2英寸GaAs快速热退火技术研究

为配合２０００门ＧａＡｓ超高速门阵列及ＧａＡｓ超高速分频器等２英寸ＧａＡｓ工艺技术研究，开展了２英寸ＧａＡｓ快速热退火技术研究。做出了阈值电压为０～０．２Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的Ｅ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ和夹断电压为－０．４～－０．６Ｖ，跨导大于１００ｍＳ／ｍｍ的低阈值Ｄ型ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ。     

GaAs VHSIC的离子注入和快速热退火的均匀性研究

研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。在２英寸圆片上做出的场效应管无栅饱和电流相对偏差２．３％，器件阈值电压标准偏差９８ｍＶ。用该材料做出了６７２门ＧａＡｓ超高速门阵电路，还做出了工作频率为５ＧＨｚ的除二动态分频器。     

GaAsVHSIC的离子注入和快速热退火的均匀性研究

研究了改变注入角、ｐ型埋层注入及红外快速热退火对ＧａＡｓＩＣ有源层均匀性的影响，得到了表面形貌好、大面积均匀性良好的注入掺杂有源层。     

用于GaAs贯穿注入和包封退火的AlN薄膜

用直流反应溅射淀积的ＡｌＮ薄膜包封介质对ＧａＡｓ进行了贯穿注入和包封退火，用电化学Ｃ－Ｖ法测量载流子的分布，实验结果与ＴＲＩＭ模拟结果符合得很好，用５０ｎｍ的ＡｌＮ包封进行贯穿注入和退火，得到了较小的标准偏差，较陡峭的载流子分布和较高的激活率，应用ＡｌＮ包封层后，当注入能量１８０ｋｅＶ，注入剂量７．５×１０＾１３ｃｍ＾－２时，所得到的最高载流子浓度为１．８４×１０＾１８ｃｍ＾－１样品方块电阻为１１     

GaAs超高速门阵列集成电路Se离子注入技术研究

采用室温下Ｓｅ＾＋离子注入半绝缘ＧａＡｓ衬底，通过优化注入能量，剂量，注入角度及快速热退火温度，时间，获得了高剂量下杂质激活率大于７４％，注入层平均载流子浓度为（５－６）×１０＾１６－ｃｍ＾－２，平均载流子迁移率为３０１０ｃｍ＾２／ｖ．ｓ，载流子浓度分布陡峭的优质离子注入薄层，成功地研制出３０００门ＧａＡｓ超高速门阵列集成电路。     

Si^＋,As^＋双离子注放半绝缘GaAs的无包封快速热退火技术的研究

本文采用清华大学ＱＳＷ－３０７５快速热处理设备对Ｓｉ＾＋，Ａｓ＾＋双离子注入半绝缘ＧａＡｓ进行了快速热退火研究。结果表明，在适当条件下退火，注入杂质有高的激活效率，并且杂几乎没有因高温退火引起的扩散再分布，保留了原有的注入分布。在加热位置降温可消除注入晶片滑移的产生。     

TiSi_x/GaAs肖特基接触的退火特性

本文对用分层电子束蒸发法形成的TiSi_x/GaAs的肖特基接触特性进行了研究,分析了不同组分下经快速退火和常规退火后TiSi_x的电阻率,与GaAs接触界面的热稳定性,化学稳定性及所形成肖特基结的电特性.结果表明:TiSi_21/GaAs界面在975℃、12秒快速退火下表现出好的热稳定性和化学稳定性,所形成的肖特基接触具有良好的电特性,在800℃、20分钟的常规退火下,界面处有Ti的堆积和某种界面化学反应.对于快速退火工艺,TiSi_2可满足作为自对准 GaAs MESFET栅极材料所要求的界面稳定性.     

快速热退火对带有InGaAs盖层的InAs／GaAs量子点发光特性的影响

系统地研究了快速热退火对带有3nmInxGa1-xAs(x=0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响。随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的蓝移趋势是相似的。但是,量子点发光峰的半高宽随退火温度的变化趋势明显依赖于InGaAs盖层的组分。实验结果表明In-Ga在界面的横向扩散在量子点退火过程中起了重要的作用。另外,我们在较大的退火温度下观测到了InGaAs的发光峰。     

