高增益硅超高频功率SIT

采用全自对准介质盖栅工艺，通过合理设计，研制成功一种高增益硅超高频功率ＳＩＴ。在４００ＭＨｚ工作频率、５０Ｖ工作电压下，其输出功率Ｐｏ为４０Ｗ，漏极效率η＿Ｄ接近６０％，功率增益Ｇｐ高达１６ｄＢ。Ｐｏ＝２５Ｗ时，三阶交调３ＩＭ为－１６ｄＢ；Ｐｏ＝２．５Ｗ时，３ＩＭ为－５０ｄＢ。     

适合WDM网络动态增益均衡的全光增益锁定光纤放大器

在光纤放大器内部同时建立增益谱锁定与平坦机制，研制出适合ＷＤＭ网络应用的全光锁定高增益、大功率掺铒光纤放大器（ＥＤＦＡ）。在２３ｄＢ输入功率动态范围（－４０～－１７ｄＢｍ）内的增益箝制在３３ｄＢ，对应总输入功率为－１７ｄＢｍ的输出光功率为１６ｄＢｍ，锁定的－１ｄＢ增益带宽为１４ｎｍ（１５４７～１５６１ｎｍ）。     

400MHz 250W VDMOS功率场效应晶体管

研制出了在４００ＭＨｚ下连续波输出２５０Ｗ，功率增益１０ｄＢ的垂直双扩散场效应晶体管（ＶＤ－ＭＯＳＦＥＴ）．采用Ｍｏ栅降低串联电阻，４００ＭＨｚ下用共源推挽结构成功地进行了并联工作，在Ｖｄｓ＝５０Ｖ下实现了连续波输出２５０Ｗ，增益１０ｄＢ，漏极效率６０％．     

低噪声掺Pr^3＋氟化物光纤放大器

研制了用Ｎｄ－ＹＬＦ激光器泵浦的掺Ｐｒ＾３＋氟化物光纤放大器（ＰＤＦＡ）组件，其最大信号增益和噪声指数分别是２０ｄＢ和５ｄＢ。在输入信号功率１１．０ｄＢｍ时，得到１９．２ｄＢｍ的输出功率，试验结果证明：该ＰＤＦＡ组件用于副载波复用多信道ＡＭ－ＶＳＢ视频信号传输时，具有低噪声特性。     

具有平坦增益谱的氟化物掺饵光纤放大器

ＩＥＥＥ会员Ｍａｋｏｔｏ Ｙａｍａｄａ等人成功地开发出氟化物掺饵光纤放大器。各信道的输入信号功率为－２０ｄＢｍ时，８信道波分多路复用信号在１５３２－１５６０ｎｍ波长范围的平均增益达２６ｄＢ，增益偏移低于１．５ｄＢ。。此外，ＭａｋｏｔｏＹａｍａｄａ等人在本文中研究了Ｆ－ＥＤＦＡ对ＷＤＭ信号的放大性能。     

在1．8GHz频率下功率密度为2．8W／mm的4H－SiCMESFET

本文论述了使用４Ｈ－ＳｉＣ衬底及外延层制作ＭＥＳＦＥＴ的方法，测得了栅长为０．７μｍ、栅宽为３３２μｍ的ＭＥＳＦＥＴ的直流、Ｓ参数和输出功率特性。当Ｖｄｓ＝２５Ｖ时，电流密度约为３００ｍＡ／ｍｍ，最大跨导在３８～４２ｍＳ／ｍｍ之间；当频率为５ＧＨｚ时，该器件的增益为９．３ｄＢ，ｆｍａｘ＝１２．９ＧＨｚ。当Ｖｄｓ＝５４Ｖ时，功率密度为２．８Ｗ／ｍｍ，功率附加效率为１２．７％。     

75～110GHzInP基HEMT单片平衡放大器

用０．１μｍ赝配ＩｎＡＩＡｓ－ＩｎＧａＡｓ－ＩｎＰＨＥＭＴ技术研制了覆盖整个Ｗ波段（７５～１１０ＧＨｚ）的单片平衡放大器。该放大器首次成功地制得７５到１１ＯＧＨｚ的增益为２３士３ｄＢ，具有良好的反射损耗。这种放大器在９４ＧＨｚ附近的噪声系数约为６ｄＢ。据我们所知，在覆盖整个Ｗ波段单片放大器中，这是在带宽和高增益性能方面报道的最好结果。     

