电性能出现在Cr2O3掺杂量为0．3wt％处。     

铬掺杂的PSN-PZN-PZT四元系压电陶瓷材料的研究

用传统固相合成方法制备了Pb(sn1/3Nb2/3)O3-Pb(Zn1/3Nb2/3)O3-PbZrO3-PbTiO3(简写为PSN-PZN-PZT)四元系压电陶瓷材料,主要研究Cr离子掺杂对此材料的微观结构以及压电、介电性能的影响.通过对XRD衍射谱图分析可知,随着Cr的掺杂量的增大,该系统材料的三方相的含量减少,准同相界的位置向三方相移动;SEM照片显示,晶粒尺寸随Cr的量增大而增大,在0.5wt%含量时晶粒分布均匀且大小较为一致;ERP结果表明,Cr2O3在材料中主要以Cr3 、Cr5 存在.且结合材料的性能参数分析,增加Cr的含量会促使Cr离子由高价向低价转化.当Cr2O3的掺杂量为0.5wt%时,PSN-PZN-PZT材料的综合性能较好.     

锰掺杂对硬性PZT材料压电性能的影响

研究了锰掺杂对ＰＺＴ材料微结构及压电性能的影响,并用ＥＳＲ确定了锰在ＰＺＴ材料中的价态．结果表明,锰在ＰＺＴ材料中主要以 Ｍｎ^２＋和 Ｍｎ^３＋的方式共存．锰在ＰＺＴ陶瓷材料中的“溶解度”约为１．５ｍｏｌ％．锰含量＜０．５ｍｏｌ％时,Ｍｎ将以Ｍｎ^２＋和Ｍｎ^３＋的方式优先进入晶格 Ｐｂ位,使材料的压电性能提高,表现出施主杂质特性;锰浓度处于 ０．５～１．５ ｍｏｌ％时,部分Ｍｎ将以Ｍｎ^３＋或Ｍｎ^２＋的方式进入晶格中（Ｚｒ;Ｔｉ）位,而此浓度范围内锰掺杂的ＰＺＴ材料同时表现出“软性”和“硬性”材料的压电特性．锰含量＞１．５ｍｏｌ％时,过量的Ｍｎ将在晶界积聚,使压电活性降低．少量Ｆｅ的存在,可使Ｍｎ离子的溶解度降低,并起到抑制Ｍｎ^２＋和 Ｍｎ^３＋氧化的作用.     

锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT陶瓷压电性能的影响

研究了锰掺杂对0.2PZN-0.8PZT(PZNT)陶瓷微观结构及压电性能的影响,结果表明:随锰离子的添加,陶瓷晶粒长大,烧结致密;晶格发生畸变,体系的相结构由四方相向三方相过渡,居里点降低。此外,锰掺杂使材料体系“变硬”,ε₃₃^T/ε₀和tanδ变小,Q_m值增加,同时瓷体较高的致密度又保证了K_p不致降低。     

硒掺杂对NbS2形貌的影响及其摩擦学性能研究

通过固相合成NbS2及Se掺杂NbS2,采用X射线衍射、扫描电镜、能量色散谱分别分析了样品中的相成分、微观形貌和元素成分;结果表明掺杂Se后NbS2由纳米长板纳米线混合状转变为形貌新颖、分布均匀、表面光滑的纳米六方薄片.采用UMT-2摩擦磨损试验机测试其作为润滑油添加剂的摩擦学性能,结果表明掺杂后的NbS2纳米六方片的摩擦性能远远好于掺杂前的NbS2.     

无铅压电陶瓷材料的研究进展

无铅压电陶瓷是当前压电铁电领域的研究重点。本文结合国内外有关无铅压电陶瓷方面的论文和专利，从两个方面综述了无铅压电陶瓷材料的研究进展：一是从掺杂改性的方面；二是从粉体的制备和工艺方面。文章分析和比较了各类无铅压电陶瓷材料的结构和性能，展望了无铅压电陶瓷今后的发展趋势。     

水热法合成铬掺杂尖晶石型锂离子筛及其锂吸附性能

以LiOH、H2O2、Mn(NO3)2和Cr(NO3)3·9H2O为原料,直接水热合成出具有尖晶石结构的铬元素掺杂锂离子筛前驱体,再经酸浸脱锂后得到对Li+具有选择吸附性能的掺杂型锂离子筛;采用XRD和1R研究了产物的性能,测定了离子筛在不同pH值的纯锂溶液中对锂的饱和交换容量.结果表明,在LiOH浓度为1.1mol/...     

硅掺杂PMS-PZT材料的晶界行为对畴结构和压电性能的影响

运用XRD、TEM、EDS等实验手段,研究了Si离子掺杂对PMS-PZT材料的相结构、微观结构以及电畴形貌的影响.XRD测试结果表明,所有材料都显示钙钛矿结构,四方度(c/a)随着掺杂量的增加而增大.TEM研究结果表明,随着Si离子掺杂量的增加,电畴的形貌由鱼刺型过渡到微米级的带状畴,最后转变为波浪状的电畴.EDS表明在材料的晶界处含有纳米级的SiO₂和PbSiO₃,并且发现单斜晶系的孪晶ZrO2在晶界附近析出.本文对孪晶ZrO₂的析出及其析出量随着硅离子含量增加而增加的原因作了解释,最后对材料压电性能的降低进行了探讨.     

