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《微纳电子技术》1995,(5)
从文献中摘出了6H碳化硅(6H~SiC)的重要材料参数并应用到2-D器件模拟程序PISCES和BREAKDOWN及1-D程序OSSI中。6H-SiCp-n结的模拟揭示了由于反向电流密度较低的缘故相应器件在高达1000K温度下应用的可能性。6H-SiC1200Vp-n ̄(-)-n ̄(+)二极管与相应硅(Si)二极管的比较说明6H-SiC二极管开关性能较高,同时由于6H-SiC p-n结内建电压较高,其正向功率损耗比Si略高。这种缺点可用6H-SiC肖特基二极管克服。Si、3C-SiC和6H-SiC垂直功率MOSFET的开态电阻通过解析计算进行了比较。在室温下,这种SiCMOSFET的开态电阻低于0.1Ωcm ̄2,可在高达5000V阻塞能力下工作,而SiMOSFET则限于500V以下。这一点通过用PISCES计算6H-SiC1200VMOS-FET的特性得以验证。在低于200V的电压区,由于硅的迁移率较高且阈值电压较低,故性能更优良。在上述的6H-SiCMOSFET的栅氧化层和用于钝化平面结的场板氧化层中存在着大约4×10 ̄6V/cm的电场。为了研究SiC器件的高频性能,提出了6H-SiC发射极的异质双极晶体管? 相似文献
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为了实现50~500V的击穿电压范围,本文详细讨论了6H-SiC和3C-SiC肖特基整流器和功率MOSFET的漂移区性质。利用这些数据计算了器件的输出特性,并与Si器件做了比较,结果表明,由于其漂移区电阻非常低,故5000VSiC肖特基整流器和功率MOSFET在室温下能够处理100A/cm^2的导通电流密度,正向压降仅分别为3.85和2.95V。这些数值甚至优于Sipin整流器和门可关断晶闸管。这 相似文献
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掺HCI栅氧化对MOS结构电特性的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性,阈电压和界面态。结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降,采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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研究了栅氧化时掺HCl的硅栅MOSFET的DDS-VGS特性、阈电压和界面态.结果发现,HCl掺入栅介质,可使IDS-VGS曲线正向漂移,PMOSFET阈电压绝对值减小,NMOSFET阈电压增大,Si/SiO2界面态密度下降。采用氯的负电中心和Si/SiO2界面硅悬挂键的键合模型对实验结果进行了解释。 相似文献
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Ar+背面轰击对SiOxNy栅介质的n—MOSFET迁移率和跨导的影响 总被引:4,自引:1,他引:3
用低能量氩离子束轰击芯片背面,能改善以热氮化和快速热氮化SiOxNy为栅介质的n沟的MOSFET的特性,结果表明,在能量为550eV和束流密度为0.5mA/cm^2时,随着轰击时间的增加,跨导、沟道和有效迁移率增大,然后这些变化趋于减缓,甚至开始呈恶化趋势。快速热氮化SiOxNy 介质的MOSFET的改善效果要比常规热氮化的好、实验证明,上述参数的改善是由于界面态密度和固定电荷密度减小的结果,文中 相似文献
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利用薄膜全耗尽CMOS/SOI工艺成功地研制了沟道长度为1.0μm的薄膜抗辐照SIMOXMOSFET、CMOS/SIMOX反相器和环振电路,N和PMOSFET在辐照剂量分别为3x105rad(Si)和7x105rad(Si)时的阈值电压漂移均小于1V,19级CMOS/SIMOX环振经过5x105rad(Si)剂量的电离辐照后仍能正常工作,其门延迟时间由辐照前的237ps变为328ps。 相似文献
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凹陷沟道SOI器件的实验研究 总被引:2,自引:0,他引:2
