K+,La3+联合取代A位Zn2+的BZN基陶瓷的相结构与介电性能研究

在具有立方焦绿石结构的Ｂｉ１．５Ｚｎ０．５（Ｚｎ０．５Ｎｂ１．５）Ｏ７陶瓷的基础上,引入Ｋ＾＋,Ｌａ＾３＋离子联合取代Ａ位Ｚｎ＾２＋,对其结构与介电性能进行了研究。     

掺铕铌酸锂晶体的Mossbauer谱

测定了Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ３和（Ｅｕ，Ｍｇ）：ＬｉＮｂＯ３的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱，并对数据进行了拟合，根据拟合结果和ＬｉＮｂＯ３晶体结构的特征，讨论了Ｅｕ＾３＋晶格中的占位，并以Ｅｕ＾３＋的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ参数为探针，讨论Ｍｇ＾２＋的晶格中的占位。     

含Nb2O5和La2O3系统玻璃形成区

用新的玻璃形成区探索方法研究了Ｌａ２Ｏ３的质量分数分别为１％,５％,１０％时含Ｎｂ２Ｏ５,Ｌａ２Ｏ３系统玻璃的形成区（玻璃生成体分别为Ｐ２Ｏ５,ＳｉＯ２,Ｂ２Ｏ３,ＴｅＯ２＋ＧｅＯ２,修饰体为ＢａＯ,ＺｎＯ）,这些系统可作为激光激活离子Ｎｄ＾３＋,Ｙｂ＾３＋,Ｈｏ＾３＋,Ｔｍ＾３＋,Ｅｒ＾３＋等掺杂的理想基质。     

新的稀土锂钒酸盐的合成,结构和发光

本文首次报道了在６００℃灼烧数小时合成出新的稀土锂钒醛盐Ｙ０．５－ｘＬｉ１．５ＶＯ４；ＲＥｘ（ＲＥ＝Ｓｍ＾３＋，Ｄｙ＾３＋，Ｈｏ＾３＋，Ｅｒ＾３＋，Ｔｍ＾３＋）（０．０１＜ｘ＜０．０１）多晶粉末。比通常钒酸盐的合成温度降低近４００℃。用Ｘ射线粉末法分析此多晶粉末的结构。     

ZnO—B2O3—SiO2系统的介电性能研究

对ＺｎＯ－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２三元系统进行了ＸＲＤ和介电性能研究，提出系统的主晶相为方石英，另外还存在Ｚｎ２ＳｉＯ４相。Ｚｎ２ＳｉＯ４的ε为７．７，ｔｇδ≤５×１０＾－４，αｃ（介电常数温度变化率）为＋９０×１０＾－５／℃。调整各组分，获得一系列αｃ〉０的超低介电常数的介质陶瓷，其中介电性能为：ε≤５，Ｒｉ≥１０＾１３Ω，αｃ＝０±３０×１０＾－５／℃的组分，其烧结温度为１１４０℃，可用来制造高频低     

Cr3+:LiCaAlF6晶体提拉法生长的研究

在国内首次报道熔体提拉法生长Ｃｒ＾３＋：ＬｉＣａＡｌＦ６晶体的研究。晶体生长工艺中不用ＨＦ流动气氛的铂金炉膛。研究出质量较好的尺寸达Φ（２０－２５）ｍｍ×（９０－１２０）ｍｍ的晶体。测定晶体对８０９ｎｍ红外波段的吸收关系数μ为１０＾－２量级，晶体中无ＯＨ＾－，对于熔体的富Ｌｉ组成，ＣｒＦ３对氧化作用的敏感以若干晶体缺陷生长工艺的关系等方面进行了讨论。     

掺铕铌酸锂晶体的M■ssbauer谱

测量了Ｅｕ：ＬｉＮｂＯ_３和（Ｅｕ，Ｍｇ）：ＬｉＮｂＯ_３的Ｍｓｓｂａｕｅｒ谱，并对数据进行了拟合。根据拟合结果和ＬｉＮｂＯ_３晶体结构的特征，讨论了Ｅｕ~（３＋）在晶格中的占位，并以Ｅｕ~（３＋）的参数为探针．讨论了Ｍｇ（２＋）在晶格中的占位。     

