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《军民两用技术与产品》2009,(5)
多轴伺服电动机控制芯片深圳航天科技创新研究院研制生产的多轴伺服电动机控制芯片由3款拥有自主知识产权的全数字化ASIC芯片构成,即多轴工业自动化伺服电动机控制芯片、力矩伺服控制芯片和四轴交流伺服控制芯片,可全面满足高性能伺服控制系统的需要。 相似文献
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《军民两用技术与产品》2009,(4):14-14
杭州晟元芯片技术有限公司自主研制的指纹识别电子签名芯片获得成功,一举填补了国内指纹识别芯片研发和生产的空白。
指纹识别芯片以指纹识别代替pin码输入,杜绝了电子签名骗签现象,既便捷又保障了网络环境的身份认证安全问题。指纹电子签名芯片与常规加解密芯片相比.不论是性能、整体成本还是资源配备,都增强了10倍以上。 相似文献
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《军民两用技术与产品》2011,(5):26-28
我国首款自主知识产权相变存储器芯片研制成功我国首款自主知识产权相变存储器(PCRAM)芯片研制成功,打破了存储器芯片生产技术长期被国外垄断的局面,产业化前景可观。据介绍,该PCRAM芯片由中 相似文献
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基于模糊集理论,提出了MCM模糊热分布算法。算法中MCM的每个芯片受到芯片间的排斥力、基板边缘对芯片的吸引力及基板中心对芯片的吸引力三种视在作用力。通过模糊推理规则分析了这些力和芯片分布间的模糊关系。高度法解模糊化后,以三力之和最小时的芯片分布作为最佳芯片分布方案。利用有限元法验证了模糊热分布算法的有效性,并将仿真结果与采用四分法得到的结果比较,表明利用该算法得到的MCM热分布比采用四分法得到的热分布更合理、更稳定。 相似文献
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论述了以ARM7芯片S3C4510B为主控芯片,构建一个RFID门禁系统阅读器的方案,阅读器读取的数据可通过以太网传输到上位机.主控芯片S3C4510B通过与MF RC500芯片连接实现射频通信,通过与RTL8201芯片连接实现以太网通信,给出了详细的硬件电路设计和软件流程. 相似文献
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主要分析了电力芯片电磁兼容的国内外发展现状及趋势,以及我国电力芯片电磁兼容性设计中面临的主要问题. 结合电磁兼容相关理论,研究了电力芯片的电磁抗扰度和电磁干扰的测试方法及保护措施. 重点论述了电力芯片在设计阶段减小电磁兼容性问题影响的3种设计方法. 最后总结了电力芯片电磁兼容标准制定工作面临的挑战与展望. 相似文献
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《军民两用技术与产品》2007,(9)
新一代高性能多媒体手机核心芯片面世成都展讯通信技术有限公司开发的SC6600R型高性能多媒体GSM/GPRS手机核心芯片成功面世。这款芯片是展讯公司在多媒体手机核心芯片领域不断开拓的最新成果,也是展讯芯片家族的新成员。 相似文献
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介绍了一种以专用芯片L6560为核心元件构建的功率因数校正电路,着重介绍芯片内部结构与芯片配合的外围电路的设置,为该芯片运用提供更趋实用性参考。 相似文献
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冯叶 《军民两用技术与产品》2006,(10):12
深圳市中兴集成电路公司(ZTEIC)在成功推出“仙人球”系列32位安全处理器芯片的基础上,重点推出“安全key盘”整体解决方案。该方案采用了ZTEIC完全自主知识产权的“仙人球”系列32位安全处理器芯片作为主控芯片.外挂闪存芯片实现安全移动存储功能。 相似文献
10.
