数控衰减器研究

应用ＣＡＡ技术研究模拟了ＰＩＮ二极管的电参数特性，并用于数控衰减器的ＣＡＤ。频率范围：１．０～１．７ＧＨｚ，衰减范围：２，４，８，１６ｄＢ，插入损耗≤２．３ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．０。     

L波段砷化镓单片低噪声放大器

设计、研制了一种工作在Ｌ波段的ＧａＡｓ单片低噪声放大器。该放大器在ＨＰ－８５１０Ｂ网络分析仪和ＨＰ－８９７０Ｂ自动噪声仪上的测试结果为：１．１～１．５ＧＨＺ频段，ＮＦ≤２．０ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤０．５ｄＢ；在１．５～２．０ＧＨＺ频段ＮＦ≤２．５ｄＢ，Ｇ≥１８ｄＢ，ＶＳＷＲ（ｉｎ，ｏｕｔ）≤２：１，增益起伏≤±０．５ｄＢ。     

6～20GHz宽带低噪声中功率放大器

本文介绍了６￣２０ＧＨｚ微波宽带低噪声,中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和ＣＡＤ技术,研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标：工作频率６￣２０ＧＨｚ,１ｄＢ压缩输出功率≥１８ｄＢｍ,增益≥２８ｄＢ,输入输出驻波比≤２．０：１,噪声系数≤４．０ｄＢ,增益平坦度≤±２．０ｄＢ。     

6～20GHz宽带低噪声中功率放大器

本文介绍了６～２０ＧＨｚ微波宽带低噪声、中功率放大器的研制工作。采用微波宽带匹配和ＣＡＤ技术, 研制出了符合整机要求的放大器。主要性能指标： 工作频率６～２０ＧＨｚ, １ｄＢ压缩输出功率≥１８ｄＢｍ , 增益≥２８ｄＢ, 输入输出驻波比≤２．０∶１, 噪声系数≤４．０ｄＢ, 增益平坦度≤±２．０ｄＢ     

SH333小型化高增益中频放大器

３Ｈ３３３小型化高增益中频放大器是信息产业部电子第二十四研究所正向设计,并采用 ＳＭＴ技术进行工艺组装的微电路模块,具有低噪声、高增益、大动态、大封闭量和良好的选择性等特点。其主要作用是处理接收到的脉冲调制中频信号。 其主要技术指标：中心频率ｆ。：２９．８～３０．１ＭＨｚ,带宽 ＢＷ：３５． ９～６．２ ＭＨｚ,带内不平度Ａｖ：０． ３～０． ７ ｄＢ,带外衰减 ＳＳ：４３～４５ ｄＢ,总增益 Ａｖ：８０． ４～８４． ４ ｄＢ,噪声系数 ＮＦ：１． ２～１． ９ｄＢ,ＡＧＣ范围 ＭＡＧＣ：４８～５２ ｄＢ,封闭…     

2～18GHz超宽带射频放大器

采用分布电路原理、ＣＡＤ技术和微带电路技术，制作出多倍频程超宽带放大器。其主要技术参数为，ｆ＝２～１８ＧＨｚ，Ｇ＿ｐ≥３０ｄＢ，△Ｇ＿ｐ≤±３ｄＢ，Ｆ＿ｎ≤７ｄＢｍ，Ｐ＿（－１）≥＋１０ｄＢ，ＶＳＷＲ≤２．５：１。     

C6M—C38 COMMANDER 6 调制器（3）

（上接第１０期）附录Ａ技术指标Ｃｏｍｍａｎｄｅｒ６调制器技术指标视频标准标准基带输入电平范围０．５～２．０ＶＰ－Ｐ,用于８７．５％调制度编码视频输入电平１．０ＶＰ－Ｐ,额定８７．５％调制度视频输入阻抗７５Ω标称视频输入回传损耗３０ｄＢ最小Ｒ系数２Ｔ脉冲　３％最大Ｓ／Ｎ比率６０ｄＢ最小频率响应±０．７５ｄＢ最大→５．０ＭＨｚ微分增益±０．３５ｄＢ在８７．５％调制度微分相位３％Ｐ－Ｐ最大斜率／线路时间失真１．０％最大　　音频标准输入电平范围－１０～＋１０ｄＢｍ输入阻抗６００Ω平衡频率响应±１．０ｄＢ…     

国产录象机机芯技术参数与检测方法

国产录象机机芯技术参数与检测方法电子工业部第三研究所王锡江１技术参数国家标准规定，家用录象机机芯必须满足以下基本技术参数要求：（１）视频抖动≤０．２μｓ；（２）音频抖晃率（计权峰值）Ａ级≤０．２％、Ｂ级≤０．３％、Ｃ级≤０．４％；（３）带速偏差为±０...     