P波段脉冲调制激励放大组件

叙述一种Ｐ波段脉冲调制激励放大组件的设计方法及测试结果，采用微波单片集成电路和微波功率晶体管内匹配技术，制作出５４０－６１０ＭＨｚ下增益ＧＰ≥３０ｄＢ、输出功率ＰＯ≥５Ｗ±０．５ｄＢ的脉冲功率放大器。     

高TcGdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶结光探测器

研制了具有约瑟夫逊效应的高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为０．６３２８μｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光器，系统观测了高Ｔｃ ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ双晶结的光响应特性，最好的结果为：噪声等效功率ＮＥＰ＝４．３×１０＾－１４ＷＨｚ＾－１／２，归一化探测率Ｄ＾８＝１．２×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，响应率Ｒｖ＝３．５×１０＾７Ｖ／Ｗ，     

利用闲置设备解决乡村听广播

目前，“村村通”工作正在石阡县加紧实施。但有部分村寨由于地理位置的限制，不能看到电视也听不到广播，各级政府的指示不能及时地传达。利用乡镇现已闲置的小功率电视发射机稍加改造即可成为调频广播发射机，这在县乡财政比较紧的情况下，不失为一种解决广播覆盖的有效途径。现以红州无线电厂生产的５ Ｗ电视发射机为例介绍改造方法。１ 自制调频发射机前级 （１）计算前级输入功率。 一般发射机前级和末级的总增益是４ ０～５０ ｄＢ，以４０ ｄＢ为例计算级的输入功率。 １０ ｌｇ＝４０ ｄＢ 解出ｘ＝０． ０００ ５ Ｗ μ＝≈…     

单片六声道DAC PCM1600Y在多声道解码系统中的应用

１ＰＣＭ１６００Ｙ的主要特性ＰＣＭ１６００Ｙ是美国Ｂｕｒｒ－Ｂｒｏｗｎ公司于１９９９年１０月正式宣布推出的高性能单片六声道音频ＤＡＣ,广泛用于Ａ级ＤＯＬＢＹ－ＤＩＧＩＴＡＬ解码器、ＤＴＳ解码器、数字ＡＶ功放、带ＡＣ－３,ＤＴＳ,ＭＰＥＧ多声道音频解码的ＤＶＤ、ＤＶＢ等领域。ＰＣＭ１６００Ｙ的主要特性包括：２４ｂｉｔ分辨率可接受１６／１８／２０／２４ｂｉｔ字长的输入音频数据动态性能优异（Ｖ_ｃｃ＝５Ｖ时）动态范围ＤＲ：１０５ｄＢ（典型值）信噪比ＳＮＲ：１０５ｄＢ（典型值）ＴＨＤ＋Ｎ：０．００１５％…     

低电压、恒定增益、Rail—to—Rail CMOS运算放大器设计

本文设计了一种低电压、恒定增益、Ｒａｉｌ－ｔｏ－Ｒａｉｌ的 ＣＭＯＳ运算放大器,整个电路采用标准的 ０．６μｍ ＣＭＯＳ工艺参数进行设计,并经过ＨＳＰＩＣＥ工具仿真,在３Ｖ的单电源工作电压情况下,静态功耗约为 ９． １ｍｗ,当电路同时驱动 ２０ＰＦ电容和 ５００Ω电阻的负载时,电路的直流增益达到 ６２ｄＢ,单位增益带 宽达到 １８ＭＨｚ,相位裕度为 ５０°。     

工作频率1600MHz的RF功率晶体管

工作频率１６００ＭＨｚ的ＲＦ功率晶体管美国摩托罗拉公司推出一种新型ＲＦ功率晶体管，型号为ＭＲＦ１５０３０。产品工作电压２６Ｖ，工作频率１４００～１６００ＭＨｚ，输出３０Ｗ，发射极接地，Ａ类或ＡＢ类工作。当产品输出为３０Ｗ时，最小增益９ｄＢ，最小效率３...     

功率放大模块

Ｑｕａｌｃｏｍｎ公司推出的ＰＡ３１００ＴＭ型功率放大器首次与移动站的Ｍｏｄｅｍ基带处理芯片ＭＳＭ３１００ＴＭ、发射芯片ＲＦＴ３１００ＴＭ和接收芯片ＲＦＲ３１００ＴＭ以及功率处理芯片ＰＭ１００ＴＭ等集合在一起,组成了一个非常完整的高度集成的ＣＤＭＡ芯片,ＰＡ３１００模块与ＲＦＴ３１００芯片还可以组成用于Ｉ-９５Ｂ手持设备的无线发射链,该模块的线性输出功率高达２８ｄＢｍ,线性增益为２５ｄＢ,ＣＤＭＡ模式中的线性效率为３４%,在ＡＭＰＳ模式中的线性效率为５０%。功率放大模块     

