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介绍了采用栅长为0.15μm的钝化In0.53Ga0.47As/In0.52Al0.48As/InPHEMT的高效W波段功率单片微波集成电路(MMIC)。0.15×320μm单级InP功率HEMTMMIC放大器在94GHz时的最大功率附加效率为23%,输出功率为40mW,功率增益为4.9dB。当电源偏置成更高的输出功率时,在94GHz处可得到功率附加效率为20%的54mW的输出功率。这些结果表明,在此频率下,这样的效率和输出功率是迄今为止所有报道中最佳的。 相似文献
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C波段4W砷化镓功率场效应晶体管 总被引:1,自引:1,他引:0
介绍了C波段4W砷化镓功率场效应晶体管的设计考虑、器件结构和制作,讨论了所采用的一些新工艺,给出器件性能。在5.3GHZ下,器件1dB压缩点的输出功率≥4W,增益为6.5~7.5dB,功率附加效率≥35%。这种FET的多芯片运用具有优良的功率合成效率。 相似文献
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介绍了以栅宽0.4mm器件为基础的8mm单级单片IC的设计、制造及性能测试等。该单片在32 ̄33GHz,输出功率大于100mW,增益大于3dB,最大输出功率达150mW。 相似文献
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报导Ku波段高功率GaAsFET的制造技术,包括全离子注入、0.5μm自对准栅、高可靠欧姆接触、干法生长和刻蚀、背面通孔、内匹配和合成技术。器件由两个9.6mm栅宽的芯片组成,在11.2~11.7GHz频带内,一分口增益压缩输出功率8W,增益6dB,功率附加效率24%。 相似文献
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研制开发了12-18GHz宽带功率固态放大器,主要技术指标:工作频率为12-18GHz,增益Gp≥25dB,输出功率PO≥400mW输入输出驻波比VSWR≤2.5:1,噪声系数Fa≤6dB。 相似文献
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研制开发了12~18GHz宽带功率固态放大器。主要技术指标:工作频率为12~18GHz,增益GP≥25dB,输出功率PO≥400mW,输入输出驻波比VSWR≤2.5∶1,噪声系数Fn≤6dB。 相似文献
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描述了以PHEMT为有源器件的8 ̄12GHz宽带低噪声单片电路的设计及制造,获得了满意的结果。其性能为f=8 ̄12GHz,Ga=17.4 ̄19.5dB,Fn=1.84 ̄2.20dB;f=8 ̄14GHz,Ga=17.4 ̄19.9dB,Fn=1.84 ̄1.5dB。 相似文献
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研究了GaAs功率MESFET的小信号特性,大信号特性和其宽带匹配网络。选用TWT-2型功率器件,设计研制出了单级宽带功率放大器,在6~18GHz的工作频率范围内,小信号增益等于5.0±1.0dB,1dB压缩输出功率等于25.0±0.8dBm,输入输出驻波比小于2.5。 相似文献
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报道了采用部分集成方案研制的Ku波段变容管调谐耿管振荡器(VCO)及两管功率合成器。研制的两只中心频率为16和17GHZ的电调振荡器,其中16GHZ的电调带宽大于640MHz,输出功率大于110mW,功率起伏小于0.6dB;而17GHz的电调带宽大于230MHz,输出功率大于110mW,功率起伏小于0.9dB。两管功率合成器的振荡频率为17.3GHz,输出功率达250mW. 相似文献
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介绍了以栅宽1.2mm GaAsFET器件为基础的两级GaAs功率单片集成电路的设计、制作及其性能,该两级单片集成电路在10 ̄11GHz频带内,输出功率1W,增益10dB。 相似文献
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报道了8~16GHzGaAs单片宽带分布放大器的设计与制作。单级MMIC电路采用三个栅宽为280μm的GaAsMESFET作为有源器件,芯片尺寸为1.1mm×1.6mm。在8~16GHz频率范围,用管壳封装的两级级联放大器增益G_a,为11.3±1dB,噪声系数F_n<6dB,输出功率P_(1dB)>16dBm。 相似文献