方块电阻测试中的有限元理论

介绍了用有限元方法计算半导体方块电阻四探针测试中二维点电流势场的模型并且证明了其正确性。由于有限元方法对边界没有限制，该方法为方块电阻测试中精确确定边界修正系数，更重要的是为微样品测试结构确定提供直接明了的理论依据。     

薄层方块电阻宽电极测试方法

设计一种用宽电极测试薄层方块电阻的方法,给出理论分析和实验结果,该方法可以作为对四探针方块电阻测试仪进行校对的原始方法．也可以开发为一个大学物理设计性实验。     

优化GaN基发光二极管的电极

针对以蓝宝石为衬底的GaN基发光二极管出现的电流扩展不均的问题,采用有限元方法建立了GaN基发光二极管的三维网络模型,并对四种常见结构的器件进行数值模拟,发现影响二极管电流的因素不仅与发光二极管电极的位置有关,而且依赖于器件的结构参数.以电流扩展不均为指标确定出这四种器件中最佳的电极位置分布,同时对最佳电极位置分布的器件进行了结构参数优化,结果表明当p型金属层方块电阻与n型GaN的方块电阻接近时,电流扩展均匀性最好,且p-GaN的接触电阻和厚度越小,电流扩展越不均匀.     

大圆片样品方块电阻测试及径向等高线图的绘制

本文用微机控制四探针测试系统,按着分区等差方法计算的连续点,描绘出半导体大圆片样品方块电阻的径向等高线图.     

磷吸杂工艺研究

磷吸杂在晶体管芯片制造过程中对改善芯片表面态、减少漏电流等起着重要作用.文中确定了方块电阻为6-8Ω/□(欧姆/方块)的磷吸杂工艺条件,并对过程的相关影响因素进行分析和探讨,同时提出了解决方法.     

双电测组合法测试半导体电阻率的研究

对双电测组合四探针法测试方块电阻(Rs)和体电阻率(ρ)进行了研究,从理论和实践上揭示三种组合模式的共同优点:测量结果与探针间距无关,可使用不等距探针头;具有自动修正边界影响的功能,不必寻找修正因子;不移动探针头即可得知均匀性.推导出用于体电阻率时的厚度函数.论述了Rs、ρ、大小样片及边界附近的测试原理,给出了Rs和ρ的计算公式.     

基于SiC MOSFET的霍尔迁移率在片测试方法

研究了一种霍尔迁移率在片测试方法,通过在片测量反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs得到反型层载流子的霍尔迁移率。通过在待测芯片上固定一个环形磁体获得一个高强度磁场,并且测试磁体与芯片距离和磁场强度的关系。讨论了反型层电荷密度ns和反型层方块电阻Rs的测试原理和方法,采用多次测量求导的办法,消除了霍尔电压测试过程中由于样品制备和测试系统的原因引入漂移电压,提高了测试精度。基于该方法完成测试平台搭建,并应用该测试平台完成了对SiC MOSFET样品霍尔迁移率的测试,得到了霍尔迁移率随栅极电压变化的关系。     

ITO薄膜的电阻并联效应研究

采用电子束蒸发镀膜方法在K9玻璃基底上分别镀制了ITO/SiO₂/ITO,ITO/Ti₂O₃/ITO和ITO/MgF₂/ITO结构的多层薄膜,用四探针方块电阻仪测量薄膜表面的方块电阻,用原子力显微镜观测样品的表面微观形貌。结果显示,当ITO薄膜的粗糙度较大且介质薄膜的物理厚度小于100nm时,各层ITO薄膜之间通过山峰状的凸起结构相连通,导致样片表面的方块电阻测量值与各层ITO薄膜电阻的并联值相当。这表明,当ITO薄膜的粗糙度较大且介质薄膜厚度较小时,各层ITO薄膜表现出电阻并联效应。利用多层ITO薄膜的电阻并联效应设计并制备了450～1200nm超宽光谱透明导电薄膜,用四探针方块电阻仪测量了试验样片的表面方块电阻,用紫外-可见-近红外分光光度计测试了样片的光谱透射率。结果显示,在相同表面方块电阻条件下,相比于单层ITO薄膜,利用ITO薄膜电阻并联效应所制备的多层透明导电薄膜具有更高的光谱透射率。     

双电测组合法测试半导体电阻率的研究

对双电测组合四探针法测试方块电阻 (Rs)和体电阻率 ( ρ)进行了研究 ,从理论和实践上揭示三种组合模式的共同优点 :测量结果与探针间距无关 ,可使用不等距探针头 ;具有自动修正边界影响的功能 ,不必寻找修正因子 ;不移动探针头即可得知均匀性 .推导出用于体电阻率时的厚度函数 .论述了Rs、ρ、大小样片及边界附近的测试原理 ,给出了Rs 和 ρ的计算公式.     