宽带GaAs MMIC放大器

Ｍ／Ａ-ＣＯＭ研制的ＭＡＡＭ２８０００-Ａ１型宽带ＭＭＩＣ放大器的工作频率为２～８ＧＨｚ,它采用２级放大,单电源１０Ｖ供电,具有较好的增益平坦度,输入输出阻抗均为５０Ω,增益为１７ｄＢ,增益平坦度为±０．５ｄＢ,在２～４ＧＨｚ、４～６ＧＨｚ和６～８ＧＨｚ时的最大噪声分别为８．０ｄＢ、６．５ｄＢ和６．０ｄＢ,输入和输出驻波比分别为１．６和１．５,输入ＩＰ３为+７ｄＢｍ,输出１ｄＢ压缩为+１．４ｄＢｍ,反向隔离为３５ｄＢ,最大偏压电流为１００ｍＡ。该器件采用廉价的小型８脚陶瓷封装,不需要任何外部元件,可用于卫星通…     

9701型电视广播接收机测量滤波器的设计(连载Ⅱ)

３．３ ４００ Ｈｚ窄带带通滤波器的设计计算要求：通带：３８０～４２０ Ｈｚ,通带内波动≤０．２５ ｄＢ; 阻带：０～３５０ Ｈｚ和４５０ Ｈｚ～∞,阻带最小衰减≥５０ ｄＢ设计计算：１）将此带通滤波器指标转换为几何对称的带通滤波器指标ｆ＝＝＝３９９．５ Ｈｚ≈４００ Ｈｚ带通的ｎ值为ｎ＝＝＝１０２）求与上述几何对称带通滤波器相对应的归一化低通滤波器的设计指标陡峭因数为Ω ＝＝＝２．５３）确定归一化低通滤波器的转移函数根据Ω ＝２．５,Ａｍａｘ≤０．２５ ｄＢ和Ａｍｉｎ≥５０ ｄＢ,从椭圆函数滤波器表格中查得…     

SFM001宽带放大器

ＳＦＭ００１宽带放大器是由信息产业部电子第二十四研究所正向设计的电路。该电路具有噪声小、功耗低、动态范围大、增益高及增益;控制能力强等特点。它作为中频宽带放大器,可广泛用于雷达、通讯、仪器仪表等设备上。 主要技术指标：电源电流 ＩＣＣ：≤２２ ｍＡ,中心频率：１７．８～１８． ２ ＭＨｚ,３ ｄＢ带宽 ＢＷ：５～６ ＭＨＺ,增益 ≥７５ ｄＢ,ＡＧＣ控制范围,噪声系数 ＮＦ：≤２ ｄＢ,限幅输出,受控 ３ ｄＢ带宽 ＢＷ（３ ｄＢ）：≥４ ＭＨｚ。 该电路具有噪声小、功耗低、动态范围大,增益高及增益能力强等特点。…     

β—BBO晶体压电应变系数的测量

用干涉法和准静态ｄ３３测量仪相结合测量了β－ＢａＢ２Ｏ４（β－ＢＢＯ）晶体的全部电压变变系数，结果为：ｄ３３＝１．０×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ３１＝－０．８３×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ２２＝２．２×１０＾－１２Ｃ／Ｎ，ｄ１５＝２１．２×１０＾－１２Ｃ／Ｎ。     

LP-MOCVD制备AlGaInP高亮度橙黄色发光二极管

利用ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＡｌＧａＩｎＰＤＨ结构橙黄色发光二极管．引入厚层Ａｌ０．７Ｇａ０．３Ａｓ电流扩展层和Ａｌ０．５Ｇａ０．５Ａｓ－ＡｌＡｓ分布布拉格反射器（ＤＢＲ）．２０ｍＡ工作条件下，工作电压１．９Ｖ，发光波长峰值在６０５ｎｍ，峰值半宽为１８．３ｎｍ，管芯平均亮度达到２０ｍｃｄ，最大２９．４ｍｃｄ，透明封装成视角（２θ１／２）１５°的ＬＥＤ灯亮度达到１ｃｄ．     

