BN-YAION复合陶瓷的烧结行为

对ＢＮ－ＹＡｌＯＮ复合陶瓷进行了热压和无压烧结试验,对烧结体的密度变化和显微结构进行了研究,分析了影响ＢＮ基复合陶瓷致密化的主要因素．认为卡片房式结构是妨碍ＢＮ基复合陶瓷致密化的主要原因．热压过程中施加的压力足够大时,可以破坏这种卡片房式结构,使片状ＢＮ定向排列,因而能获得高致密度的ＢＮ基复合陶瓷．热压过程中若有液相出现,有利于片状ＢＮ定向排列,因而能促进ＢＮ基复合陶瓷的致密化．无压烧结时因不能消除原有的卡片房式结构,故虽有液相出现,也难以获得高致密度的ＢＮ基复合陶瓷     

BN基复合陶瓷致密化的主要障碍

本文对ＢＮ基复合陶瓷进行了热压和无压烧结试验,对烧结体的密度变化和显微结构进行了研究,分析了影响ＢＮ基复合致密化的主要因素,认为卡片房式结构是妨ＢＮ基复合陶瓷致密化的主要原因。热压过程中施加的压力足够大时,可以破坏这种卡片房式结构,使片状ＢＮ定向排列,因而能获得同致密度的ＢＮ基复合陶瓷,热压过程中若有液相出现,有利于片状ＢＮ定向排列,因而能促进ＢＮ基复合陶瓷的致密化。无压烧结因不能消除坯体中的卡片     

AlN—BN复合陶瓷的介电性能

以ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷为研究对象，着重探讨了ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷的极化机理，应用基本的介电介质物理理论，结合ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷组成和结构特点，研究了ＡｌＮ－ＢＮ复合陶瓷介电性能（介电常数，介电损耗角正切值）随测量温度，测量频率变化而发生变化的温度特性和频率特性。     

AIN—BN复合陶瓷的研究

本文用热压法烧结制备出ＡＩＮ－ＢＮ复合陶瓷，讨论了组成及烧结条件对ＡＩＮ－ＢＮ复合陶瓷性能及显微结构的影响。通过优化组成，使ＡＩＮ－ＢＮ复合陶瓷垂直于加压方向的导热率最大达１０３Ｗ／ｍ．Ｋ。ＡＩＮ－ＢＮ复合陶瓷的导热率和显微结构各向异性显著。     

真空镀膜用BN—TiB2导电耐腐蚀复合陶瓷

本文综合评述了BN－TiB2导电复合陶瓷的制造、性能和使用特性，同时对有关非氧化物的性能进行了概述。     

反应烧结氮化硼陶瓷

研究了氮化硼陶瓷的反应烧结,给出了所用惰性填料。     

纳米BN包覆的Al2O3复合粉的制备及其烧结性能研究

以尿素和硼酸为氮化硼源，利用氢气还原法在亚微米级氧化铝粉末表面均匀包覆一层纳米级BN，包裹层的厚度可通过BN含量来调节。当氮气压力为0.52-0.53MPa时，复合粉经1400℃至1600℃热处理，中间产物Al-O-B分解得到BN，同时BN由t(turbostratic)相转变为h(hexagonal)相。1500℃处理可得到包裹紧密的h-BN-Al2O3纳米复合粉。以氮经硅为烧结助剂，30％BN－Al2O3(in volume)复合粉在1700热压烧结即可得到几乎完全致密化的纳米复相陶瓷，表观气孔率接近于零。材料的抗弯强度为446MPa，可用硬质合金钻头轻易钻孔。     

AIN—BN复合陶瓷的结构与性能

以碳热还原法合成的AlN粉末和市售BN粉末为原料, 利用无压烧结工艺制备AlN－BN复合陶瓷, 研究了AlN－BN复合陶瓷结构和性能的关系.结果表明: 随着BN含量的增加, 在复合陶瓷中逐渐形成卡片房式结构, 阻碍材料的收缩和致密, 复合材料的致密度下降, 热导率和硬度也随之下降, 综合考虑热导率和硬度因素, 认为利用常压烧结工艺制备可加工AlN－BN复合陶瓷时, BN质量分数在10%～15%之间是合适的, 可以制备出热导率在100～140 W·m-1·K-1, 硬度HRA在55～75之间的AlN－BN复合陶瓷.     

复相α—β—sialon陶瓷的微波反应烧结

微波烧地因具有极快的加热和烧结速度及内在性和体积性加热等特征使制品有潜力均匀地烧结，并获得较高的密度和均匀的微观结构通过适当的保温方式，名义组成为α：β＝２０：８０的复相α－β－ｓｉａｌｏｎ陶瓷在２．４５ＧＨｚ单模腔微波烧结系统于１６５０℃保温１０ｍｉｎ能完全反应，烧结致密，获得较高的密度和较小的晶粒尺寸及好的力学性能。     

