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借助一新的工艺模拟与异质器件模型用CAD软件──POSES(Poisson-SchroedingerEquationSolver),对以AlGaAs/InGaAs异质结为基础的多种功率PHEMT异质层结构系统(传统、单层与双层平面掺杂)进行了模拟与比较,确定出优化的双平面掺杂AlGaAs/InGaAs功率PHEMT异质结构参数,并结合器件几何结构参数的设定进行器件直流与微波特性的计算,用于指导材料生长与器件制造。采用常规的HEMT工艺进行AlGaAs/InGaAs功率PHEMT的实验研制。对栅长0.8μm、总栅宽1.6mm单胞器件的初步测试结果为:IDss250~450mA/mm;gm0250~320mS/mm;Vp-2.0-2.5V;BVDS5~12V。7GHz下可获得最大1.62W(功率密度1.0W/mm)的功率输出;最大功率附加效率(PAE)达47%。 相似文献
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《微纳电子技术》1995,(2)
在InP衬底上用通常的晶格匹配(y=0.53)和晶格失配(y>0.53)In_(0.53)Al_0.48As/In_yGa_(1-y)As层结构同时制作p-沟和n-沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFET)。获得1μm栅长e型p-沟HIGFET,其阈值电压约0.66V,夹断尖锐,栅二极管开启电压0.9V,室温时非本征跨导>20mS/mm。相邻的(互补的)n-小沟HIGFET也显示e型工作(阈值V_th=0.16V),低的漏电,0.9V栅开启电压和高跨导(gm>320mS/mm)。这是首次报道在InP衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的p_和n-沟HIGFET。 相似文献
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在InP衬底上用通常用晶格匹配(y=0.53)和晶格失配(y〉0.53)In0.53Al0.46As/InyGa(1-y)As层结构同时制作p-沟和n-沟增强型异质结绝缘栅场效应晶体管(HIGFET)。获得1μm栅长e型p-沟HIGFET,其阈值电压约0.66V,夹断尖锐,栅二极管开启电压0.9V,室温时非本征跨导〉20mS/mm。相邻的(互补的)n-沟HIGFET也显示e型工作(阈值Vth=0. 相似文献
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Ka波段功率PHEMT的设计与研制 总被引:1,自引:1,他引:0
报道了Ka 波段功率PHEMT的设计和研制结果。利用双平面掺杂的AlGaAs/InGaAsPHEMT材料,采用0.2 μm 的T型栅及槽型通孔接地技术,研制的功率PHEMT的初步测试结果为:Idss:365 m A/m m ;gm 0:320 m S/m m ;Vp:- 1.0~- 2.0 V。总栅宽为750 μm 的功率器件在频率为33 GHz时,输出功率大于280 m W,功率密度达到380 m W/m m ,增益大于6 dB。 相似文献
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OEIC光接收机研究的湿法选择腐蚀 总被引:1,自引:0,他引:1
试验了用柠檬酸与双氧水系列腐蚀液来实现InAl(Ga)As:InP和InGaAs:InAlAs的选择腐蚀,达到了较好的效果,且工艺重复性好。同一单片上MSM光探测器的光响应度可达到0.5A/W,HEMT器件最大跨导为305mS/mm,最大饱和电流密度为350mA/mm。完成了实现OEIC光接收机的关键一步。 相似文献
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曲兰欣 《固体电子学研究与进展》1995,(4)
新结构高性能In_(0.3)Ga_(0.7)As/In_(0.29)Al_(0.71)As/GaAsHEMT研究证明,InGaAsHEMT的结构优于GaAsMESFET和习用的AlGaAs/GaAsHEMT。在GaAs上制备的赝配结构HEMT(PM-HE... 相似文献
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简要介绍了GaAs超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有1.0GHz时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米GaAsMESFET工艺技术,其电压分辨率高达11.3mV,功耗仅为274mw。最后给出了利用低温分子束外延生长GaAs作缓冲层的进一步改进设计。 相似文献
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简要介绍了GaAs超高速电压比较器的国内外发展水平。设计并研制了具有1.0GHz时钟频率的高性能电压比较器。该器件采用亚微米GaAs MESFET工艺技术,其电压分辨率高达11.3mV,功耗仅为274mW。最后给出了利用低温分子束外延生长GaAs作缓冲层的进一步改进设计。 相似文献
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采用PECVD技术,以TEOS为源,对In0.53Ga0.47As材料进行表面钝化,研究了SiO2/In0.53Ga0.47As的界面态,提出降低界面态密度的方法,使其降低到8.5×10^10eV^-1cm^-2。 相似文献
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卫星用AlGaAs/GaAs太阳能电池 总被引:1,自引:1,他引:1
介绍了GaAs太阳能电池的基本原理,结构设计和制作工艺。用水平液相外延一室分离多片旬延石墨舟研制了p-AlxGa1-xAs/p-n-GaAs结构的太阳能电池。在AMO,100mW/cm^225℃的测试条件下,开路电压(Voc)为994mV,短路电流密度为23.2mcm^2,填充因子(FF)为0.794,光电转换这18.25. 相似文献
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报道Ka频段GaAs单片平衡混频器的设计和研究结果。用自行开发的“TUMMIXER”软件进行电路设计,工艺以半绝缘GaAs为衬底,采用NbMo/GaAs接触形成肖特基势垒二极管,以SiO2和聚酰亚胺双介质为保护膜,增强了工艺的成功率。研制成功的芯片尺寸为:2mm×3mm×0.2mm,在f=31~36GHZ范围内NFSSB≤10dB,最佳点f=32.2GHzNF.SSB=8.7dB[fIF=1.2GHz]。 相似文献