分立器件和处理器

适合ＥＤＧＥ应用的功率晶体管爱立信微电子部推出ＰＴＦ１０１６０功率晶体管，可在８６９～８９４兆赫和９２１～９６０兆赫频段范围内提供稳定功率增益１６±０．２分贝，效率达５３％，功率输出为８５瓦。ＰＴＦ１０１６０耐震性好，漏源击穿电压为６５伏，采用２６伏标准电源工作，其峰值包迹功率（ＰＥＰ）为２５伏时，其ＡＢ类双音三级互调失真数值为－４３ｄＢｃ。采用爱立信的２０２４８型封装；组件尺寸大小为３４×１９毫米（包括凸缘）。满足ＧＳＭ、Ｄ－ＡＭＰＳ和最新ＥＤＧＥ的需要。ｈｔｔｐ：／／ｗｗｗ．ｅｒｉｃｓｓｏｎ…     

8毫米功率HBT研究

简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状，对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析，设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆＴ＝４０ＧＨｚ，ｆｍａｘ＝３２ＧＨｚ在８ＧＨｚ工作频率下测量，输出功率为１００ｍＷ，功率附加效率为３１．３％，增益为９．４ｄＢ，ｆ０＝１２ＧＨｚ，输出功率为２３．６ｍＷ，增益６．１ｄＢ，功率附加效率为２３．４％。     

AD604超低噪声双通道可变增益放大器

特点在最大增益情况下具有超低输入噪声０．８０ｎＶ／　Ｈｚ,３．０ｐＡ／　Ｈｚ两个独立通道ｄＢ成线性可变增益放大器每个通道可编程绝对增益范围从０ｄＢ～＋４８ｄＢ（前放增益＝＋１４ｄＢ）到＋６ｄＢ～＋５４ｄＢ（前放增益＝＋２０ｄＢ）增益精度：±１．０ｄＢ－３ｄＢ带宽：４０ＭＨｚ输入电阻：３００ｋ可变增益系数：２０ｄＢ／Ｖ～４０ｄＢ／Ｖ增益对温度和电源变化保持稳定单端单极性增益控制在增益控制低端,电源待机可直接驱动Ａ／Ｄ转换器应用超声和声纳时间增益控制高性能自动增益控制（ＡＧＣ）系统信号测量ＡＤ９８０…     

宽带GaAs MMIC放大器

Ｍ／Ａ-ＣＯＭ研制的ＭＡＡＭ２８０００-Ａ１型宽带ＭＭＩＣ放大器的工作频率为２～８ＧＨｚ,它采用２级放大,单电源１０Ｖ供电,具有较好的增益平坦度,输入输出阻抗均为５０Ω,增益为１７ｄＢ,增益平坦度为±０．５ｄＢ,在２～４ＧＨｚ、４～６ＧＨｚ和６～８ＧＨｚ时的最大噪声分别为８．０ｄＢ、６．５ｄＢ和６．０ｄＢ,输入和输出驻波比分别为１．６和１．５,输入ＩＰ３为+７ｄＢｍ,输出１ｄＢ压缩为+１．４ｄＢｍ,反向隔离为３５ｄＢ,最大偏压电流为１００ｍＡ。该器件采用廉价的小型８脚陶瓷封装,不需要任何外部元件,可用于卫星通…     

C波段3瓦T形电极硅双极晶体管

本文报道了一种自对准Ｔ形电极结构的硅双极晶体管的制作和实验结果．这种结构的晶体管发射极和基极接触窗口的间距仅０．４μｍ，发射极排列周期为４μｍ．测试结果表明，晶体管在４．２ＧＨｚ下，连续波输出功率大于３Ｗ，增益８ｄＢ和集电极效率４０％；作为振荡应用时。在４．３ＧＨｚ的振荡频率下，振荡输出功率可达１Ｗ，ＤＣ－ＲＦ转换效率为２０％．     

微波脉冲功率合成放大器的研制与应用

本文以双极晶体管ＲＺ２８３３Ｂ４５Ｗ为例，简单介绍了按阻抗匹配法设计的微波脉冲功率放大器，输出功率５２Ｗ，增益为７．１６ｄＢ。将两路同样的放大器进行功率合成，输出功率可达９５Ｗ，合成效率为９０％以上。利用多路功率合成可得到更大的输出功率。本文还简单介绍了利用功率合成技术制作的Ｓ波段脉冲遥测发射机，此机采用ＦＭ－ＡＳＫ调制方式，有缓变、特快和波形三个传输通道，是一种有应用前途的脉冲遥测发射机。