以聚丙烯酸为分散剂制备高分散超细银粉

为了改善银粉的分散性,以聚丙烯酸( PAA)为分散剂、AgNO3为原料、抗坏血酸为还原剂,通过化学液相还原法制备了高分散超细银粉.研究了pH值、温度和分散剂用量对所制银粉的粒度和表面形貌的影响.结果表明:反应液的酸碱度对银粉的表面形貌有很大影响,在pH值为2时,银粉为树枝状;pH值为4时,银粉为不规则的类球形;pH值为...     

丁二酸作分散剂制备球形银粉的研究

以硝酸银为原料,甲醛为还原剂,丁二酸为分散剂,通过液相还原法制备了球形银粉。研究了丁二酸用量、硝酸银浓度、甲醛浓度、反应体系pH值对所制得银粉粒径的影响。结果表明:在c(硝酸银)为0.02 mol/L,c(甲醛)为1.44 mol/L,反应体系pH值为12.5～13.0的条件下,制备出了平均粒径为3μm的高纯球形银粉。     

苯并噁唑类液晶的合成

自主设计了苯并噁唑类液晶的合成路线.采用对烷基苯酚为起始原料,合成制得对烷基邻硝基苯酚,还原得到对烷基邻氨基苯酚,再与烷基苯氰在多聚磷酸脱水剂存在下合环得到2,5-取代苯并噁唑类液晶化合物,并在此基础上进一步拓展,合成出了系列化合物.标定了产品结构,测定了相关液晶参数,对液晶材料的性能进行了研究.在所研究的液晶化合物中,有的品种已实现了量产.     

双噁唑啉改性苯并噁嗪的性能研究

本文介绍了苯并嗯嗪的合成以及改性的方法。2，2’-（1，3-间苯撑）双-2-噁唑啉与二胺型苯并嗯嗪树脂共聚，共聚后树脂的玻璃化转变温度可达到250℃；残炭率可达到54S。填料的加入使得苯并嗯嗪的阻燃性达到应用需求。但是填料过量会导致工艺性能下降。在少量加入某几种阻燃剂的情况下，能使得树脂具有理想的阻燃性能，UL94测试能够达到V-0级。     

聚对苯撑苯并双(口恶)唑发光及其器件制备

采用光谱技术,研究了聚对苯撑苯并双(口恶)唑(PBO)溶液的光敏发光特性,并用相对法估算出溶液发光效率在50%范围.结合光谱技术、半导体电学和电化学等研究手段,具体研究了以PBO为发光层的单层电致发光器件,研究结果显示,电致发光与薄膜的光致发光有具有相同的发光中心,峰值位于510 nm左右.同时发现,由于存制备过程中不同处理条件使得不同厚度薄膜残留的掺杂物质浓度不同,从而引起薄膜的导电性的不同.使得器件的阈值场强随PBO厚度的减小而逐渐增加.     

2，6-二取代苯并二噁唑的研究（1）

在研究有机化合物的结构与性能之间的关系的过程中，我们继以前报导的几种苯并噁唑-1，3衍生物和噁唑-1，3，4衍生物，     

新型碱性清洗剂对BTA去除的研究

为了有效去除化学机械抛光(CMP)后清洗中的苯并三氮唑(BTA)沾污,分析了碱性清洗剂中FA/OⅡ型螯合剂和FA/OⅠ型表面活性剂对BTA去除的影响规律。铜光片上的单因素实验中,通过测试铜光片清洗前后铜表面与去离子水的接触角得出:FA/OⅡ型螯合剂是影响铜光片上BTA去除的主要因素,FA/OⅠ型表面活性剂对铜光片上BTA的去除有一定的作用。利用扫描电镜测试采用不同体积分数和不同配比的清洗液清洗后的图形片上的BTA沾污,通过对比清洗后铜光片上残留的BTA沾污数量可知,清洗剂中FA/OⅡ型螯合剂体积分数为0.01%和FA/O I型表面活性剂体积分数为0.25%时,清洗剂清洗BTA沾污效果最好,基本上无BTA沾污残留,并且清洗后未发现氧化铜颗粒和硅溶胶颗粒沾污。     