巯基羊毛对Zn^2＋,Cu^2＋,Pb^2＋等重金属离子的吸附特征

利用巯基羊毛对重金属离子Ｚｎ＾２＋,Ｃｕ＾２＋Ｐｂ＾２＋的水溶液进行了吸附研究。探讨了巯基羊毛对这些金属离子的吸附性能,结果表明,最佳吸附酸度为Ｃｕ＾２＋：ｐＨ＝４．０～７．０,Ｐｂ＾２＋：ｐＨ＝４．２～６．０,Ｚｎ＾２＋：ｐＨ＝４．５～７．３饱和吸附量为Ｃｕ＾２＋：１．１９ｍｇ／ｇ,Ｐｂ＾２＋：２．８２ｍｇ／ｇ,Ｚｎ＾２＋：１．２２ｍｇ／ｇ并对该三种金属离子的分离,富集,回收和巯基羊毛的再生条件     

锌铁合金电镀导中铁含量影响因素的研究

研究了氯化物电镀锌铁合金体系中各Ｆｅ＾２＋／Ｚｎ＾２＋比、共沉积金属离子总浓度ＫＣｌ、Ｃ６Ｋ５Ｎａ３Ｏ７、添加剂、ｐＫ、Ｄｋ及温度因素对镀层铁含量的影响。腐蚀试验表明,铁含量为０．３％￣０．５％的光亮锌铁合金镀层耐蚀性约为纯锌镀层的３倍。     

Ce：Fe：LiNbO3晶体生长及其存储特性的研究

在ＬｉＮｂＯ３中掺入ＣｅＯ２和Ｆｅ２Ｏ３，生长Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体，对该晶体进行氧化，还原处理，可有效地改变晶体中不同价态离子的相浓度，改善晶体的光折变性能，该晶体具有良好的全息存储性能，以Ｃｅ：Ｆｅ：ＬｉＮｂＯ３晶体作为全息存储元件，实现了光学实时全息关联存储。     

BaPbO3／BaTiO3系复合陶瓷的研究

报道了导电陶瓷ＢａＰｂＯ３与铁电陶瓷ＢａＴｉＯ３进行复合的结果，研究了该复合功能陶瓷的物相、导电性和低温电阻温度特性。结果表明：采用合理的合成工艺，可得到呈现混和分布的两相复合功能陶瓷材料，该复合材料的电导特征符合三维渗流导电行为。     

芳基失水甘油酸乙酯的合成

:研究了芳基甲醛和氯乙酸乙酯在相转移催化剂聚乙二醇 /碳酸钾催化下发生Darzans缩合反应 ,反应转化率大于 70 % ,制得系列 3 芳基失水甘油酸乙酯 ,产品结构经1HNMR和IR分析证明与预期结构相符     

纳米Al2O3对3Y-ZrO2陶瓷性能的影响

研究了纳米Al2O3添加剂对3Y—ZrO2陶瓷材料烧结和力学性能的影响。实验结果表明：添加纳米Al2O3（0．5mol％～2mol％）可以促进3Y—ZrO2的烧结，并提高材料的抗弯强度和断裂韧性。在1450℃下烧成的添加0．5mol％纳米Al2O3的3Y—ZrO2具有最高的强度和韧性值，分别为620MPa和13．9MPa·m^1/2，比纯3Y-ZrO2的最高强度和韧性（1500℃烧成试样）分别提高了11％和16％。     

Sm3+/Al2O3介孔复合体的光致发光特性

用溶胶－凝胶法和超临界干燥技术制备了Ｓｍ＾３／Ａｌ２Ｏ３气凝胶介孔复合体,并对其光致发光特性进行了系统的研究,实验发现：随退火温度的升高,Ｓｍ＾３＋在Ａｌ２Ｏ３气凝胶中荧光强度逐步增强,９００℃,退火时达到最强,其后发光强度会随退火温度升高耐减弱;随着Ｓｍ＾３＋含量上升其发光强度也会发生由弱到强再到弱的变化。     

