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InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长 总被引:1,自引:0,他引:1
利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED).发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍.通过掺入一定量的In来降低蓝光和绿光量子阱之间的垒层的势垒高度,增加注入到离p-GaN层较远的绿光有源区的空穴浓度,从而改变蓝光和绿光发光峰的强度比.研究了蓝光和绿光量子阱间垒层In组分对双波长LED的发光性质的影响.此外,研究了双波长LED发光特性随注入电流的变化. 相似文献
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InGaN/AlGaN双异质结构蓝光LED的电学和光学性质 总被引:1,自引:0,他引:1
研究了InGaN/AlGaN双异质结构(DH)蓝光发光二极管(LED)的电学和光学性质,实验表明,器件正向偏压下的I-V特性偏离了pn结二极管的肖克莱模型的结果,并且载流子的主要输运机制与载流子隧穿有关。通过对电致发光(EL)谱的测量,得到位于2.8eV的发射峰和位于3.2eV弱发射峰,随着电流增大而均出现蓝移。对大脉冲电流下LED的特性的退化作了研究。 相似文献
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GaN的低压MOCVD生长模型 总被引:7,自引:0,他引:7
用停滞边界层理论分析了低压MOCVD外延GaN的生长模型。通过优化反应室结构和工艺条件,成功生长了厚度均匀、晶体质量优良的GaN外延层。 相似文献
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利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)生长了InGaN/GaN多量子阱(MQW)蓝光发光二极管(LED),研究了不同Cp2Mg流量下生长的p-GaN盖层对器件电学特性的影响。结果表明,随着Cp2Mg流量的提高,漏电流升高,并且到达一临界点会迅速恶化;正向压降则先降低,后升高。进而研究相同生长条件下生长的p-GaN薄膜的电学特性、表面形貌及晶体质量,结果表明,生长p-GaN盖层时,Cp2Mg流量过低,盖层的空穴浓度低,电学特性不好;Cp2Mg流量过高,则会产生大量的缺陷,盖层晶体质量与表面形貌变差,使得空穴浓度降低,电学特性变差。因此,生长p-GaN盖层时,为使器件的正向压降与反向漏电流均达到要求,Cp2Mg流量应精确控制。 相似文献
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本文用多种方法分析MOCVD外延片的表面形貌、结晶性、界面和缺陷、组分和其均匀性,电、光性能。在15×15mm~2面积上,HgCdTe外延层表面形貌较好,为单晶。CdTe和HgCdTe外延层的半宽度为450弧度秒。界面平坦、清晰过渡层约0.12μm,几乎没有发现Ga、As的扩散,但局部有微观缺陷。X值可生长出0.1~0.8,均匀性△X=0.008,典型样品,77K下,电子浓废为1.4×10~(16)cm~(-3),迁移率为7.4×10~4cm~2/V·S,透过率约42%。 相似文献
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利用MOCVD系统在Al2O3衬底上生长InGaN材料和InGaN/GaN量子阱结构材料,研究发现InGaN材料中In组份几乎不受TMG与TMI的流量比的影响,而只与生长温度有关,生长温度由800℃降低到740℃,In组份的从0.22增加到0.45;室温InGaN光致发光光谱(PL)峰全半高宽(FWHM)为15.5nm;InGaN/GaN量子阱区InGaN的厚度2nm,但光荧光的强度与100nm厚InGaN的体材料相当。 相似文献
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MOCVD生长的GaN膜的光学性质研究 总被引:3,自引:2,他引:3
本文报道(0001)晶向蓝宝石衬底上金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长的单晶六角GaN薄膜室温光学性质.由光吸收谱和488umAr+激光激发的光调制反射光谱(PR)确定的禁带宽度分别为3.39和3.400eV,从光吸收谱得到了GaN薄膜的折射率随光谱能量的变化关系.对PR谱的调制机理进行的分析,发现信号来自缺陷作用下的表面电场调制.应用喇曼光谱研究了GaN薄膜中的声子模,通过对LO声子-等离激元的耦合模散射峰的研究,得到了材料中的载流子浓度和等离激元阻尼常数. 相似文献
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对在SiC衬底上采用MOCVD方法制备的GaN和GaN:Mg薄膜进行X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)和拉曼散射光谱的对比研究发现:两种样品均处于张力作用之下,但是GaN:Mg样品却由于Mg的掺杂会在样品中引入更多的缺陷和位错加剧薄膜的无序化程度,致使薄膜质量变差;其次因为Mg原子半径比Ga原子半径大,所以当Mg替代Ga以后会引发压力应力,从而使薄膜张力减小,最后通过计算说明对于GaN:Mg样品而言,除了载流子以外,薄膜质量同样也会对A1(LO)模式产生影响. 相似文献
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以GaN为代表的Ⅲ族氮化物在微电子、光电子和传感器等领域均发挥了重要作用.但是由于大尺寸的单晶GaN衬底仍无法实现,目前绝大多数氮化物材料都是通过异质外延的方式来实现,外延材料和异质衬底之间巨大的晶格失配和热失配是导致GaN外延层中位错密度较高的主要原因.侧向生长(ELOG)技术是GaN异质外延中降低位错密度的一种有效方法,总结了该项技术的特点,并对单步ELOG技术、双步ELOG技术、悬空ELOG技术以及无掩膜ELOG技术等多种技术趋势进行了总结.ELOG技术可以有效降低位错密度,但是仍需降低工艺复杂性和减少沾污. 相似文献
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利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)方法在蓝宝石c面衬底上制备出高反射率A1N/GaN分布布拉格反射镜(DBR)。利用分光光度计测量,在418nm附近最大反射率达到99%。样品表面显微照片显示,有圆弧形缺陷和少量裂纹出现;在缺陷和裂纹以外的区域,DBR具有较为平坦的表面,其粗糙度在10μm×10μm面积上为3.3nm左右。样品的截面扫描电镜(SEM)照片显示,DBR具有良好的周期性。对反射率和表面分析的结果表明,该样品达到了制备GaN基垂直腔面发射激光器(VCSEL)的要求。 相似文献
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用低压MOCVD法生长了n型GaN薄膜,对其肖特基势垒进行了表征和推导。真空度低于1×10^-6Torr时,用电子束蒸发淀积Pt或Pd薄层,形成肖特基接触。n-GaN薄膜上的Pt肖特基势垒高度,用电流(应为电容-校者注)-电压压法(C-V)和电流密度-温度法(J-T)测量分别是1.04和1、03eV。同样地基于C-V和J-T测量方法,测得的n-GaN上的Pd垫垒高度分别为0.94和0.91eV。在 相似文献
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发光强度为12cd的超高亮度绿色InGaN单量子阱(SQW)结构发光二极管已研制成功。该器件的输出功率、外量子效率、峰值波长和光谱半宽在正向电流20mA下分别为3mW、6.3%、520nm和30nm。这种绿色InGaN单量子阱发光二极管的P-Al-GaN/InGaN/n-GaN是用MOCVD方法生长在蓝宝石衬底上。 相似文献