关于FA/O螯合剂降低铜布线片漏电流的研究

简要论述了互连工艺中铜布线取代铝布线的必然趋势,以及铜布线片化学机械抛光(CMP)后进行清洗的必要性。在集成电路制造的过程中,漏电流的危害已经引起了广泛关注。在CMP过程中产生的三种主要表面缺陷对漏电流都有一定的影响,但其中重金属离子对漏电流的影响是最大的。通过使用不同浓度的FA/O螯合剂对铜布线片进行清洗,从而得出最佳的去除金属离子降低漏电流的清洗浓度。为了防止FA/O螯合剂对铜线条造成腐蚀,采用在清洗液中加入缓蚀剂苯并三氮唑(BTA)来有效控制铜线条的表面腐蚀,从而得到理想的清洗结果。25℃时,加入20 mmol/L BTA的体积分数为0.4%的FA/O螯合剂降低漏电流的效果最佳。     

一种对铜抛光后去除苯并三氮唑的新型清洗剂的研究

在化学机械平坦化(CMP)后,铜表面会残留一些颗粒污染(如二氧化硅)和有机物(如苯并三氮唑),这些杂质都会对集成电路造成很大的危害,因此CMP后清洗是必比不可少的过程。尤其是苯并三唑(BTA),它会和铜在其表面生成一层致密的Cu-BTA膜,使铜的表面疏水。这就要求有一种可以有效去除铜表面BTA的清洗剂。本次研究中提出的新型复合清洗剂主要来解决两个问题：一个是BTA的去除问题,另一个是清洗液对铜表面腐蚀的问题。清洗剂的主要成分有两种,一种是FA / OⅡ型碱性螯合剂,它主要用来去除BTA,另一种是FA / O I型表面活性剂,它主要用来解决铜表面的腐蚀问题。通过接触角和电化学的手段来表征BTA的去除情况。表面活性剂的抗腐蚀能力主要通过电化学实验来反映。本文提出的复合清洗剂在不腐蚀铜表面的前提下对于BTA的去除很有优势。关键词： 去除苯并三氮唑;碱性螯合剂;表面活性剂; 腐蚀抑制剂     

CoS QDs/PDMS纳米复合薄膜的制备与红外特性研究EI北大核心CSCD

过渡金属硫属化合物(TMCs)由于具有优异的光学、电学及光电等特性,被广泛应用于光催化、太阳电池、激光器等领域。作为一类典型的TMCs材料,硫化钴量子点(CoS QDs)因禁带宽度较窄而具有优异的近红外吸收特性,有望用于红外技术领域。文中采用液相超声剥离法制备了CoS QDs,再用共混法制备得到CoS QDs/PDMS纳米复合薄膜,并对它们的光学性质进行了研究,结果表明:CoS QDs的平均尺寸约为5 nm,大小均匀,呈球形;CoS QDs与CoS QDs/PDMS纳米复合薄膜在红外波段均存在明显的吸收和发光特性,且复合薄膜的红外吸收特性优于CoS QDs薄膜;随着激发光波长的增加,纳米复合薄膜的光致发光(PL)峰出现了红移,表现出明显的Stokes位移效应和激发波长依赖性。CoS QDs/PDMS纳米复合薄膜优异的红外吸收和发光特性,表明其在红外探测、荧光成像、纳米光子器件等研究领域中具有重要的潜在应用价值,有望成为一种新型红外探测材料。     

基于(111)硅单片集成三轴加速度计的工艺研究北大核心

介绍了一种新型单片集成电容式三轴微加速度计的加工方法,该方法采用非绝缘体上硅(SOI)的单硅片单面加工技术,易于与IC工艺兼容,而且成本低廉,成品率高,适用于批量生产,可替代传统的SOI工艺。该方法主要利用硅深度反应离子刻蚀(DRIE)技术结合普通(111)单晶硅片内部可选择性横向自停止腐蚀技术制作并释放得到悬浮可动的敏感结构。此外,创新的锚点设计不仅使检测电极之间相互电学隔离,而且便于引线键合与封装。最后基于开环接口电路对加工制造的三轴加速度计进行了测试,验证了该工艺的可行性。     

信息化背景下数学建模模式的探索与实践研究——评《数学建模方法及其应用(第三版)》北大核心CSCD

数学是多项学科的基础,比如计算机、经济学、建筑学等等,生活中也经常需要运用到的数学知识,数学的重要性一直是不言而喻的。新时代,为了进一步实现数学的运用,实现数学知识对于不同问题的处理,数学建模得到越来越多人的重视与认同。数学建模是数学走向应用的必经之路,也是启迪数学心灵的必胜之途。数学建模课程的开展,不仅能够让学生能够了解数学概念、方法与结论,更是能够让学生领悟数学的精神实质与思想方法。