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主要分析了钽粉中杂质碳的来源以及它在钽粉中的各种形态和生成方式,通过实践提出了有效控制钽粉中碳含量的合理建议,以达到降低钽粉中碳含量的目的。 相似文献
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胡詠华 《有色金属材料与工程》1987,(6)
对影响钽片电容性能的主要因素进行了分析,并进行了各种条件试验和检测。指出钽粉的原始粒度、碳、氧含量的配比以及烧结温度、烧结时间等均对钽片的漏电系数有明显的影响。要根据原始钽粉中碳、氧及其他杂质的含量进行必须的氧含量计算,再配入适当的氧化钽,其次进行粉末粒度的配比,最后选择最佳烧结工艺,配用适当的润滑油进行轧制,可获得极为满意的优质钽片。 相似文献
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五、精炼及深度加工各种钽的提取方法可产出品位为99.5—99.8%并或多或少地被粉化的纯钽。产自各种还原方法的粗钽的杂质成份见表3。金属钽中的杂质含量使粗钽不能直接应用。由于 相似文献
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随着钽铌在电子工业、合金及超导等领域应用范围的不断拓宽,对钽铌化合物原料的纯度要求也越来越高,对产品中各种杂质含量的要求越来越苛刻;因而,对钽铌湿法冶金生产的钽铌化合物产品提出了更高的要求。如对晶体级以上级别的高纯Ta2O5/Nb2O5中的S元素的含量要求在1ppm以下。而现行的高纯Ta2O5/Nb2O5的生产均是在HF——H2SO4体系下进行的,在高纯Ta(OH)5/Nb(OH)5的制备过程中,绝大部分杂质元素以硫酸盐的形式存在于物料中。虽然大部分硫酸盐都溶于水,可在洗涤中洗除绝大部分的S元素,但仍有极少量的残存以及如Pb、Ca、Ba等微溶的硫酸… 相似文献
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高电流密度脉冲电解制备纯铜的研究 总被引:6,自引:0,他引:6
在小型电解槽中研究高电流密度脉冲电解制备纯铜的工艺条件 ,并用XRD、SEM及等离子体质谱仪研究杂质对阴极铜沉积的结构和组成的影响。研究表明 :3 0℃时 ,脉冲电解制备纯铜的工艺条件为 :平均电流密度80 0A/m2 ,峰电流密度 40 0 0A/m2 ,脉冲宽度 2 0ms ,脉冲频率 10 0Hz,占空比 1∶4。不用添加剂时 ,电解液中有害杂质的允许含量为 (g/L) :As5+ ≤ 0 0 3、Sb3+ ≤ 0 0 0 5、Bi3+ ≤ 0 0 0 5 ;用添加剂 (mg/L) :Cl- 3 0、(NH2 ) 2 CS 0 75~ 1 0、glue 1 0~ 1 5 ,电解液中有害杂质的允许含量为 (g/L) :As5+ ≤ 0 5、Sb3+ ≤ 0 0 3、Bi3+ ≤ 0 0 5。测试结果表明 :当电解液中不含杂质时 ,铜沉积 (2 2 0 )晶面为择优取向 ,结晶形态为层状 ,电解液中含杂质时 ,铜沉积的 (2 2 0 )晶面择优取向更强 ,结晶形态为层状混块状。 相似文献
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C/C复合材料基TaC涂层低功率激光烧蚀特征 总被引:5,自引:1,他引:5
为研究TaC涂层的高温烧蚀特征和机理,用低功率激光仪对TaC涂层进行了不同时间的烧蚀试验,并用XRD,SEM等观测了该涂层在空气中的氧化与烧蚀过程。结果表明:在大气环境下激光烧蚀的开始阶段是TaC涂层的分解与游离碳向表面扩散,随即氧化生成含碳、氧、钽的熔体,随着时间的延长熔体氧化为低价的钽氧化物,最后生成Ta2O5;熔体在冷却过程中析出Ta2O5针状晶体。在熔体与TaC之间存在1~2μm由细小的晶体和孔隙组成的扩散过渡层,过渡层由碳、氧、钽组成。 相似文献
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采用五氧化二钽(Ta2O5)、氟化钾(KF)和氟化氢铵(NH4HF2)为原料,少量甲醇为溶剂,在红外灯下充分研磨后得到分散均匀的氟钽酸钾前躯体.将制备的前躯体在150,200和250℃焙烧3h,并通过X射线衍射仪(XRD)对产物进行分析.在200℃考察不同焙烧时间对氟钽酸钾合成的影响;利用XRD和扫描电镜(SEM)技术对产物进行分析,并用库仑滴定法测定产物中碳含量.结果表明:焙烧温度为150和200℃时均可得到单一相的氟钽酸钾,而250℃时不能得到单一相的氟钽酸钾,产物中含有K3TaOF6.在200℃焙烧不同时间合成的氟钽酸钾是单斜晶系,空间群为P21/c (14).当焙烧温度为200℃,焙烧时间为15 min时,产物结晶度差且含有Ta2O5,不能得到单一相的氟钽酸钾.随着焙烧时间的延长,得到的产物纯度逐渐升高,粒径逐渐变大,结晶度逐渐提高.碳含量符合有色金属行业标准YS/T 578-2006规定的氟钽酸钾中碳含量为20 ~25 μg·g-1.焙烧时间为2h时,得到的氟钽酸钾晶体具有较小粒径(<1μm)和较低含碳量(<10 μg·g-1).与液-液萃取法制备氟钽酸钾相比,该方法避免了因HF酸和H2SO4腐蚀而引入其他金属杂质,同时也避免了有机碳的污染,从而很好地控制了碳含量. 相似文献
