高增益硅超高频功率SIT

采用全自对准介质盖栅工艺，通过合理设计，研制成功一种高增益硅超高频功率ＳＩＴ。在４００ＭＨｚ工作频率、５０Ｖ工作电压下，其输出功率Ｐｏ为４０Ｗ，漏极效率η＿Ｄ接近６０％，功率增益Ｇｐ高达１６ｄＢ。Ｐｏ＝２５Ｗ时，三阶交调３ＩＭ为－１６ｄＢ；Ｐｏ＝２．５Ｗ时，３ＩＭ为－５０ｄＢ。     

3.1～3.4GHz长脉宽高增益硅功率晶体管

最近南京电子器件研究所在研制长脉宽工作、高增益硅脉冲功率晶体管领域取得重大进展。器件工作频率 3.1～ 3.4GHz,脉冲宽度 30 0μs,占空比 1 0 % ,输出功率大于 1 2 W,功率增益大于 9.5 d B,效率大于 35 % ,顶降小于 0 .5 d B,带内平坦度小于 1 .2 5 d B。器件具有抗 1 d B输入过激励、3∶ 1输出失配的能力。图 1　器件外型图( E:发射极 ;B:基极 ;C:集电极 )Fig.1　 Devise outline( E:Emitter;B:Base;C:Collector)芯片在 76 mm硅工艺线上研制成功 ,具有较高成品率和可靠性。器件采用共基极结构、气密性金属陶瓷封装 ,C类工作。…     

SIT耐压容量的控制和工艺调节

对静电感应晶体管（ＳＩＴ）栅－漏、栅－源击穿民压的控制和工艺调节方法进行了探讨，对栅－源连通和栅－漏耐压的钳位问题进行了分析。     

低温高注入硅双极晶体管电流增益的定理模拟

本文了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高主入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合。     

高增益低噪声超低温硅双极器件系列

东南大学微电子中心在国家自然科学基金委、机电部电子科学研究院和江苏省科委的资助和支持下,在国内率先研制成功了可在液氮温度下正常工作的高增益低噪声超低温硅双极器件系列,通过了江苏省科委主持的技术鉴定,器件主要电参数性能指标为:     

低温高注入硅双极晶体管电流增益的定量模拟

本文考虑了基区复合电流，发射结空间电荷区复合电流，基区高注入引起的禁带变窄效应，Ｅａｒｌｙ效应，基区和发射区电导调制效应，有效基区展宽效应以及发射区电流集边效应，定量地模拟了硅双极晶体管电流增益在７７Ｋ和３００Ｋ时与集电极电流的关系，并且与实验结果相吻合，计算还表明在低温７７Ｋ时，电流增益的大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在３００Ｋ时则由有效基区展宽效应决定。     

功率SIT和功率SITH的新进展

本文扼要地介绍了新型电力半导体器件SIT和SITH的研制、生产和应用的发展情况.说明SIT和SITH已从试制阶段进入实用化阶段.     

低温高注入硅双极晶体管电流增益和特征频率的定量模拟

本文定量地模拟了硅双极晶体管电流增益和特征频率与集电极电流在77K和300K时的关系，计算结果与实验相吻合．结果表明在77K时，电流增益大注入效应由基区电导调制效应和发射区电流集边效应决定，而在300K时则由有效基区展宽效应决定，特征频率在300K时主要由基区渡越时间决定，而在77K时，由于发射区禁带变窄效应非常明显，以至于发射区少于存贮时间可能成为主要因素．低温下特征频率蜕变的主要原因是禁带变窄效应，而不是低温浅能级杂质陷阱效应．     

电流增益温度稳定的硅双极晶体管

随着现代电子工业的迅猛发展,高可靠己成为现代武器系统、军用电子设备、航天航空工程和高性能电子整机的基本要求,电子整机、设备和系统要求能够在各种条件下工作,这就对半导体器件提出了具有耐环境变化的高可靠性和高稳定性的要求.半导体器件的电特性参数大多是温度敏感参数,环境温度的高低温变化将引起半导体器件电性能的剧烈变化,这直接影响了电子整机、设备和系统的性能,甚至使它们丧失工作能力.     

