超高亮度蓝色铟镓氮单量子阱发光二极管

介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。     

超高亮度蓝色铟镓氮单量了阱发光二极管

介绍了ＩｎＧａＮ单量子阱超高亮度蓝色ＬＥＤ的结构和性能，其发光强度、峰值波长和光谱半宽在正向电流为２０ｍＡ时分，分别为８ｃｄ、４５０ｎｍ和２５ｎｍ。     

超高亮度InGaN单量子阱结构绿色LED

发光强度为１２ｃｄ的超高亮度绿色ＩｎＧａＮ单量子阱（ＳＱＷ）结构发光二极管已研制成功。该器件的输出功率、外量子效率、峰值波长和光谱半宽在正向电流２０ｍＡ下分别为３ｍＷ、６．３％、５２０ｎｍ和３０ｎｍ。这种绿色ＩｎＧａＮ单量子阱发光二极管的Ｐ－Ａｌ－ＧａＮ／ＩｎＧａＮ／ｎ－ＧａＮ是用ＭＯＣＶＤ方法生长在蓝宝石衬底上。     

蓝光LED的新进展和GaN蓝光激光二极管的诞生

本文综述了蓝光ＬＥＤ和激光二极管的新进展。氮化镓材料系作为未来短波半导体光源的优质日益明显，以ＧａＮ为基的超高亮度的蓝，绿光ＬＥＤ获得重大进展，以ＧａＮ为基的蓝光激光二极管也已诞生。本文着重了介绍了ＧａＮ蓝光器件衬底的种类和制备方法，对量子阱ＬＥＤ和新诞生的多量子阱ＩｎＧａＮ蓝光激光二极管的结构及特性也进行了重点介绍。     

MOCVD生长的InGaN／GaN双异质结构LED的生长和表征

我们在ｃ面蓝宝石上用常压ＭＯＣＶＤ法得到了高质量ＩｎＧａＮ外延层。研究表明，Ｉｎ分凝系数不仅与生长温度有关，而且与ＩｎＧａＮ薄膜的生长速度有关。观测到了在生长温度低至７００℃，Ｉｎ摩尔分数达０．２０时生长的ＩｎＧａＮ膜的强烈的能带边缘光致发光。本文还介绍了有关蓝光ＩｎＧａＮ／ＧａＮ双异质结构ＬＥＤ所取得的最初结构。     

Ⅲ族氮化物半导体的进展与展望

由于高亮度蓝光和绿光ＬＥＤ已在很大程度上实现了商用化，因此目前人们对ＧａＮ及其合金的兴趣显显然不仅仅只是好奇而已。     

超高亮度LED的进展

较为详细地叙述了超高亮度发光二极管的进展。从１９９０年日本东芝公司和美国ＨＰ研制成ＩｎＧａＡｌＰ６２０ｎｍ橙色超高亮度ＬＥＤ起，到１９９４年日本日亚公司研制ＧａＮ４５０ｎｍ蓝色超高亮度ＬＥＤ，目前主要是降低成本，实现产业化。     

InGaN／AlGaN双异质结构蓝光LED的电学和光学性质

研究了ＩｎＧａＮ／ＡｌＧａＮ双异质结构（ＤＨ）蓝光发光二极管（ＬＥＤ）的电学和光学性质，实验表明，器件正向偏压下的Ｉ－Ｖ特性偏离了ｐｎ结二极管的肖克莱模型的结果，并且载流子的主要输运机制与载流子隧穿有关。通过对电致发光（ＥＬ）谱的测量，得到位于２．８ｅＶ的发射峰和位于３．２ｅＶ弱发射峰，随着电流增大而均出现蓝移。对大脉冲电流下ＬＥＤ的特性的退化作了研究。     

GaAlAs双异质结高亮度红色发光二极管研究

本文报导了为提高ＧａＡｌＡｓ双异质结红色发光二极管的量子效率所采取的技术及初步研究成果。已研制成的高亮度红色ＬＥＤ的发光强度为４００ｍｃｄ，由于电极制作技术的改进，其正向电压降低于国外同类产品。     

氮化镓纳米线的制备及表征

ＧａＮ属直接带隙跃迁型半导体 ,在用于发光器件 (ＬＥＤ)及激光器件 (ＬＤ)中具有很高的转换效率 ,器件使用寿命可达 1 0 4 ｈ ,是普通发光器件的几十倍。ＧａＮ是性能优异的蓝 绿光光源材料 ,基于ＧａＮ体系的发光器件处于主导地位。用气相法成功地合成了ＧａＮ纳米线。该纳米线的制备是在一个两端连接有进、出气口的石英管中进行的 ,石英管平放在一管式炉中。ＧａＮ纳米线沉积在ＬａＡｌＯ3晶体基片上。分别用Ｘ射线粉末衍射、场发射扫描电镜和能量色散谱仪等来对其成分、形貌及其结构进行了表征。Ｘ射线粉末衍射分析是在ＲｉｇａｋｕＤ …     

SiC促进了兰光LED的发展

第三代宽带隙材料对光电子学的影响最大。其中某些技术有力地推动了大功率芯片—硅双极,硅ＭＯＳＦＥＴ以及宽带隙器件(兰光ＬＥＤ)和ＧａＮ激光器。由于曾经寄予希望的硒化锌状况令人失望,ＧａＮ就成了唯一的选择,ＧａＮ的短波长(410ｎｍ)使其数据存储容量4倍于ＧａＮｓ器件。尽管已经决定采用ＧａＮ基做有源区,但衬底材料的选择仍然犹豫未决:用兰宝石还是碳化硅。兰宝石已被著名的Ｎｉｃｈｉａ化学公司和ＨｅｗｌｅｔｔＰａｃｋｏｒｄ公司成功地用作衬底。Ｎｉｃｈｉａ公司制成的兰光激光器的寿命在20℃达10000小时,在50℃下降低到1000小…     

可见光LED的进展——超高亮度LED及应用(二)

可见光ＬＥＤ的进展——超高亮度ＬＥＤ及应用（二）张万生梁春广（电子工业部第十三研究所，石家庄，０５００５１）４超高亮度发光管的发展［９～１４］４．１ＩｎＧａＡｌＰＤＨＬＥＤ发光强度达到坎德拉级发光管的高亮度化一直是半导体材料和器件的前沿课题之一，超高...     