铁、铬离子掺杂对TiO2薄膜光催化活性的影响

采用溶胶-凝胶法在釉面砖表面制备了均匀的TiO2薄膜,并研究了铁、铬离子掺杂对TiO2光催化性能影响。对罗丹明B的光降解实验表明,适量的铁、铬离子掺杂均可提高TiO2薄膜的光催化活性,铁离子的掺杂效果明显高于铬离子,而铬离子的掺杂方式影响TiO2薄膜的光催化活性,这主要基于它们不同的掺杂机理。     

Cr_2O_3涂层对Al_2O_3绝缘瓷二次电子发射特性的影响

用Ｃｒ２Ｏ３涂复ａ－Ａｌ２Ｏ３绝缘瓷表面,并经热退火处理．观测了它们的二次电子发射系数、ＳＥＭ、ＸＲＤ、ＸＰＳ和ＥＥＬＳ．发现样品在退火后,涂层元素扩散进了Ａｌ２Ｏ３陶瓷基底,生成了新相;根据ＸＰＳ和ＥＥＬＳ的分析结果,表面层能隙减小,能隙中的缺陷态、杂质态及表面态增加,提供了更多可能的复合中心和陷阱中心,有利于非平衡载流子的散射跃迁,从而大大耗散能量,减少二次电子发射．     

添加剂对Y2Ti2O7陶瓷的微波介电性能的影响（英文）

研究了CrO3、Nb2O5、SiO2及Al2O3对Y2Ti2O7陶瓷的烧结性能、相组成和微波介电性能的影响.其中Nb2O5掺杂能够降低Y2Ti2O7陶瓷材料的烧结温度,提高基体陶瓷的介电常数和品质因子,引起谐振频率温度系数的明显变化.且随着Nb2O5含量的增多,所有样品的主晶相仍为立方烧绿石型Y2Ti2O7,Nb5+可能进入烧绿石结构中,部分取代Ti4+所在位置.实验结果表明:1mol%Nb2O5掺杂的陶瓷材料在1420℃下烧结致密,具有最佳的微波介电性能:εr=61.8,Q×f=9096GHz(f=5.494GHz),τf=54×10-6/℃.     

掺杂对PMS-PZ-PT三元系材料微结构和电性能的影响

探讨了Nb2O5、NiO、Fe2O3掺杂量对三元系PMS—PZ—PT陶瓷的微观结构和电性能的影响。实验结果表明：随着掺杂量的增加，有一个共同的规律：物相组成由四方相向三方相转变；掺杂物在PMS—PZ—PT材料准同型相界区的固溶度比较小；适当的少量掺杂使εr、d33、Kp3等都有所提高，所不同的是，少量硬性掺杂和取代能提高Qm，而软性掺杂材料的Qm值却随着掺杂量的增加一直下降，改性后的组分具有良好的压电性能，能更好的满足超声马达实际使用的要求。     

Al_2O_3对镁镧钛陶瓷介电性能及显微结构的影响

制备了具有不同Ａｌ２Ｏ３含量的镁镧钛陶瓷,并通过ＸＲＤ和ＳＥＭ及材料介电性能测试结果的分析研究了Ａｌ２Ｏ３对镁镧钛陶瓷材料的介电性能、晶相组成和显微结构的影响．结果发现,材料的相对介电常数εr随Ａｌ２Ｏ３含量的增加而降低,其品质因数Ｑ（Ｑ＝１／tｇδ）则相对保持了较高数值,最高可达１４４３０（１０ＧＨｚ）;不含Ａｌ２Ｏ３的镁镧钛陶瓷的晶相为ＭｇＴｉＯ３和Ｌａ０．６６ＴｉＯ2．９９,加入Ａｌ２Ｏ３后,出现新晶相ＭｇＡｌ２Ｏ４和Ｍｇ４Ａ１２ＴｉｇＯ２５,同时晶粒的平均尺寸有了显著的减小．     

(Na,K)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷的结构与性能研究

研究了K0.5Bi0.5TiO3(KBT)含量对Na0.5Bi0.5TiO3-K0.5Bi0.5TiO3(BNKT)无铅压电陶瓷的显微组织结构及压电性能的影响规律,结果表明随KBT含量增加,BNKT无铅压电陶瓷的晶胞参数增大,密度减小,晶粒尺寸减小,居里温度从326℃升高到360℃,压电常数、介电常数和介电损耗增加,机械品质因数下降;KBT含量为0.15mol的(Na0.85K0.15)0.5Bi0.5TiO3无铅压电陶瓷位于准同型相界处,具有较佳的压电性能.     

形貌可控的Cr_2O_3纳米颗粒的制备与表征

室温下,将三氧化铬(CrO_3)和聚乙烯醇(PVA)在水溶液中反应合成聚合物前驱体,退火处理得到不同形貌的Cr_2O_3纳米颗粒。采用热重-差热分析仪(TG-DTA)、傅里叶红外光谱仪(FT-IR)、粉末X射线衍射仪(XRD)和扫描电镜(SEM)对所得样品进行了分析。结果表明,750℃退火后获得纯的单相Cr_2O_2纳米颗粒;通过控制PVA和CrO_3的初始反应比例,得到了球形和片状的Cr_2O_3纳米颗粒。     

退火处理对铅基弛豫型铁电体介电、压电性能的影响

铅基弛豫型铁电体的峰值介电常数和压电性能在退火后有较大提高．在PMN－PT陶瓷中,k_p由58％提高到66％,峰值介电常数由30900提高到37200,d_(33)达到530pC／N.在PZN－PT－BT陶瓷中,k_p由35％提高到51％,峰值介电常数km由11400提高到29000,d_(33)由347PC／N提高到624pC／N．这种改善可能与晶界玻璃相的消除以及畴壁运动等因素有关