钡钨阴极表面的研究

我们用HPS50B型场发射扫描电镜(SEM),REBER-1型俄歇电子能谱仪(AES),PHI-550型ESCA/SAM多功能能谱仪,JSM-U3型电子探针,FD-1型发射式电镜(EEM)和逸出功分布测量技术等,对铝酸盐钡钨阴极和钨酸盐钡钨阴极进行了综合研究。研究了阴极表面结构形貌、表面化学成分、化学态以及发射性能等。实验发现,激活前后,阴极表面元素的组成成分、分布情况和化学态都有明显的变化。激活后,阴极表面粗糙,发射不均匀,发射集中在钨海绵的孔隙及其四周。还发现了铝酸盐阴极激活后,谱线中的钙峰消     

铈-钨阴极逸出功的量测

由于钍钨丝在制造过程中的放射性毒害,人们一直在寻找这种阴极材料的代用品,近年来出现了一些新型材料如铈钨、钇钨、镧钨等。一方面为了测量这些材料的物理性能,同时也为了探索一个较为简捷的测量方法,因此我们接受了上海灯泡厂的委托,承担了这类材料(主要是铈钨)的处理工艺(碳化)和蒸发率,逸出功测量的研究工作。 通过我们的工作找到了铈钨系的碳化工艺,测出了这种材料的蒸发率(在寿命过程中变化很大,最高可超过钍钨的数百     

钡钨阴极与钪系阴极的表面研究

利用表面分析技术对 Ba-W 阴极和钪系阴极激活前、后和遭受离子轰击后表面元素及其化学态的变化以及它们与发射性能的相互关系进行了分析研究。分析结果有助于对阴极性能、它们对不同器件的适用性以及工作机理的进一步认识。     

钡钨阴极表面的光电子谱研究

用XPS,APES和ARPES分析技术综合探测了钡钨阴极(包括铝酸盐、钨酸盐和钪酸盐阴极)的表面化学,获得了一些新的结果。实验表明:阴极表面光电子谱峰的形貌特征与阴极的激活状态呈对应的关系;激活后钡钨阴极表面的钨是单一金属态,钡呈现氧化态。     

掺氧化钇钡钨阴极的表面特性研究

以掺氧化钇的钡钨阴极作为研究对象,利用现代表面分析技术,包括发射式电子显徽镜、扫描电子显微镜、俄歇电子谱仪和高分辨率x射线光电子谱仪等,进行了综合研究,获得了阴极发射性能、表面形貌和表面化学等实验结果,并对实验结果进行了讨论。     

浸渍钡钨阴极表面同步辐射光电子谱研究

为了解浸渍钡钨阴极表面各元素的化学状态,采用同步辐射光电子谱技术对激活前后的阴极表面进行了研究。结果表明,与激活前相比,经1150℃×90min 高温激活后,阴极表面吸附层厚度减薄,吸附C 完全消失,O 含量明显升高,W 含量增加1 倍,Ba 含量增加2 倍。另外,阴极表面的O1s、W4f 和Ba3d 等的谱峰均向高结合能方向显著位移。分析认为,激活后的阴极表面分布的吸附氧,使W 基体以及阴极表面的Ba 均产生吸附氧化,Ba 在阴极表面主要以吸附化合物Ba_m?O_n(m≤n)的形式存在。     

直热式钡钨阴极

本文介绍一种可用于Ar~+、Kr~+激光管、工艺比间热式浸渍钡钨阴极简单的直热式螺旋型钡钨阴极。它是在含Re3％的铼钨丝上,涂敷低逸出功电子发射材料铝酸盐和钨粉的混合物,并通过高温烧结而制成的。这种阴极的特点是:预热时间短、激活快、析出的气体少、寿命长。     

钍钨阴极的碳化

钍钨阴极是一种最常见的薄膜阴极,它的实际应用已有四十多年了.其中最重要的改进是从初期的非碳化钍钨阴极,进展到采用碳化工艺制造成碳化钍钨阴极,结果大大改善了钍钨阴极发射的不稳定性和寿命短的缺点.与纯钨阴极相比较,碳化钍钨阴极在较低的工作温度下就有较高的发射.因此,在功率管与整流管领域中,已经广泛地得到应用.但特别由于真空技术的发展,减少了正离子对阴极薄膜的轰击破坏作用,再由于钍钨阴极的材料能加工成各种形状,使阴     