GaN基蓝光器件的研究进展

本文对近几年ＧａＮ基蓝光器件，包括ＧａＮ基发光二极管和激光二极管的发展历程进行了全面介绍和评价。指出ＧａＮ基蓝光ＬＥＤ的研究开发技术将在１－２年内走向成熟，从而实现大规模商业化生产，而ＧａＮ基蓝光ＬＤ也将在近二年内实用化。     

GaN——第三代半导体的曙光

自从蓝色ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤｓ研制成功之后,氮化物逐渐成为化合物半导体领域中一颗耀眼的新星．简要介绍了ＧａＮ的基本特性．探讨了材料的生长技术,包括衬底的选择和外延方法．最后给出了ＧａＮ基器件,如ＬＥＤｓ、ＬＤｓ、ＦＥＴｓ和探测器等的发展现状,同时描绘了氮化物器件的应用领域和未来的发展前景．     

LP－MOCVD生长InGaN单晶薄膜

报道了以Ａｌ２Ｏ３为衬底在ＧａＮ薄膜上ＬＰ－ＭＯＣＶＤ外延生长ＩｎＧａＮ单晶薄膜，并研究了ＩｎＧａＮ的生长特性。实验给出了ＩｎｘＧ１－ｘＮ合金的固相组分与汽相组分和生长温度的变化关系，并应用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、Ｘ射线回摆曲线（ＸＲＣ）和室温光致荧光（ＰＬ）谱等技术对外延层的晶体质量、完整性和发光特性进行了分析。发现ＩｎＧａＮ／ＧａＮ系统中保持适当的压应力有助于提高外延层的晶体完整性，减少非故意掺杂杂质的引入，能改善外延层的发光特性。     

GaN基蓝色发光材料与器件

近年，作为绿色，蓝绿色，蓝色和蓝紫色发光材料，Ⅲ族氮化物，如ＡｌＮ，ＧａＮ，ＩｎＮ，ＩｎＧａｎ，ＡｌＧａＮ的研究引起了人们的广泛关注。本文主要介绍了ＧａＮ基蓝色发光材料发光器件的设备，特性及其应用。     

Ⅲ—Ⅴ族氮化物半导体的进展

９０年代初Ⅲ－Ⅴ族氮化物材料的实和化似乎还很遥远，但是自从蓝光ＧａＮ／ＧａＩｎＮＬＥＤ研制成功之后这个领域发巨变。目前，ＧａＮ成为化合物半导体领域中最热门的课题。在下个十年中，基于ＧａＮ材料的激光器，ＨＶ探测器和大功率高温半导体器件将成为实用产品。     

铟镓氮超高亮度蓝色发光二极管

从材料、器件、结构、特性及其应用等方面介绍了ＩｎＧａＮ超高亮度蓝色发光二极管，这种器件峰值波垂为４５０ｎｍ，外量子效率是２．７％，在正向电流２０ｍＡ时，亮度达１．２ｃｄ，正向压降为３．６Ｖ，比市售的其它蓝色发光二极管的亮度提高１００倍，其在上全色显示方面具有广阔的应用前景。     

异质外延GaN及其三元合金薄膜的RBS/channeling研究

本文阐述了用ＲＢＳ／ｃｈａｎｎｅｌｉｎｇ技术研究异质外延ＧａＮ及其三元合金薄膜的重要性和必要性,报道了实验测量出的ＧａＮ及其三元合金ＡｌＧａＮ、ＩｎＧａＮ膜的结构,给出了较为准确的元素种类、成分配比、薄膜厚度、合金元素的浓度随深度的分布、结晶品质、晶轴取向等信息,测出了几种薄膜的背散射沟道谱与随机谱之比χｍｉｎ值（Ａｌ０．１５Ｇａ０．８５Ｎ的χｍｉｎ值可低至１．１７％）和沟道坑的半角宽Ψ１／２（ＧａＮ的半角宽为０．７４°）,对于其他测试方法无法给定的中间层的情况及不同衬底对成膜的影响,本文亦有明确的说明．     

在室温下量子点发射稳定的1.3μm光

日本富士通实验室的研究人员描述了如何制造在室温下可发射１．３μｍ光的量子点激光器。这种由ＩｎＧａＮ／ＧａＮ组成的量子点是由分子束外延生长而成．这种边缘类型的激光器有一个２～３ｘ１０１０／ｃｍ２的量子点密度,这个数值两倍于以前报道的,并具有９００μｍ的腔长．一个最优化的生长速率及一个覆盖在量子点上的ＩｎＧａＮ＃层保证了这个高量子点密度。为了提高输出,研究人员用三层量子点堆积来构造激光器。２５℃时器件的阈值电流为８ｍＡ。研究人员确信低阈值电流是由于高量子点密度及多重量子点层引起,二者都对光学增益有贡…