水性粘合剂在电子陶瓷流延成型中的应用

总结了水性粘合剂的种类,分散形态,及其物理化学性质,如黏度、分子量、玻化温度等对电子陶瓷流延成型的影响,阐明了水性粘合剂对陶瓷浆料的稳定机理。从环保和MLCC高性能化的角度出发,指出采用水基流延的必然趋势,其重要研究方向在于提高水基流延的膜片强度。     

翼片展开动力学分析及仿真方法研究

本文在流体动力计算的基础上,对翼片展开过程进行了系统动力学分析,建立了系统动力学模型,并应用ADAMS进行了仿真计算,得到了翼片展开过程中的动力学参数,为结构强度仿真计算提供了输入,对指导结构设计具有重要意义。     

铁氧体基片流延成型工艺的研究进展

介绍了铁氧体基片的研究现状及其流延成型工艺原理,重点分析了铁氧体粉体表面性质、浆料的稳定性以及不同流延体系的干燥机理,并对铁氧体基片流延成型的发展趋势进行了展望.     

CK-94电子陶瓷流延成膜黏合剂

在生产多层陶瓷电容器所需的陶瓷膜片中，陶瓷黏合剂起着将陶瓷粉料黏结且均匀分布的作用。作者所研制的电子陶瓷流延成膜黏合剂是由醇溶性聚合物、溶剂、增塑剂、脱膜剂、消泡剂等组成的多组分黏合剂。该陶瓷流延成膜黏合剂具有生产工艺简单、使用方便、毒性极低、成本低廉、能在有机载带和不锈钢带上顺利成膜脱膜的特点     

H.323终端业务复用模型分析

本文提出了一种新的基于H 32 3多媒体会议系统的终端媒体流复用模型 ;对其进行了理论计算和计算机仿真 ;得到了模型中信元的循环时间、返回时间、缓冲区中平均数及时延的解析表达式 ;讨论了k2 ,λ2 ,μ等参数对循环时间、缓冲区中信元的平均时延的影响。结果表明通过调整相关参数 ,采用新的复用模型能够满足一定的时延和媒体流同步等实时性要求     

一个具有无限多吸引子共存的新混沌系统的动力学分析及其电路实现

提出了一个新的具有超多稳定性的三维连续自治混沌系统,该系统仅有2个非线性项.对系统的耗散性、平衡点的稳定性进行了定量分析,并利用分岔图、Lyapunov指数、彭加莱截面和吸引子相图分析了系统参数以及初值对其动力学行为的影响.在参数固定的情况下,分析初值变化的分岔图,得到了无限多种共存吸引子.通过采用模拟开关电子元件设计实现了该系统,同时运用Multisim软件仿真了该系统的混沌电路.结论证明电路仿真与数值仿真结果一致.     

信息化条件下情报对抗系统建模与仿真

针对信息化条件下情报对抗系统中参数关系难以量化等特点,以深入研究情报对抗机理为目的,采用系统动力学（SD）方法建立情报对抗模型,介绍了情报对抗内涵和系统动力学特点,明确了情报对抗模型的前提假设、边界界定,构建了情报对抗模型的因果关系图和流图,进行了基于系统动力学的仿真分析,可知情报软杀伤能力在情报对抗中具有倍增器的作用,为信息化条件下情报作战理论研究提供参考。     

低温共烧陶瓷基板制备技术研究进展

对LTCC (低温共烧陶瓷 )技术的特点及应用作了评述。对目前已研究和使用过的低介电常数和低烧结温度基板材料及综合性能 ,流延浆料有机添加剂进行了对比分析。描述了流延工艺过程和烧结过程。由于对基板材料选择的任意性 ,现有流变学模型的局限性 ,以及低温液相烧结动力学过程机理尚不清晰 ,因此完整清晰地揭示LTCC工艺的物理化学过程仍需作很多工作。     

激光二极管恒流驱动电源的仿真设计

在采用锂电池储能供电的降压斩波电路恒流激光二极管驱动源系统的设计中,建立了电池组、激光二极管的集成电路个人仿真程序(PSPICE)器件模型和闭环控制系统模型,经过仿真计算,确定了输出滤波电感电容的参数和实现闭环稳定的比列积分微分调节(PID)参数,并研究了在负载变化和输入变化的条件下系统的稳定性。研究表明,采用该技术方案能实现恒流源输出电流大于100 A,输出电压230 V,电流纹波小于3%。     

时延约束下的等效带宽估计

本文利用流体流方法计算不实时媒体流在缓冲区中的延概率分布函数，给出了时延约束下实时媒体流的等效带宽的表达式。讨论了相关参数对等效带宽的影响。进行了仿真分析和验证。该表达式计算简单，便于实时带宽估计和控制。     