硅微波功率晶体管内匹配及功率合成研究

本文介绍了常用的T型网络和Л型网络及双节四元件网络。着重论述T型网络的设计方法,分析T型网络的带宽特性与相移特性,讨论了工艺偏差对匹配特性的影响,并对晶体管的功率合成进行了研究。在上述基础上,进行了双胞内匹配及合成研究,得到了工作频率为2.7～3.1GHz时,单胞连续波输出功率4.4W,双胞合成输出为7.8W的管子,合成效率达88.6％。     

硅双极晶体管低温电流增益模型修正

多晶硅发射区双极晶体管的低温（７７Ｋ）电流增益模型建立在理想掺杂近似的基础上．本文由基区电子电流密度Ｊｎ和发射区空穴电流密度Ｊｐ出发，根据实际掺杂情况中的近似高斯分布，分析了理想掺杂近似对电流增益结果的影响，指出引用这一近似在常温下偏差较小，在低温下则会出现较大的误差．在此基础上，对多晶硅发射区双极晶体管低温电流增益模型作了修正．结果表明，修正后的模型与ＰＩＳＣＥＳ模拟结果取得了较好的吻合．     

宽带高增益UHF天线

本文介绍的宽带高增益UHF天线是作者根据实际工程需要而研制的。实验证明该天线能工作在450MHz～1000MHz的频带,天线增益大干19.5dB,前后比大于25dB,特内电压驻波比优于2.5。文章在详尽的论述UHF频段各种天线的性能之后,着重介绍了作者自行设计的腔体套筒偶极子馈源的构成与性能。最后还给出了馈源和天线的性能测试曲线。     

微波硅功率双极型管脉冲顶降和增益压缩特性分析

对影响微波硅功率双极型晶体管脉冲波形顶降、顶升和增益压缩特性的器件设计、工艺和使用因素进行了分析.脉冲顶降的本质原因是结温上升,结温又同芯片特性、内匹配电路与芯片键合一致性密切相关;脉冲顶降还与器件在电路中的工作状态相关.脉冲顶升主要是与肖特基势垒接触和较低的器件工作温度有关;影响增益压缩的主要原因是电流饱和与电压饱和...     

并馈全向高增益天线的研制

文中用并馈方式实现了全向高增益天线增益大于１０ｄＢｉ，驻波系数ρ≤１．５，带宽为２００ＭＣ（中心频率为１４８０ＭＣ）天线的研制；文中给出了设计思想、样机示意图和实测的电参数数据。     

投影幕如何实现高增益

许多朋友购买了投影机总是会发现自己机器的亮度不够,导致在环境光源充足的时候无法有较好的效果。即使购买了投影幕布也不能达到预期的效果。今天我们就来讨论一下投影幕布的问题,了解一下为什么我们在选择投影幕布后还达不到要求的效果。其实投影幕如果要提高增益并不难,关键是要解决提高增益后并发的一系列问题。     

宽频带高增益微带天线元研究

本文提出了一种微带天线元的新结构，它具有宽频带和高增益特性。用谱域法推导了特征方程。用等效电路观点得到输入驻波比的频率特性公式，数值计算设计了一个Ｃ波段微带天线元。实测驻波比带宽达１６％或２５％，增益在１０．２－１１．３ｄＢ范围。这表明其带宽和增益都比普通微带天线元的带宽（５－６）％和增益（６－７）ｄＢ大得多。     

一种高增益低噪声混频器的设计

本文设计了一种高增益低噪声混频器,提出了一种新的吉尔伯特混频器负载级电路.该混频器在3.3V工作电压下,基于Chartered 0.25 μ m标准CM0S工艺设计模型进行仿真验证,优化结果表明,该混频器的增益达到9.02dB,噪声系数为8.88dB,谐波失真降低为-17.29dB.     

C波段高增益微封装GaAs功率放大器

介绍了Ｃ波段高增益微封装ＧａＡｓ功率放大器的设计方法和研制过程，采用多级芯片集成于微封装管壳内，末级放大由功率合成方式实现，在５．０￣６．０ＧＨｚ频率范围内，Ｐ１ｄＢ〉３６ｄＢｍ，Ｇｐ〉４０ｄＢ，ηａｄｄ〉３３％。     

基于超材料的高增益高方向性天线

分别将创新设计的两层"格子"型超材料单元加载于同轴馈电微带天线的正上方,利用其零折射率效应聚拢电磁波;将π型超材料单元加载于天线基板,利用超材料的禁带效应抑制天线后向波。分别对两种优化方法进行实验对比分析,最后综合两种方法设计出一款高方向性、高增益的微带天线。结合仿真实验与实物测试结果验证了理论的正确性。综合设计的新型微带天线与传统天线相比,增益为8.94 d B,增加了3.03 d B,提高了51.27%,方向性系数为10.69 d B,增加了3.51 d B,提高了48.89%,达到了设计实验的目标。