KJ. 《军民两用技术与产品》2004,(10):17-17
世界最大芯片生产商美国英特尔公司采用最先进的65纳米芯片制造工艺,生产出储存量为70兆的静态随机存取存储器(SRAM)芯片,并宣布,下一代纳米芯片制造技术水平将达到45纳米。 相似文献
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沈静桥 《成都纺织高等专科学校学报》2003,20(4):20-21
分析了可编程接口芯片的地位、作用及常用资源 ,对程序员利用可编程接口芯片开发应用系统的几个重要环节做了简介 ,提出了对可编程芯片编程的一般方法。 相似文献
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硅动 《军民两用技术与产品》2008,(2):16
英特尔公司推出用于超移动电脑的型号为Z—P140 PAPA的嵌入式固态盘,其形态为一个芯片,容量为2G或者4G。该固态盘可植入英特尔公司推出的Menlow芯片平台,而Menlow芯片平台是专门面向超移动电脑,包括Silverthorne处理器和Poulsbo芯片组。 相似文献
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《军民两用技术与产品》2009,(5):32-32
深圳航天科技创新研究院研制生产的多轴伺服电动机控制芯片由3款拥有自主知识产权的全数字化ASIC芯片构成,即多轴工业自动化伺服电动机控制芯片、力矩伺服控制芯片和四轴交流伺服控制芯片,可全面满足高性能伺服控制系统的需要。这3款芯片均内含矢量控——以及电流、速率、位置闭环控——并有丰富的传感器接口和多种通信接口,可四轴实时同步控制,性能指标高,可靠性好,允许用户改变和动态凋整闭环调节器的参数,提供PC调试平台、参数设置和波形观察。 相似文献
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在功率管驱动芯片电路中,当驱动信号达到芯片工作频率上限或大负载情况亦或芯片受到强干扰时,常出现芯片工作状态不稳定甚至烧毁的现象。由此暴露出驱动芯片驱动电流较小、带负载能力较弱和抗干扰能力不强的问题。利用在驱动芯片输入端连接死区可调的7414反相器,在输出端连接功率推挽电路,并且在整个电源系统中采用两级π型滤波对电源进行加固,滤除由电源产生或通过其传播的干扰,增强电源完整性。基于此设计一种加固型的驱动电路,能有效提高驱动电流,提升负载能力和抗干扰能力。以中小功率驱动芯片IR2110为例具体阐述。 相似文献
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在数字电路实验中,大量使用一些基本系列的数字集成芯片,芯片的好坏和型号需要检测。市场上工程应用型测试仪价格较贵,不能测试实验室中很多数字芯片,且非中文界面显示。综合了现有的各类测试仪的优缺点,采用STC89C516RD+单片机和中文LCD设计了简易数字芯片测试仪系统,能够实现对数字电子技术实验中经常使用的逻辑芯片的好坏判别和型号判别,价格便宜,又能实现中文界面的交互。 相似文献
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应用有限元分析软件ANSYS,模拟功率载荷下叠层芯片封装中各层的温度和应力分布.分析结果表明,下层芯片最高温度、最大等效应力和剪应力分别为412.088 K,143 MPa,65.4 MPa,下层芯片的边角处应力和剪应力值最大,也是芯片最容易破坏和开裂的位置. 相似文献
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塑封成型中芯片翘曲变形的控制是保障电子芯片品质的技术关键,为了准确预测其翘曲变形,基于Castro-Macosko固化动力学模型,建立了描述塑封填充过程及其芯片热流固多场耦合翘曲变形形成过程的理论模型,并揭示了其变形机制。研究结果表明:芯片热流固耦合翘曲变形先随熔体充填流动时间的增加而快速增加,达到最大值之后逐渐减小,并趋于恒定。当熔体注射速度由0.1 m/s增至2 m/s,芯片上下表面热流固耦合最大压差由9.562 34 k Pa增至18.022 43 k Pa,增幅高达88.5%,导致芯片热流固耦合翘曲变形随着注射速度增大而增大,且最大热流固耦合翘曲变形出现在芯片中心下游附近区域,减小注射速度有利于减小芯片的热流固耦合翘曲变形。 相似文献
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《西北工业大学学报》2020,(1)
提出了一种功能微拓扑结构细胞培养芯片,芯片结构由具有细胞粘附特异性的微平台和微柱阵列交替排布而成,并采用具有良好生物相容性和化学稳定性的聚合物制备,因此该芯片具有对细胞规约能力强和定位稳定性好的优点。芯片性能验证结果表明,所设计的功能微拓扑结构芯片细胞定位率达到90%,芯片结构及尺寸稳定性好,为需要长期细胞培养的干细胞研究提供了重要的支撑工具。 相似文献
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为保证高压绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor, IGBT)器件换流运行时的热稳定性,需要根据IGBT芯片的电热特性和器件的散热设计,确定芯片运行的热稳定工作区,从而指导器件的运行条件控制。虽然针对芯片动静态损耗的热稳定性分析已经发展了许多年,但目前针对高压芯片的相关研究还较少。首先,通过实验测量了3.3 kV非穿通(Non-Punch Through, NPT)型和场截止(Field Stop, FS)型IGBT芯片的动静态特性,获得并分析了温度、电流及电压对动静态损耗特性的影响规律。在此基础上,给出了IGBT芯片的损耗拟合公式,通过对器件内部的热反馈过程进行分析,提出了具有解析形式且包含占空比、换流频率及电压电流等器件运行工况的IGBT芯片的热稳定性判据。根据所提的判据,分析了高压NPT型和FS型IGBT芯片的换流运行的热稳定性,可方便确定IGBT芯片在不同的换流条件下的最大工作频率和最大工作电流,简化了高压IGBT芯片的热稳定性分析,并可为高压器件的选型和损耗评估提供依据。 相似文献
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以STC 89C52单片机作为系统的控制芯片,以TA8435H芯片作为步进电机的驱动芯片,进行步进电动驱动器设计.研究表明,所设计的步进电机驱动器能快捷、有效、高精度地调节金片绣装置的高度;使用TA8435H芯片驱动步进电机价格低廉,且控制简单、工作可靠. 相似文献