镓

一．2004年的市场动向 GaAs、GaP等化合物半导体市场占镓用途的大部分。2000年泡沫需求过后，由于供应过剩价格大幅下滑，整个镓产业界出现大滑坡。     

镓

2005年市场动向 2005年手机市场活跃，全世界手机销售台数将比上年增长20％，达到8亿台。但遗憾的是GaAs器件的增长却没有那么高。其主要原因是器件尺寸的小型化和硅器件的追赶。巴西、俄罗斯、印度、中国是手机增长的中心，廉价机种受到人们的青睐，因此，各器部件厂家对价格提出了非常严格的要求，器件单价连年持续下跌。这一点上看，有人认为GaAs器件产业已不是朝阳产业。如果这是事实，今后将会通过退出或合并进行业界重组。     

镓供应紧张价格上涨

镓的国际市场行情从2006年秋季开始上扬，2007年开始由于需求增加，供应减少，价格有加速上涨的趋势。2001年年中镓的国际市场价格暴涨到2300美元他，之后暴跌到250美元／kg。2003年末到2004年为300美元/kg，2005年下半年至2006年年中一直徘徊在350美元/kg的水平。这几年需求也没有发生较大变化。但到2006年下半年，镓价接近400美元／kg。至2007年2月已上升至400-450美元/kg。     

镓

2003年的市场动向：GaAs(砷化镓)、GaP(磷化镓)等化合物半导体市场占镓用途的大半。2002年泡沫需求过后，由于供应过剩价格下跌显著，整个产业界显露出大的跌落。     

镓

一．2007年市场动态 2000年，原生镓生产厂受供应紧张的影响，至2001年末一直在增加产量，结果陷入供过于求的困境。2002年12月Reuters发表的镓的买入价（Bid）下跌到180美元／kg。从2002年后半年开始，无利可图的厂家相继停产。由于原生镓产量减少，2004年后半年价格开始回升，之后价格一直维持在300美元／kg左右，至2006年价格又开始上涨。     

金属硅

2002年动向 2002年西方各国对金属硅的需求为101．1万t，比上年增加了3万t。其中欧洲38．7万t，北美24万t，日本18．9万t，亚洲(除日本)7．3万t，其他国家12．2万t。     

铟

2002年，世界铟的供应为250t(新产生铟)，比2001年的310t大幅减少了19％。占供应总量4成的中国，由于原料矿石不足，比上年减产20％，减少到100t。     

镓三相点的复现

本文介绍了镓三相点的复现方法,并对镓三相点值进行测量,其温度值为29．7666℃。     

硒和碲

据USGS(美国内务部地质调查所)统计，2002年世界硒产量为1460t，比2001年的1580t减少8％。硒是与金、银一起存在于铜冶炼过程产生的残渣中。因此，硒产量减少估计是由于铜产量减少和使用了硒品位低的矿石所致。     

镓熔点容器

介绍了中国计量科学研究院于１９９１年研制成功并通过鉴定的镓熔点全密封容器主要技术指标（长期稳定性容器间的差）。至目前仍保持相当好，两年来向国内、外用户提供了数个这种客器，在使用中技术性能也很满意．     

镓三相点的复现

本文介绍了镓三相点的复现方法,并对镓三相点值进行测量,其温度值为29.7666℃.     

镓

日本2006年供应 2006年日本供应为134．4t。国内DOWA公司生产新镓锭8t，比2005年减少2t。进口33．5t，比2005年减少22％。其中，从法国进口4．581t（4～7N）：中国12．344（4N）：匈牙利0．7t（4N）；美国2．352t（6N）；俄罗斯2．2t（4N）；乌克兰0．3t（4N）；台湾11．072t（2N）。     

镓熔点的测定及计算公式

测定了纯度为99.9999％的镓样品的熔点:t_(68)=29.7716_7℃±0.0002℃(1σ),其相应的热力学温度为27.7647_9℃。讨论了采用镓熔点后铂电阻温度计检定、分度中的有关问题,推导了由温度计在镓熔点的电阻比W_(?)计算α系数的公式,并进行了实验验证。     

镓三相点容器的金属充灌方法

本文介绍了中国计量科学研究院镓三相点容器研制中高纯镓的充灌的方法———负压法。其利用容器内外的压差 ,将高纯镓充入到容器内 ,同时 ,又可避免高纯镓被氧化。     

镓三相点容器的研制

近年来,镓三相点作为新的温度固定点的研究已经得到了广泛的重视。本介绍了镓三相点容器的制作工艺、冻制过程及复现技术。实验结果表明,镓三相点的温度值为29.7666℃