新型存储器FRAM与非易失性存储器

FRAM是一种新型非易失性存储器。这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制。介绍其基本工作原理、结构及其特点,并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

新型存储器FRAM与非易失性存储器

ＦＲＡＭ是一种新型非易失性存储器，这种存储器可以克服目前现有非易失性存储器的缺陷和限制，本文介绍其基本工作原理和结构及其特点，并把它与其他非易失性存储器的性能特点作了比较。     

谈谈闪速存储器

<正> 我们熟悉的存储器器件有随机存取存储器(RAM)和只读存储器(ROM)两种。随机存取存储器是易失性存储器,即在存储器断电后,其所存的数据会全部丢失。但是,RAM的读写速度快,通常为ns(10~(-9)秒)级,因此它常用作计算机的内存。 只读存储器是一种非易失性存储器,也就是说,无论ROM通电与否,存入其内部的数据都可以长期保留。常用的非易失性存储器有EPROM和E~2PROM两种。将数据存入EPROM内     

嵌入式存储器测试

随着存储器需求的增加以及制造技术的进步,嵌入式存储器在SOC系统中的地位越来越重要。与传统的分立存储器件测试相比,嵌入式存储器的测试呈现出新的挑战。本文试图全面叙述嵌入式存储器的各种结构,并介绍各种DFT（可测性设计）测试技术,如SCAN〔扫描〕、MBIST（存储器内建自测试）以及BISR（内建自修复）。     

存储器并行测试方法

存储器是集成电路中最常用的器件之一,存储器的工艺不断改进,使得它的容量增大、集成度和工作速度也在不断增加。快速而高效地对存储器测试,是批量存储器测试工作的一个重要课题。本文介绍了有关大容量存储器集成电路测试系统的软件原理和硬件构成,对存储器并行测试方法作了初步探讨。     

快闪存储器前途无量

一、全球快闪存储器市场 正当全球半导体市场面临货源短缺而厂商将发展的关注焦点集中到动态存储器上时,快闪存储器(Flash memory)也面临了市场需求殷切所产生短缺的问题。但由于快闪存储器的产品发展技术与特性都与动态存储器有相当大的差异,因此在市场竞争厂商不多的状况下,所引起的关注也就不像动态存储器那样引人注目。     

快闪存储器—存储器家族的新成员

磁盘和快闪存储器有一个共同的特点，即整块数据存储。计算机通常采用磁盘存储整块数据，而快闪存储器在数据存储方面更具有优越性。我们研究了快闪存储单元及其工作原理，从中了解到快闪存储器的特性以及与便携式计算机比较的结果。     

网络存储器的设计

针对计算机系统中磁盘的I／O性能问题,对比各种解决这一问题的方法,提出了网络存储器设计的方法,网络存储器是通过提高处理器与存储器之间的数据交换的速度来提高计算机系统性能的。通过对网络存储器的工作时间的分析证实了网络存储器设计的可行性,并提出三种网络存储器的设计方法。     

相变存储器：能实现全新存储器使用模型的新型存储器

从下面的几个重要特性看,相变存储器(PCM)技术均符合当前电子系统对存储器子系统的需求:     

快闪存储器──存储器家族的新成员

磁盘和快闪存储器有一个共同的特点，即整块数据存储。计算机通常采用磁盘存储整块数据，而快闪存储器在数据存储方面更具有优越性。我们研究了快闪存储单元及其工作原理，从中了解到快闪存储器的特性以及与便携式计算机比较的结果。     

单电子存储器

介绍了单电子存储器的发展情况和几种单电子存储器的基本特性,并将库仑阻塞效应作为存储器工作的理论基础进行了讨论。随着传统存储器集成度的不断提高,每个存储单元的电子数目不断减少,并逐渐接近其极限,使传统存储器的发展面临困难。采用单电子存储器有望解决这个困难,它们通常具有单个量子点或者是多隧穿结结构,存储一个比特的信息只需要精确控制增加或者减少一定数目的电子就可以实现。单电子器件的工作通常只需要很少的电子甚至一个电子就可以实现,具有高速和低功耗的特点,因此可以实现信息超高密度存储。与单电子逻辑电路相比,单电子存储器更容易解决随机背景电荷涨落的问题,因此从实际应用的角度来看,单电子存储器的应用前景更为光明。     

存储器

高密度、高带宽的网络与通信存储器赛普拉斯半导体宣布已开始提供Quad Data RateⅡ (四倍数据率Ⅱ )和DDRⅡ (双倍数据率Ⅱ )SRAM系列器件样片。该新型存储器芯片提供了高密度和高带宽,比现有的ODRⅡ和     

存储器的兼容性设计

借助存储器芯片引脚之间的相似性,采用跳线方式实现存储器系统的兼容性设计,使之可适应于多种不同的存储器芯片。     

新型高速存储器

新日本制铁公司开发了在存储信息时,可以1比特为单位进行擦除的新型高速存储器。本产品实用后,可代替半随机存取存储器(SRAM),而一举占领目前的全部或部分可擦式快速存储器市场。在集成度方面,已达到     

移动存储器成为存储器的成长主力

在智能手机和平板电脑市场稳好增长的驱动下,包括NAND和NOR闪存、NAND嵌入式多媒体卡(eMMC-embedded multimedia card)和移动DRAM在内的移动存储器近年已成为存储器市场的增长引擎,如果消费者对智能手机和平板电脑等移动设备的热情不减,那么移动存储器未来几年的发展更被看好.     

一种新型存储器件——磁电存储器

磁电存储器不仅存取速度快、功耗小，而且集动态RAM、磁盘存储和高速缓冲存储器功能于一身，因而已成为动态存储器研究领域的一个热点。文章总结了磁电存储器的工作原理和特性，分析了它们的发展现状及存在的问题，并对其应用前景进行了展望。     

三维存储器模块组装技术

为满足更高密度、更大容量的需求,NEC公司开发了三维(3D)存储器模块。该公司应用单存储器模块堆栈技术开发研制了一种新型的3D存储器模块,使用单结构可满足更高的封装密度需求。经对使用16Mb随机存取存储器(DRAM)的单存储器模块和3D存储器模块的可靠性进行的测试,表明研制出的新型3D存储器模块具有良好的可靠性。     

存储器

高频RFID存储器芯片；超低动态功耗的无电容器双晶体管RAM；PCI-X．8端口3Gbps串行SCSI解决方案；单芯片1GB NOR闪存；集成24MB内存的先进先出存储器；FameG推出FA Disk系列解决方案具备加密功能     

让存储器更和谐

随着对存储器带宽和需求日益增大,存储器技术变得愈发的得要。MRAM是一种非易失性的存储器,它无需不间断的电源供给来保持数氢的完整。这一技术使得它的电池寿命相对于其他存储器技术来得更长久。     

新一代存储器发展动向

在下一代存储器的开发中,强电介质存储器MRAM(磁膜RAM)、OUM(双向一致存储器)是最有力的修补者,多家公司都进行产品化.不过各家公司的产品战略有所不同,其产品或逻辑电路与强电介质存储器结合而成系统LSI,或做成替代EEPROM、内存及DRAM的单个存储器.