浅谈硝酸钾的结晶

主要介绍了复分解反应生产硝酸钾工艺过程中的结晶。介绍了结晶时的特征、原理及硝酸钾结晶体中杂质的组成。     

烧块合成方法对钛酸钡-锡酸盐系介电性能的影响

以ＢａＣＯ３,ＳｎＯ２,ＴｉＯ２为原料采用一次混合合成烧块法,常因原料混合不均以及固溶不完全,在烧成冷却过程中,在晶界上偏析出ＳｎＯ２或富锡锡酸盐半导体,导致绝缘电阻,介质损耗和耐电强度等电性能严重生化。采用预先分别合成烧块的方法,使ＳｎＯ２与其它原料完善地转化成绝缘性能的锡酸盐,有效地避免了介电性能的异常现象。     

Sm~(3+)和Co~(3+)共掺杂对BiFeO_3多晶陶瓷介电特性的影响

用快速液相烧结法制备Bi0.95Sm0.05Fe1-xCoxO3(x=0,0.05,0.1)陶瓷样品,用X射线衍射仪分析样品结构,用HP4294A型阻抗分析仪分别测量系列样品的介电特性及相对介电常数(εr)随频率(f)的变化。结果表明:掺杂样品主衍射峰与纯BiFeO3相吻合且具有良好的晶体结构;随着Sm3+、Co3+引入,测量频率在1kHz～1MHz,所有样品的εr和介电损耗(tanδ)随测量f的增加而减少,f=10kHz时,Bi0.95Sm0.05FeO3的εr是BiFeO3的40倍。样品的εr、tanδ随Sm3+和Co3+掺量的变化可以在空间电荷限制电流理论框架下进行解释。样品的磁电耦合效应(Me)随磁场、Co3+掺量的增加而增大,其原因系Sm3+与Fe3+或Co3+通过交换相互作用使铁电极化矢量增大所致,其中Bi0.95Sm0.05Fe0.95Co0.05O3呈现较强的磁电耦合效应,其Me在8kOe(1Oe=79.5A/m)磁场的作用下已达到4.2%。     

添加剂对0.95MgTiO3-0.05CaTiO3陶瓷性能的影响

采用同相反应法分别制备了V2O5,Co2O3和ZnO氧化物掺杂的0.95MgTiO3-0.05CaTiO3(95MCT)介质陶瓷.研究了V2O5,Co2O3和ZnO氧化物掺杂对95MCT陶瓷烧结特性和介电性能的影响.结果表明:V2O5.Co2O3和ZnO氧化物掺杂的95MCT陶瓷的主晶相为MgTiO3和CaTiO3两相结构,无中间相MgTi2O5出现.V2O5,Co2O3和ZnO氧化物掺杂可以有效地降低95MCT陶瓷的烧结温度,提高致密化程度,降低介电损耗,调节温度系数.ZnO掺杂的95MCT陶瓷性能最好:烧结温度降低至1 250℃,介电常数为21.7,烧结密度可达3.8g、cm3(理论密度的98.4%),介电损耗降低至10-5,温度系数为0.12×10-5/℃.     

CuO掺杂对NaNbO_3–BaTiO_3无铅压电陶瓷性能的影响

利用传统烧结法制备CuO掺杂NaNbO3–BaTiO3无铅压电陶瓷,研究不同CuO掺量(0、0.1%、0.2%、0.3%、0.4%、1.0%和2.0%,摩尔分数)对样品显微结构、物相组成及电性能的影响。结果表明:CuO掺量对物相组成、压电性能、铁电性能及介电性能都有显著影响。当CuO掺量从0增大到0.3%时,压电性能增高;当CuO掺量超过0.3%时,压电性能明显下降。当CuO掺量为0.3%时,样品的综合性能最佳:压电常数(d33)为150pC/N,介电损耗(tanδ)为0.0174,机电耦合系数(kp)为30.19%,剩余极化强度(Pr)为13.5μC/cm2,矫顽场(Ec)为1.94kV/mm。