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与大多数杂质的气化温度比较,钽和铌的熔点很高,因此,提取的金属可在高温下进行再提纯。但是在提纯时必须注意的是,钽和铌与除惰性气体以外的所有气体均具有很大的亲和力。因此,一切高温处理须在真空或纯惰性气体下进行。对高温下不能或很难去除的杂质,例如钨、钼、锆和铪以及铌中的钽和钽中的铌必须在加工钽、铌化合物时,即还原前就 相似文献
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为制备出大比表面积的高性能钽粉,根据钠还原氟钽酸钾制备钽粉的过程分析,对其主要影响因素(还原温度、稀释剂比例、还原速度、搅拌转速)对钽粉性能的影响进行了研究。结果表明,随着还原温度降低,还原的钽粉比表面积增大;还原温度提高会增加还原过程中反应容器的腐蚀,造成金属杂质增加。稀释剂比例增加,有利于生成大比表面积钽粉,但会降低钽粉收率,且杂质含量增加。注钠速度、搅拌转速不是主要影响钽粉比表面积的关键因素。 相似文献
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氧含量对钽电解电容器阳极氧化膜形成及漏电流的影响 总被引:3,自引:0,他引:3
针对阳极氧化膜在钽电解电容器中所起的重要作用,对比分析了钽阳极块中氧含量对其形成及电性能的影响,并简述了有关影响机理。结果表明:钽阳极块中的氧含量主要由原料钽粉中的杂质氧含量所决定,且与阳极块的压制、烧结及赋能条件等相关;杂质氧对阳极氧化膜形成不利,是造成电容器漏电流增大的主要因素之一。 相似文献
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陈伟文 《有色金属材料与工程》2013,(2):91
专利名称:金属钠还原氟钽酸钾生产钽粉的搅拌水洗方法及装置专利申请号:201210548101.3公开号:CN102990076A申请日:2012.12.18公开日:2013.03.27申请人:宁夏东方钽业股份有限公司本发明涉及一种金属钠还原氟钽酸钾生产钽粉的搅拌水洗方法及装置.该水洗方法是在电解质溶液中对去除了碱金属卤素盐的金属钠(Na)还原氟钽酸钾(K2TaF7)得到的钽粉进行搅拌水洗,去除钽粉中有害难溶超细颗粒杂质,然后进行酸洗、烘干得到初始钽粉.这种方法生产钽粉收率高,得到的钽粉具有高纯度及好的粒度分布,好的孔隙度,特别适合于制造钽电解电容器. 相似文献
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分析了真空碳脱除钽中氧的热力学条件,研究了保温温度、保温时间对真空碳脱氧效果的影响,用碳处理废钽的工业扩大试验获得了含O0.17%、C0.03%的合格冶金级钽粉。 相似文献
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《稀有金属与硬质合金》2016,(1)
研究了熔炼速度和W元素偏析对超导线材阻隔层用钽带使用性能的影响。结果表明,通过降低一次熔炼的熔炼速度,提高二次熔炼的熔炼速度,既可达到钽铸锭的提纯效果,又可改善铸锭的晶粒组织,使得成品钽带组织细小均匀。严格控制原料中W元素含量(0.002%以下),并在焊接电极时减少焊接点或采用其他不使用钨焊针的焊接设备,避免带入W杂质,减少铸锭中W成分偏析,可防止钽带在使用过程中发生断裂。 相似文献
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以钨渣为二次资源,研究开发合理的回收工艺,将其中的钨、钽、铌、铁、锰加以回收利用,生产出市场需求的氧化铁和碳酸锰,钨、钽、铌得到富集后重新返回其冶炼过程加以利用。在选定的工艺条件下,从钨渣中回收的钨富集物含WO3 61.41%,钨回收率71.36%;钽铌富集物含(Ta2O5+Nb2O5)7.94%,钽铌回收率70.69%;氧化铁含Fe2O3 90.49%,铁回收率84.75%;碳酸锰含Mn 43.68%,锰回收率83.25%。该工艺实现了资源综合利用的目的。 相似文献