本文较为详细地描述了凹陷沟道SOI器件的结构和工艺制造技术,采用凹陷沟道技术制备的SOI器件的性能明显优于常规厚膜部分耗尽和常规薄膜全耗尽SOI器件的性能.采用该技术已成功地研制出沟道区硅膜厚度为70nm、源漏区硅膜厚度为160nm、有效沟道长度为0.15~4.0μm的高性能凹陷沟道SOIMOSFET,它与常规薄膜全耗尽SOIMOSFET相比,跨导及饱和漏电流分别提高了约40%. 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
1.8GHz下功率密度为2.8W/mm的4H-SiCMESFET据《IEEEE.D.L.》第15卷第10期报道,CharlesE.Weitzel等已研制成一种4H-SiCMESFET。采用4H-SiC是由于它比6H-SiC高出两倍的电子迁移率。器件的... 相似文献
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对InAs沟道InAlAs-InAs高电子迁移率晶体管材料及器件的设计和器件制作工艺进行了研究,器件样品性能良好,1μm栅长InAlAs-InAs HEMT器件的最大跨导300K时达到250mS/mm。这是国内首次研制成功的InAs沟道HEMT器件。 相似文献
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叙述了一个考虑包括速度过冲等短沟道效应的MOSFET渡越时间解析模型,计算结果与二维数值模拟符合较好,探讨了在线性工作区和饱和工作区渡越时间对栅偏压依赖关系的不同,并作了物理解释,模型 表明由速度过冲带来渡越时间的缩短对沟道长度大于0.25μm的MOSFET不超过10%。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(5)
为了实现50~500V的击穿电压范围,本文详细讨论了6H-SiC和3C-SiC肖特基整流器和功率MOSFET的漂移区性质。利用这些数值计算了器件的输出特性,并与Si器件做了比较,结果表明,由于其漂移区电阻非常低,故5000VSiC肖特基整流器和功率MOSFET在室温下能够处理100Alcm ̄2的导通电流密度,正向压降仅分别为3.85和2.95V。这些数值甚至优于Sipin整流器和门可关断晶闸管。这种SiC器件由于没有少于结,故可期望有优良的开关特性和坚固耐用性。此外,还基于峰值结温极限是由封装考虑来确定的观点,报道了热学分析结果。应用这种分析发现,5000V的6H-SiC和3C-SiCMOSFET和肖特基整流器将比相应的Si器件大约小20和18倍。对SiC的热学分析表明,这些器件能在比常规Si器件高的温度和击穿电压下工作。还有,在管芯尺寸上也期望有明显的减少,这将会补偿其材料成本较高的不足。本文报告的分析结果对SiC功率器件的制造将会起到强大的推动作用。 相似文献
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通过求解经修正的二维泊松方程,并考虑了主要的短沟效应和高场效应,得到一个描述短沟道MOSFET器件I-V特性的统一物理模型。该模型适用于包括亚阈区在内的不同工作区域,对0.8μm和1.4μm器件的漏极电流特性能较好地描述,可应用于亚微米、深亚微米级MOSFET的电路模拟。 相似文献
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沟道δ-形掺杂对于改善极小尺寸MOSFET性能、提高可靠性极其重要。利用能量输运模型(ETM),报道了沟道δ-形掺杂分布对0.1μm沟长NMOSFET结构特性的影响,根据漏源电流IDS、截止态电流Ioff、阈值电压VTH和S因子的要求,提出了使性能和可靠性得到优化的δ-形掺杂分布。 相似文献
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用低能量氩离子束轰击芯片背面,能改善以热氮化和快速热氮化SiOxNy为栅介质的n沟MOSFET的特性.结果表明,在能量为550eV和束流密度为0.5mA/cm2时,随着轰击时间的增加,跨导、沟道电导和有效迁移率增大,然后这些变化趋于减缓,甚至开始呈恶化趋势.快速热氮化SiOxNy为介质的MOSFET的改善效果要比常规热氮化的好.实验证明,上述参数的改善是由于界面态密度和固定电荷密度减小的结果.文中利用杂质吸除和应力补偿的机理进行分析. 相似文献