反应烧结氮化硼陶瓷

研究了氮化硼陶瓷的反应烧结 ,给出了所用惰性填料。     

陶瓷烧结新技术—微波烧结

本文综述了微波烧结陶瓷材料这一新技术在国内外的研究，应用和进展，并介绍和指出了微波烧结的原理，特点及其未来展望。     

放电等离子体烧结Si_3N_4-BN复合陶瓷性能研究

以Si3N4和BN粉末为原料,Si3N4-BN复合粉末中BN的体积分数分别选定为10%、20%和30%,采用质量分数为2%的Al2O3和6%的Y2O3作为烧结助剂,分别在1500、1600和1650℃,压力50 MPa,保温5 min的条件下,采用放电等离子体烧结法制备了致密Si3N4-BN复合陶瓷。XRD结果和SEM分析表明:当煅烧温度为1650℃时,复合陶瓷中的α-Si3N4已完全转变为β-Si3N4;BN的加入抑制了复合陶瓷中Si3N4晶粒的生长而使结构细化;复合陶瓷的维氏硬度和断裂韧性随BN含量的增加而逐渐降低。     

AlN—BN复合陶瓷的研究

本文用热压法烧结制备出ＡｌＮ—ＢＮ复合陶瓷，讨论了组成及烧结条件对ＡｌＮ—ＢＮ复合陶瓷性能及显微结构的影响。通过优化组成，使ＡｌＮ—ＢＮ复合陶瓷垂直于加压方向的导热率最大达１０３Ｗ／ｍ·Ｋ。ＡｌＮ—ＢＮ复合陶瓷的导热率和显微结构各向异性较显著。     

氧化锆层状复合陶瓷成型和烧结特性

由不同成型方法,单面或双面加压,制备了氧化锆层状复合陶瓷,研究了制备方法和工艺参数,如：加压压力、时间,对生坯密度的影响.探讨了生坯密度与烧结收缩之间的相关性.研究结果表明：选取成型压力在250 MPa左右,双向加压方式,可以获得沿x,y,z轴方向收缩较一致的层状陶瓷制品.引入评价不同方向的烧结收缩变化参数k（=a/b,a和b分别为沿x,y和z方向的烧结收缩率）,kxy,kz,当kxy=kz=1时,表示烧结过程基本完成,坯体中颗粒已达到致密化状态;当kxy-1/kz^2=0或接近于0时,表示沿x,y轴和z轴方向的烧结收缩基本无差别,是一种最佳的层状陶瓷烧结状态.     

反应烧结制备AlN—Al2O3复合陶瓷的机理研究

探索性地研究了用反应烧结技术在Ａｌ２Ｏ３陶瓷中引入原位生成的纳米级的ＡｌＮ，制备ＡｌＮ－Ａｌ２Ｏ３纳米复合陶瓷，结合衍射仪，微热分析仪及扫描电镜研究了其反应烧结机理。     

利用复合烧结助剂改善氧化铝陶瓷力学性能初探

在复合助剂对氧化铝基陶瓷烧结性研究结果的基础上,本文继续就其力学性能进行观察,复合添加剂包括如下三部分物质：ＭｇＯ硅酸盐物质及过渡／稀土化合物,利用其综合叠加效应,在加入量不大的前提下（〈５％）不但较显著降低氧化铝陶瓷烧结温度,同时获得较好力学性能,实验发现,添加较少量（２％）硅酸盐物质材料既肯有良好的烧结性,又保证了较高强度在此特性基础上,研究了继续添加过渡／稀土化合物材料强度的影响,结果表明,     

RS—Si3N4／BN复合材料的组织与性能

利用硅粉氮化结合ＢＮ的反应烧结工艺制备出Ｓｉ３Ｎ４／ＢＮ复合材料,并研究了ＢＮ含量对复合材料密度,抗折强度,抗热震性以及显微组织的影响规律。结果表明,随ＢＮ含量的增加,复合材料的密度和抗折强度均随之降低,耐热震性则随之升高。     

Y,Ce—TZP陶瓷的微波快速烧结

微波烧结工艺具有烧结快速、产品致密、晶粒细小以及微观结构均匀等特点。本文研究了影响微波微快速烧结了ＴＺＰ陶瓷的各种因素，并与常规结作对比，着重从样品的力学性能、四方相含量和微观结构几方面探讨几烧结的种种特性     

低温烧结的刚玉陶瓷

当前,不含熔剂的材料,其烧结温度高达1700～1800℃;而含有熔剂的,其烧结温度则为1600～1650℃。这是俄罗斯工业生产的刚玉陶瓷材料所表现出的明显的技术缺陷。上述缺陷主要表现为热处理设备易快速磨损、耐火制品和能源消耗较高、周围环境遭受热污染。除此之外,高温烧结会导致制品强烈再结晶、形成内气孔和降低强度。因此,开发烧结温度低的、又具有高的物理机械性能和使用性能的材料是十分迫切的。     

复合磷酸锆锶钾陶瓷的烧结研究

应用湿化学法合成了复合磷酸锆锶钾KxSr（1-x)/2Zr2(PO4)3（x=0～1.0）（简写KSZP）陶瓷粉体，制备了相应的陶瓷。实验研究了烧结温度、烧结时间与抗压强度的关系以及添加剂MgO、ZnO用量对陶瓷抗压强度的影响；讨论了添加剂促进烧结体致密化的作用原理及晶粒生长与致密化的物质迁移机制。