聚酰亚胺柔性温度传感器的制作与性能测试

基于微机电系统技术,在柔性聚酰亚胺(PI)基底上分别制作弓形与蛇形两种结构的铜薄膜与铂薄膜温度传感器。采用红外成像设备对传感器在通电状态下的热分布进行测试,结果表明PI基底具有良好的热绝缘性。对不同结构、不同金属薄膜的传感器性能进行对比分析,在25～90℃的温度测试范围内,4种温度传感器均具有较好的灵敏度和线性度,其中蛇形结构的铂薄膜温度传感器的线性度最好,线性相关系数达到了0.99933,其电阻温度系数为0.002 35/℃。     

基于薄膜热电偶的高速切削动态温度监测系统设计

提出了一种基于薄膜热电偶传感器的高速切削动态温度监测新方法.采用磁控溅射、光刻技术、PECVD等方法在立方氮化硼(PCBN)高速切削车刀前刀面上沉积多层薄膜,制备NiCr/NiSi薄膜热电偶传感器.详细阐述了薄膜温度传感器的制备过程,设计了高速切削温度和切削力的数据采集与监测系统.以高速数据采集卡PCI-9118为硬件,结合Tchart控件,采用VC ++编制简洁友好的人机界面来实现对高速切削温度和切削力数据的实时采集、显示与分析.试验表明,设计的数据采集和监测系统使用方便、灵活、可靠.     

氧化钒热敏特性研究

采用金属钒作为靶材,利用反应磁控溅射工艺制备了氧化钒薄膜.分析了改变溅射总压,溅射时间,溅射温度等工艺参数对薄膜电特性的影响,探索了氧化钒的成膜工艺.并讨论了不同工艺条件下薄膜方阻,薄膜电阻温度特性.最后对样品进行了XPS分析.     

金属复合对CrN薄膜的结构及摩擦磨损性能的影响

采用反应磁控溅射制备了CrN、Cr-Al-N与Cr-Ti-N复合薄膜;利用XRD与SEM表征了薄膜的结构及断面形貌;采用摩擦磨损实验机考察了薄膜的摩擦磨损性能;研究了金属复合对薄膜结构和摩擦磨损性能的影响.结果表明:所制备的复合薄膜中Al与Ti均以置换方式固溶于CrN中,取代了一部分Cr原子.形成固溶体的合金复合薄膜;合金复合后薄膜的结晶性变差,晶粒均出现细化;合金复合薄膜的摩擦磨损性能均有不同程度的提高.其中Cr-Al-N薄膜的耐磨性极大提高.     

沉积温度对脉冲真空弧源沉积类金刚石薄膜性能的影响

利用脉冲真空弧源沉积技术在Cr17Ni14Cu4不锈钢和Si(100)基体上制备了类金刚石(DLC)薄膜,研究了基体沉积温度对DLC薄膜的性能和结构的影响。研究表明,随着沉积温度由100 ℃提高到400 ℃,DLC薄膜中sp3 键质量分数减少,sp2键质量分数增多,薄膜复合硬度逐渐降低。当DLC薄膜沉积温度达到400 ℃时,薄膜中C原子主要以sp2键形式存在,与沉积温度为100 ℃时制备的DLC薄膜相比,薄膜复合硬度降低50%。DLC薄膜具有优异的耐磨性,摩擦因数低,随着沉积温度由100 ℃提高到400 ℃,Cr17Ni14Cu4不锈钢表面沉积的DLC薄膜耐磨性降低。沉积温度为100 ℃时,Cr17Ni14Cu4不锈钢表面沉积的DLC薄膜后,耐磨性大幅度提高。DLC薄膜与不锈钢基体结合牢固。     

快速退火工艺对BTO薄膜结构的影响

采用金属有机化学气相沉积（MOCVD）工艺在Ts＝440℃条件下制备组份Bi/Ti=1.44的非晶态薄膜，经过快速退火处理，制备择优取向的Bi4Ti3O12铁电薄膜（称BTO薄膜），较好的退火温度为630℃、时间为60s；快速退火对薄膜组分的影响不大。     

S枪磁控溅射镍薄膜温度传感器

本文分析了薄膜温度传感器制造的难点，提出降低内应力的方法，应用正交试验技术得出了最佳工艺条件，应用Ｓ枪磁控溅射方法和薄膜工艺制成了零电阻分别为１００Ω、５００Ω、１０００Ω的镍薄膜电阻元件，其电阻温度系数达到德国ＤＩＮ４３７６０标准。     

复杂加工工件智能自适应加工及智能刀具系统研究

针对机加工主轴旋转的刀具切削力和切削热不易测量等缺点,对智能电主轴系统进行设计,布置压电薄膜测力和涂层薄膜温度传感器位置,并研究智能电主轴对切削工艺参数智能感知及自适应控制;研究智能刀具系统并进行设计,在铣刀钻刀排屑槽镀薄膜温度传感器,并使用电滑环把信号线引出,解决了旋转刀具直接测量切削温度的难题;最后通过构建可重构智能切削数据库,存储采集切削感知数据,优化加工工艺,并能够对加工过程进行远程在线监控。     

采用MOD工艺制备PZT压电薄膜及其性能的研究

文中比较详细地研究了采用金属有机化合物热分解（ＭＯＤ）法制备锆钛酸铅Ｐｂ（Ｚｒ０．５２Ｔｉ０．４８）Ｏ３铁电薄膜的工艺及ＰＺＴ薄膜的介电性能。利用ＸＲＤ分析了薄膜的结晶过程,制得具有钙钛矿结构的ＰＺＴ薄膜铁电极有利于钙钛矿相形成,薄膜的介电温谱研究结果表明：薄膜有居里温度约为４３０℃（１ｋＨｚ）。     

金属薄膜电阻温度传感器的结构设计探讨（二）

2.图形设计 图形设计主要是决定金属薄膜线条的几何尺寸,用l表示线条长度,d表示线条宽度,h表示金属薄膜的厚度,则传感器的额定阻值(R_0)可表示为:R_0=ρl/dh(10)式中ρ——金属薄膜的电阻率 以铂薄膜电阻温度传感器的设计为例,铂的电