MeV~（28）Si~＋注入GaAs的两步快退火行为

从电特性、激活能、应力和剩余损伤几个方面，对ＧａＡｓ晶体中以较大剂量注入的ＭｅＶ硅原子在一步快退火、两步快退火下的行为进行了分析．经过两步快退火处理的样品，剩余位错环密度降低，晶格应力消除，注入区的结晶品质得到改善，硅原子替位所需激活能较小，提高了注入杂质电激活效率和迁移率，降低了薄层电阻．两步快退火使注入杂质在大多数辐射损伤消除后更易激活，特别适用于大剂量ＭｅＶ硅注入后的退火处理．     

锑化铟离子注入退火技术研究

对锑化铟（InSb）铍离子（Be+）注入后的快速退火技术进行了研究,并对不同退火温度和时间的晶片进行了工艺实验,通过测试其PN结I-V特性,对比了不同快速退火条件对PN结特性的影响,确定在一定快速热退火条件下可以获得高质量的PN结,并对试验结果进行了分析。     

BF+2注入的多晶硅薄膜快速热退火后氟行为的研究

本文报道BF_2~+注入的多晶硅薄膜经快速热退火后的物理和电学性质。发现造成氟异常分布的原因是由于快速热退火过程中氟的外扩散以及在多晶硅/二氧化硅界面处的聚集。在注入剂量为1×10~(15)和5×10~(15)cm~(-2)的样品中,经快速热退火后可以观察到氟泡。     

离子注入快速热退火制造类视见函数光电探测器

采用离子注入,红外快速热退火方法制造硅探则器,由喇曼散射方法检测损伤消除效果,确定快速热退火的温度,借助本征吸除等工艺技术,可以方便地得到性能优良的类视见函数光电探测器。     

φ3英寸GaAs离子注入掺杂材料研究

详细介绍了φ３英寸ＧａＡｓ离子注入掺杂材料的制备结果。     

用于GaAs贯穿注入和包封退火的AIN薄膜

用直流反应溅射淀积的AIN薄膜作包封介质对GaAs进行了贯穿注入和包封退火。用电化学C－V法测量了载流子的分布。实验结果与TRIM模拟结果符合得很好。用50nm的AIN包封进行贯穿注入和退火，得到了较小的标准偏差，较陡峭的载流子分布和较高的激活率。应用AIN包封层后，当注入能量180keV，注入剂量7．5×10~13cm~－2时，所得到的最高载流子浓度为1．84×10~18cm~－3，样品方块电阻为118Ω／□。     

快速热退火对热生长二氧化硅的影响

随着器件几何尺寸的缩小,将整个工艺过程中的扩散时间减至最小已变得日益重要。任何工序,如果所用的扩散时间长于必需的扩散时间,均将导致结深和非饱和扩散栅的控制变得困难。 快速热退火可用于注入活化、硅化物的形成、介质层的回流以及对某些与时间有明显依赖关系的工艺过程控制(如高温下栅氧化工艺)。 在本研究中,通过测量击穿电压、温偏应力C-V漂移、漏电流和缺陷密度等氧化膜参数,研究了源/漏快速热退火对栅氧化膜质量的影响。     

Ⅲ-Ⅴ族半导体化合物快速热退火扩Zn方法研究

以GaAs和InP材料为例,对化合物半导体材料中的快速热退火扩Zn可行性进行比较分析,研究表明,化合物半导体材料中快速热退火扩Zn可行性与化合物半导体材料的分解温度有着密切关系。化合物半导体材料分解温度越低,对扩散源、帽层和阻挡层要求越高。针对InP材料高于360℃就分解、低温Zn扩散困难的特点,提出了直接溅射Zn层在410℃低温扩散的方法。对InP快速热退火扩散结果进行分析,初步分析表明其掺杂机理是形成合金结。     

利用快速热退火在n—GaAs上形成Ge／PdGe欧姆接触

利用Ｇｅ／Ｐｄ／ＧａＡｓ结构和快速热退火工艺在ｎ－ＧａＡｓ上形成低阻的欧姆接触，研究了比接触电阻率与退火的温度和时间关系，４００－５００℃之间退火的欧姆接触的比接触电阻率为－１０＾－６Ω．ｃｍ＾２，接触层的表面光滑、界面平整，利用俄歇电子谱（ＡＥＳ）和二次离子质谱（ＳＩＭＳ）揭示和讨论了比接触电阻率的欧姆接触形成的机理。     

质子注入和快速退火对GaAs/AlGaAs量子阱能级结构的调整

摘要　本文介绍利用界面混合技术对GaAs/AlGaAs量子阱结构进行微调,通过荧光光谱和光响应电流谱给出了质子注入和快速退火对禁带宽度及导带内子带位置的影响,荧光光谱峰位随注入剂量(5×10