梁式引线GaAs混频二极管对

文中报导的砷化镓梁式引线反向并联二极管对,可应用于鉴相器、谐波混频器等宽带部件。该器件以半绝缘ＧａＡｓ为衬底,选择ＮｂＭｏ／ＧａＡｓ微合金形成肖特基势垒,ＳｉＯ２和聚酰亚胺双介质作为钝化保护膜,以及合理的工艺途径。器件抗烧毁能力强,可靠性好。其伏安特性ｎ因子小于１．１,结电容２Ｃｊ＝０．１～０．２ｐＦ,正向微分电阻为３～６Ω,分布电容较小,结电容差为ΔＣｊ≤０．０２５ｐＦ,正向电压差为ΔＶＦ≤２５ｍＶ。将该器件应用于１８～４０ＧＨｚ宽带分谐波混频器中,中频带宽为４～８ＧＨｚ,混频器的变频损耗低于２０ｄＢ,本振功率为１３ｄＢｍ。     

宽带GaAsFET微波单片集成单刀双掷开关

本文报道了一种采用串、并联ＦＥＴｓ结构的ＧａＡｓＭＭＩＣ单刀双掷开关。芯片尺寸为０．９７＊１．２３ｍｍ．在ＤＣ－１０ＧＨＺ频率范围内，插入损耗小于２．２ｄＢ，隔离度大于３２ｄＢ，反射损耗大于１２ｄＢ，并关时间小于１ｎｓ，在５ＧＨＺ下的功率处理能力大于２０ｄＢｍ。此开关具有极低的直流功率耗散。     

β－BBO晶体压电应变系数的测量

用干涉法和准静态ｄ_（３３）测量仪相结合测量了β－ＢａＢ_２Ｏ_４（β－ＢＢＯ）晶体的全部压电应变系数，结果为：ｄ_（３３）＝１．０×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（３１）＝－０．８３×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（２２）＝２．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ，ｄ_（１５）＝２１．２×１０~（１２）Ｃ／Ｎ。     

AD604超低噪声双通道可变增益放大器

特点在最大增益情况下具有超低输入噪声０．８０ｎＶ／　Ｈｚ,３．０ｐＡ／　Ｈｚ两个独立通道ｄＢ成线性可变增益放大器每个通道可编程绝对增益范围从０ｄＢ～＋４８ｄＢ（前放增益＝＋１４ｄＢ）到＋６ｄＢ～＋５４ｄＢ（前放增益＝＋２０ｄＢ）增益精度：±１．０ｄＢ－３ｄＢ带宽：４０ＭＨｚ输入电阻：３００ｋ可变增益系数：２０ｄＢ／Ｖ～４０ｄＢ／Ｖ增益对温度和电源变化保持稳定单端单极性增益控制在增益控制低端,电源待机可直接驱动Ａ／Ｄ转换器应用超声和声纳时间增益控制高性能自动增益控制（ＡＧＣ）系统信号测量ＡＤ９８０…     

混合集成低噪声宽带AGC放大器

采用厚膜混合集成工艺，研制出ＳＨ３０９－１低噪声宽带ＡＧＣ放大器，其噪声系数≤１．５ｄＢ，最大输入电平≥４００ｍＶ／５００Ω，增益≥５０ｄＢ，增益控制范围≥５０ｄＢ，工作频率范围为６０ＭＨｚ±１０ＭＨｚ。主要介绍了其设计原理及应用。     

低泄漏限幅器的研究

采用混合集成电路设计方法，用ＰＩＮ二极管和检波二极管，在很小的腔体内制作了小型化夫源微波限幅器。电参数为：频率ｆ＝２．５～３．０ＧＨｚ，插入损耗ＩＬ≤０．３９ｄＢ，电压驻波比ＶＳＷＲ≤１．３，漏功率Ｐｌｉｍ≤０．５５ｍＷ（输入连续波１Ｗ）。     

6～18GHz宽带功率放大器模块

研究了ＧａＡｓ功率ＭＥＳＦＥＴ的小信号特性，大信号特性和其宽带匹配网络。选用ＴＷＴ－２型功率器件，设计研制出了单级宽带功率放大器，在６～１８ＧＨｚ的工作频率范围内，小信号增益等于５．０±１．０ｄＢ，１ｄＢ压缩输出功率等于２５．０±０．８ｄＢｍ，输入输出驻波比小于２．５。