微波ECR氧等离子体参数测量

利用双探针对微波ECR氧离子体参数进行了诊断研究,测量了等离子体的双探针伏安曲线并计算出电子温度和离子密度,分析了气压、微波功率、氧气流量等参数对等离子体参数的影响.结果表明:a.随着气压的升高,等离子体密度先增大后减小,电子温度逐渐减小.b.等离子密度随微波功率的增加先增加后达到饱和,电子温度受微波功率影响很小.c.随着氧气流量的增加,等离子体密度和电子温度都减小.     

多晶硅的ECR等离子体刻蚀

报道了用CF4作工作气体的ECR刻蚀poly－Si技术，研究了微波功率、气体流量、气压和射频偏置功率对刻蚀速率的影响，并对实验结果进行了讨论，实验中微波等离子体功率范围在100－500W，CF4气体流量在10－50cm^3/min（标准状态下）范围，气压在0.25-2.5Pa范围，射频偏置功率在0－300W范围，对应的刻蚀速率为10.4-46.2nm/min。     

微波等离子体的朗缪尔探针测量

随着微波等离子体的应用越来越广泛,其参数的测量研究也逐渐得到人们的重视.本文使用朗缪尔探针测量了微波等离子体的单探针I-V特性,并根据探针测量原理计算出等离子体空间电位、电子温度,电子密度和离子密度等参数.     

磁场位形对微波ECR等离子体电子参数的影响

测量了两种磁场位形中微波ECR等离子体的电子参数,研究了磁场位形对电子参数空间分布的影响,结果表明:发散场中电子温度在轴心和腔体边缘较大,在过渡的中间区域较小,而磁镜场中电子温度随径向半径R的增大单调减小;电子密度在两种磁场位形中随径向和轴向距离的增大均呈单调下降的趋势,磁镜场中的下降幅度大于发散场;在共振面附近,发散场中气压对电子温度的影响比在磁镜场中大,而气压对电子密度的影响在两种磁场位形中基本相似.     

微波ECR等离子体溅射沉积TiN薄膜的研究

用微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体溅射法在常温下制备出优质的ＴｉＮ薄膜．采用静电探针技术，对ＥＣＲ等离子体进行了诊断，研究了等离子体参数与装置运行参数之间的关系，探讨了等离子体参数对成膜工艺过程的影响．     

微波ECR等离子体中铝合金的全方位氮离子注入

使用微波ECR等离子体对LD10铝合金材料进行全方位氮离子注入。AES深度分布结果表明,在30KV注入电压下,注入深度约有150mm。对相互垂直的两不同表面进行的硬度分析表明,全方位氮离子注入对试样的不同表面改性效果相同,硬度均获得明显提高。     

微波ECR等离子体材料加工技术研究

微波电子回旋共振（ＥＣＲ）等离子体技术近年来在薄膜沉积、材料改性和有机高分子材料聚合等材料加工领域获得了广泛的应用与快速发展,本文结合近期的主要研究结果对此作一介绍。     

微波ECR等离子体材料加工技术研究

微波电子回旋共振等离子体技术近年在薄膜沉积、材料改性和有机高分子材料聚合等材料加工领域获得了广泛的应用与快速发展，本结合近期的主要研究结果对此作一介绍。     

ECR等离子体刻蚀对玻璃光学和润湿性能的影响

为了提高太阳能电池盖板玻璃的透过率和自清洁性能,采用电子回旋共振( ECR)等离子体刻蚀与金属颗粒掩膜结合的方法刻蚀硼硅酸盐玻璃,采用扫描电镜( SEM)对刻蚀后玻璃表面形貌进行了观察,采用分光光度计测量了刻蚀前后玻璃透过率变化,并用接触角仪测定了刻蚀前后玻璃表面润湿性变化. 结果表明:经过ECR等离子体刻蚀后,在玻璃表面形成多山峰状纳米结构,平均尺寸约在80～140 nm,并有效提高了玻璃的可见光透过率,尤其是在有偏压刻蚀后透过率由原来91%提高到94. 4%,同时,玻璃表面亲水性增强,接触角θc由原来的47. 2°变为7. 4°,自清洁性能得到提高.     

射频辉光放电氩等离子体诊断分析

为了获得等离子体抛光实验平台中氩等离子体的参数,利用Langmuir单探针与发射光谱法对其进行诊断分析,根据Langmuir探针原理计算了氩等离子体的电子温度与电子密度,采用双谱线相对强度法估算了氩等离子体温度及电子密度.实验结果表明：当射频电源功率在40～120 W时,电子温度随射频电源功率增加而增加,电子温度范围为2.41～5.03eV,等离子体温度随射频电源功率变化不大;两种方法测得的电子密度存在偏差,其随射频电源功率变化的趋势是一致的.     