片式多层陶瓷电容器生产用薄膜流延设备的研究与开发

随着片式多层陶瓷电容器(Multilayer Ceramic Capacitor,MLCC)向着微型化、高容量方向的发展,片式多层陶瓷电容器的生产工艺,对设备提出了更高的要求。对目前MLCC生产工艺的主要特点进行了研究,简单阐述了常见的片式多层陶瓷电容器薄膜流延技术,提出了一种实用型的唇式流延技术。同时,对薄膜流延设备的工作原理、总体构成、系统控制,以及关键技术进行了分析和探讨。     

ZnO压敏陶瓷的PVA系水基流延成型工艺及其性能

采用聚乙烯醇(PVA)系水基流延成型工艺制备了ZnO压敏陶瓷的水基流延膜。用粒度分析、粘度测量和动态机械热分析等方法研究了各组分对水基流延浆料性能的影响,用扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究了水基流延膜的微观结构和物相组成。结果表明:在浆料质量比(陶瓷粉体:去离子水:分散剂:粘结剂:增塑剂:表面活性剂)=100:84.6:1:6:5.4:3时,所制水基流延膜无缺陷且微观结构均匀;另外,该流延膜经900℃烧结后具有良好的电性能:电压梯度E1mA=112.4 V/mm,非线性系数=34.6,漏电流密度JL=0.5×10–6A/cm2。     

半导体用陶瓷绝缘基板成型方法研究

陶瓷材料是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基板的重要材料体系。随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求。成型是陶瓷基板的制备过程的关键环节,也是陶瓷基板制备的难点。本文介绍了流延成型、凝胶注模成型和新型3D打印成型等几种基板成型方法,分析了不同成型方法的特点、优势及技术难点。介绍了了近年来国内外陶瓷基板成型的研究现状,并对其未来发展及应用进行了展望。     

流延热释电厚膜陶瓷制备单元红外探测器

本文报道采用流延法制备的热释电厚膜陶瓷材料直接装配的单元红外探测器，该方法大大简化了目前探测器的制备工艺，极大地提高了材料的利用率，器件的性能也达到了目前探测器的水平。     

成型工艺对高介薄型单层陶瓷电容器电阻性能影响

采用流延和轧膜成型两种工艺制作了尺寸为38.1mm×38.1mm×0.15mm,介电常数为25000左右的单层微波电容用陶瓷介质基片。系统对比了两种不同成型工艺对该基片的显微结构和电阻性能的影响规律。实验结果表明．轧膜成型制备出的电容器样品的绝缘电阻偏压特性和温度特性均优于流延成型工艺制得的样品,而且在各个温度下的介电损耗低于流延成型工艺制得的样品。不同的陶瓷基片表面扫描电镜图显示,流延成型的陶瓷介质表面粗糙多孔,而轧膜成型的陶瓷介质表面致密紧实。     

陶瓷厚膜和薄膜混合电致发光器件

使用PbMg1/ 3Nb2 / 3O3 PbTiO3 PbCd1/ 2 W1/ 2 O3三元系电容器瓷料 ,采用流延工艺成膜 ,丝网印刷内电极 ,在 930～ 950℃下低温烧结的方法制备了陶瓷衬底。陶瓷厚膜在室温下的相对介电常数εr>1.4× 10 4 ,损耗tanδ≈ 1% ,具有极高的品质因素 (大于等于 80 μC/cm2 )。理论分析了电致发光器件的阈值电压与绝缘介质特性的关系。直接在陶瓷厚膜上制备了MIS结构和MISIM结构的以陶瓷厚膜为绝缘层的ZnS :Mn低压驱动电致发光器件     

水基料浆注凝法生产氧化铝陶瓷基片的关键技术

介绍了水基料浆注凝法工业化生产氧化铝陶瓷基片的工艺流程,分析了该工艺与传统采用的有机料浆流延法的不同和优势,着重讲述了作者在具体操作中所解决的关键技术:基片材质组分设计优化、料浆配制技术、组合模具设计制造、氧化-还原引发凝胶化、坯片无(少)变形干燥、基片尺寸精密控制、叠层烧结工艺制度、整平热处理工艺、边角料回收处理再利用.     

CaAlSi系LTCC生带的流延制备及其烧结基板

以自制的CAS(CaO-Al2O3-SiO2)系玻璃作为功能相,通过分析不同的有机组分对流延浆料流变性能及分散稳定性的影响,优选:甲基乙基酮-乙醇为二元共沸溶剂;磷酸三丁酯为分散剂。浆料的黏度随粘结剂加入量增大而增大。随着增塑剂含量的增加,浆料黏度先减小后增大,当ζ(增塑剂:粘结剂)=0.6时,浆料黏度最低。流延浆料的最佳配方为:玻璃粉100.0g,粘结剂18.0g,磷酸三丁酯3.0g,增塑剂10.8g,溶剂为150.0～170.0g。流延生带样品于950℃烧结后获得相对密度达到96%,相对介电常数为6.97,介电损耗低于0.3%(1MHz)的玻璃陶瓷基板材料。