新型压制钡钨阴极性能的研究

研究了新型压制钡钨阴极的发射性能 ,并且分别用KYKY - 2 80 0扫描电子显微镜 (SEM)和美国BIR公司ACTIS工业CT微焦点系统来分析所研制的新型压制钡钨阴极的表面形貌和内部结构 ,并对比了传统的钡钨阴极 ,来说明简化覆膜浸渍钡钨阴极生产工艺的可行性。     

钍钨阴极低温碳化的实验研究

一、概述钍钨阴极的真空碳化,国内目前主要采用高温2500～2700°K,早期还有2800°K的。我厂自1975年3月开始,在FU-105 Z_1大功率发射管上对网状钍钨阴极开展了真空低温碳化的实验。不同的碳化温度会对阴极的机械强度,电子发射及发射寿命产生不同的作用或影响。通过实验分析,认为低温碳化不同程度地具有上述几方面的优越性,是可供推广的碳化方法。     

钡钨阴极的出现电势谱研究

用自制的SXAPS及XPS与AES技术对S型与M型钡钨阴极进行了研究。结果表明,这两类阴极表面化学结构特性存在明显的差别。M阴极激活后,存在钡的单原子层与氧的吸附;而S阴极激活后,钡与氧化钡并存。引进新的俄歇参量a_2,可以表征包括钡钨阴极在内的钡的各种化学态。M阴极表面不仅有O_s与Ru,也有W扩散出来。模拟试验表明,SXAPS轰击电流对阴极无明显的破坏作用。     

新型纳米薄膜钪钨阴极的研究

介绍了一种新型的纳米薄膜钪钨阴极,该阴极在1000℃（亮度温度）可以提供至少150A／cm^2的拐点电流密度。同时作者指出：含钪阴极的发射机制倾向于热电子发射机制还是“场助热电子发射”机制主要取决于阴极表面发射小岛的形成和维持。     

一种复合钨海绵体钡钨阴极

通过分析影响钡钨阴极蒸发的各种因素,结合实际生产中的工艺要求,介绍了一种复合钨海绵体钡钨阴极制造工艺,能够有效降低钡钨阴极蒸发。     

氧化物阴极的电化表面研究

现代表面电化分析技术已用于各种激活与寿命状态下氧化物阴极的研究。我们所关注的是基金属介面层和涂层表面的成份的变化以及它们与逸出功率变化的关系。没有观察到表面单原子层的存在,并且注意到其电化性能与在Bao单晶薄膜中观察到的现象类似。     

碳化钍钨阴极的寿命

本文评述了碳化钍钨阴极的寿命机理,讨论了决定阴极寿命的因素,给出的曲线和算式可供阴极设计和工艺设计工作者参考。     

氧作用下浸渍钡钨阴极中钙的强化表面扩散

由于探测技术上的困难,至今对铝酸钡钙扩散阴极表面钙的研究极少。本文利用低压氧锈导下Ca向阴极表面的强化扩散,并借助俄歇电子能谱仪探索了Ca的行为和作用。主要结果是:(1)相当部分Ca以金属态形式存在于钨孔隙中活性物质的近表层区;(2)钙向表面扩散的数量和速度与阴极温度、氧的暴露量成正比,它是一种界面反应驱动下的强化扩散,其激活能约为1.34eV;(3)氧作用下阴极表面氧化钙的增加是导致阴极发射衰减的重要原因,而恢复中毒的再激活机制之一,则是高温下表面钙的蒸发逸离过程。     

混合基钡钨阴极优良性能的研究

混合基钡钨阴极在1050℃,电流密度约为8A／cm^2以上,是普通钡钨阴极（B型或S型）的3至4倍,而且其寿命比普通钡钨阴极（B型或S型）高一个量级。文中用理查逊公式的推导和计算机模拟法（Mmller法）解释了混合基钡钨阴极的优良性能．尤其是建立在去极化模型和集簇法基础上的计算机模拟法（Muller）更是从微观上解释了混合基钡钨阴极的大发射性能,特别是Os-W（hcp）合金基底。