微波低温等离子体处理对羊绒染色性能的影响

利用微波低温等离子体对羊绒进行处理,以实现羊绒织物的低温染色.通过实验优化等离子体处理各因素如处理时间、功率和压强等,得到最佳等离子体处理工艺.结果表明:羊绒织物用氧气为气氛的等离子体处理,在处理压强为30 Pa、处理功率为100 W的条件下,处理3 min得到最佳效果.经最佳条件等离子体处理后的羊绒织物用酸性染料进行低温(80℃)染色,与未处理羊绒织物相比,上染率和固色率大为提高,且染色牢度有所提高.     

ECR微波等离子体CVD制备a—Si：H薄膜

电子回旋共振微波等离子体化学气相沉积（ECRPCVD）应用于制备a-Si:H薄膜，其沉积速率大于射频等离子体化学气相沉积（RFPCVD），而且在基体不加温情况下也能获得比较满意的特性，根据红外吸收谱分析，并经伸缩振动模吸收带的积分计算，得出样品的含氢量为20－30％，光学带隙E0为1．80eV左右，暗电导率小于10^10s/cm，倘若基体适当加温，a-Si:H膜的性能将更为优良。     

微波电子回旋共振等离子体溅射法沉积ZnO薄膜

ＺｎＯ薄膜具有强的压电和光电效应，广泛用于制作各种声电和声光器件中．本文报道了用微波ＥＣＲ等离子体溅射法沉积了ＺｎＯ薄膜，并研究了该法制备ＺｎＯ膜的工艺．结果表明，所形成的ＺｎＯ膜的性质强烈地依赖于溅射沉积条件．     

利用发射光谱研究ECR等离子体对钨的刻蚀

研究不同刻蚀条件下等离子体对钨表面的刻蚀变化,并对其原因进行分析有助于进一步了解其对钨的刻蚀机理,从而为如何提高钨材料的使用寿命提供一定的理论支撑.采用光纤光谱仪(Avaspec—ULS2048一USB2)检测在不同放电条件下电子回旋共振(electron cyclotron resonance,ECR)等离子体中受激发的钨原子、钨离子谱线的相对强度,从而根据其谱线的相对强度可以直接地反映出不同刻蚀条件下的等离子体对钨表面刻蚀的强弱规律.结果表明:偏压越大对钨表面的刻蚀越严重,气压则呈现先增大后减小的趋势;在N2-Ar混合气体中随着N,体积分数的增加对钨的刻蚀逐渐增强;而对比He、N,和Ar三种气体,He等离子体对钨的刻蚀最为严重;在700 W、0.1 Pa条件下,0175 V偏压范围的He等离子体对轧制态钨的刻蚀比再结晶态钨严重,而在175 V之后结果却相反.     

真空波导磁场控制型ECR溅射法的实验研究

微波电子回旋共振（delectroncyclotronresonance．ECR）等离子体溅射法是能在低温下制备高质量薄膜的最新镀膜技术．在该技术中,微波输入窗口易受金属粒子污染,导致微波在窗口反射,从而影响装置的正常工作。本文初步探讨了在ECR溅射装置中．采用真空波导与共振腔连成一体,在连接处配置磁轭（纯铁）．通过改变共振腔与波导连接处的磁场分布,能有效的避免微波窗口污染的技术途径,并较细致的研究了该装置的放电特性。     

在高ECR 等离子体密度下沉积高质量氮化镓薄膜

目的　研究在电子回旋共振等离子体辅助法生长ＧａＮ 时的离子密度对其质量的影响．方法　用朗缪尔探针测量离子密度,用Ｘ 射线双晶衍射及霍尔测量分析ＧａＮ的质量与性能． 结果离子密度越高,薄膜的质量与性能就越好． 当生长ＧａＮ 时的离子密度为２－０ ×１０１１ ｃｍ － ３ 时,所得ＧａＮ 晶膜的氮镓量比接近于１ ,本底电子密度为３－７ ×１０１８ ｃｍ － ３ ,Ｘ 射线双晶衍射回摆曲线的半高宽为１６ ａｒｃｍｉｎ ． 结论　提高离子密度能明显提高ＧａＮ 的质量与性能