BiCMOS工艺中纵向晶体管β和广义SPC

采用 SPC获得影响 Bi CMOS工艺中纵向晶体管电流放大系数 β值波动的因素仅和基区方块电阻相关。进一步采用 SUPREM3工艺模拟得到影响 β波动的重要因素是扩散炉温度。试验结果定量证明温度的影响 ,由此说明批量生产时测试基区方块电阻而无需测试结深就能预测其 β值。最后建议采用广义的 SPC使 β值受控达到设计规范     

BiCMOS工艺中纵向晶体管β和广义SPC

采用SPC获得影响BiCMOS工艺中纵向晶体管电流放大系数β值波动的因素仅和基区方块电阻相关。进一步采用SUPREM3工艺模拟得到影响β波动的重要因素是扩散炉温度。试验结果定量证明温度的影响,由此说明批量生产时测试基区方块电阻而无需测试结深就能预测其β值。最后建议采用广义的SPC使β值受控达到设计规范。     

离子注入的方块电阻规范

本文给出了制备离子注入的规范参考样品（SRM）的方法。这将为离子注入设备及测试设备的检测和验证提供可靠的手段，规范参考样品应该是硅片，硅片经由特定的杂质，确定的能量和剂量注入，且其平均方块电阻和均匀性都有明确的说明。这里提到的规范阐明了许多协作组织的工作经验，同时回顾了已往的研究成果。并考虑来自注入机厂商和使用厂家的结果。最后给出了在工艺过程中对各种重要参数起关键作用的灵敏度曲线的制备方法。     

一种制备氧化钒薄膜的新工艺

采用两步法工艺,即先在衬底上溅射一层金属钒膜,再对其进行氧化的方法,在硅和氮化硅衬底上制备了高电阻温度系数的混合相VOx多晶薄膜。电学测试结果表明:厚度为50nm的氧化钒薄膜的方块电阻和电阻温度系数(TCR)在室温时分别达到50kΩ和0.021K-1。     

制备条件对Ge2Sb2Te5薄膜电学性能的影响

研究了磁控溅射制备Ge2Sb2Te5薄膜时，制备条件诸如功率、气压等对薄膜性能的影响. 主要通过测量薄膜方块电阻随退火温度的变化情况，探索Ge2Sb2Te5薄膜的成长机理. 实验结果表明，不同溅射功率下制备的薄膜经不同温度退火后方块电阻没有明显的区别，而随着溅射气压的上升，薄膜方块电阻随退火温度的增加，下降的速率增加，意味着由面心立方结构转变为六方结构所需的结晶温度降低     

pH对化学镀镍-磷法制作的埋嵌电阻方块电阻影响的研究

文章主要介绍了pH对通过化学镀镍-磷法制作埋嵌电阻时镍-磷合金层方块电阻的影响。在温度相同的条件下,当镀液的pH不同时,探究了两种基材表面上镍-磷合金层方块电阻与反应时间的关系,并分析了适合用于制作埋嵌电阻的镍-磷合金层方块电阻值,以及最佳的化学镀镍-磷反应pH值。从实验结果可知,当反应时间相同时,随着pH的减小两种基材表面上镍-磷合金层的方块电阻将会逐渐大;适合用于埋嵌电阻制作的化学镀镍-磷反应pH为3.4~3.7,反应时间为3min~8min,方块电阻为15Ω/□～200Ω/□。     

非晶态发射极晶体管中发射结电流密度的横向分布

本文对于由非晶硅和单晶硅两个区域构成的发射区结构，计算了利用非晶硅垂直电阻的镇流作用后发射结直流电流密度的横向分布，并给出发射极有效半宽度与发射区方块电阻及基区方块电阻的关系曲线．这些分析有助于非晶硅发射极微波功率管的性能的提高．     

微测热辐射计氧化钒薄膜工艺研究

用射频磁控反应溅射在石英玻璃和硅片上沉积氧化钒薄膜 .利用X射线衍射 ,X射线光电子谱 ,原子力显微镜 ,分光光度计和电阻测量手段对沉积薄膜结构、形貌和性能进行了测试 .结果表明 ,沉积薄膜的电阻温度系数大于 1.8% /℃ ,方块电阻为 2 2± 5kΩ/□ .     

HIC导带缺陷的电学检测与评估

本文介绍了通过测试混合集成电路导带的方块电阻，温度系数等电学特性，再经过高温存贮试验考核其质量的稳定性，对其质量和缺陷进行了评估分析，探索导带质量缺陷与电学特性的关系，并与微分析结果比较验证，为宏观上评价导带质量缺陷提供一个快捷的途径。     

硅中扩散参数的分析和测定

扩散工艺至今仍是包括半导体光电器件在内的半导体器件和集成电路制造中的重要工艺步骤。但 Si 的扩散工艺中往往只测量扩散后的方块电阻。我们通过分析和实际测量 Si 扩散后的主要参数:方块电阻、结深、表面杂质浓度及杂质浓度分布,其相互关系表明,对于评价掺杂的总质量,只测量方块电阻是不全面的。而测量杂质浓度或杂质浓度分布,将是检查扩散层质量的较好方法。     

应用有限元法计算集成电路多层封装结构中的电阻

文章应用有限元方法计算集成电路多层封装结构中,具有任意边界形状的均匀异体平面上各接触点之间的等效电阻网络。