Dot-line式交流驱动专用源驱动器的设计

为了驱动dotline交流模式下的液晶屏,设计了一种新型的专用源驱动器。在这种新的源驱动器中,使用了三级锁存结构,它可以完成数据重组以适应dotline交流驱动模式,而不需要专用LCD控制器进行数据处理。HSPICE软件进行晶体管级模拟结果验证了三级锁存源驱动器的数据重组功能。     

浅析MOSFET高速驱动器电路设计

通过对MOSFET转换过程的分析，得出高速转换过程对驱动电路的要求。通过对转换过程中功率损耗的计算和驱动电流计算的注意事项，得出了在设计高速驱动MOSFET电路过程中的要点。这对用开关电源设计MOSFET的高速驱动电路有参考价值。     

超高速激光驱动器电路设计与研制

分别利用0.35μm CMOS工艺和0.2μm GaAs PHEMT（pseudomorphic high electron mobility transistor）工艺实现了激光驱动器集成电路,其工作速率分别为2.5Gb/s和10Gb/s,可应用于光纤通信SDH（synchronous digital hierarchy）传输系统．     

超高速激光驱动器电路设计与研制

分别利用0.35μm CMOS工艺和0.2μm GaAs PHEMT(pseudomorphic high electron mobility transistor)工艺实现了激光驱动器集成电路,其工作速率分别为2.5Gb/s和10Gb/s,可应用于光纤通信SDH(synchronous digital hierarchy)传输系统.     

0.18 μm CMOS单电流源模式LVDS驱动器设计

设计了一款单电流源模式低电压差分信号(LVDS)驱动器.采用反馈控制电路,以降低工艺、电压和温度变化引起的输出电平波动,电路稳定在规定的范围内.采用0.18 μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,驱动器工作速率可以达到660 Mb/s,差分输出信号摆幅为320 mV.     

线性匹配独立电流源和传统白光LED驱动器解决方案

集成白光LED工艺的先进性在于创新的节电方案(如环境调光控制),WLED解决方案可以实现更多元化的应用,比以往任何时候效率更高.现有的大多数WLED驱动器解决方案仍然采用升压驱动器;但是,随着WLED应用和技术的多元化,WLED驱动器解决方案也有了更广泛的选择.线性匹配电流源就是这样一种新型解决方案.德州仪器的TPS7510x低压差(LDO)线性WLED驱动器可用于驱动WLED.对这种新技术和现有的升压型解决方案进行比较.     

中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的输出缓冲电路

在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比,该电路结构简单,稳定性能好,降低了静态功耗并节省了芯片面积.采用0.25μm CMOS工艺设计并实现了两种不同输出电压的缓冲电路.HSPICE仿真结果表明,输出电压缓冲电路的静态电流为3μA,Offset电压小于±2mV.同时,当TFT-LCD的驱动电压在-8～+16V之间切换时,输出电压的波动范围小于±0.4V,输出电压的恢复时间小于7μs.经对工程样片的测试知,其性能完全满足中小屏幕TFT-LCD驱动控制芯片的要求.     

中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的输出缓冲电路

在分析中小屏幕TFT-LCD驱动芯片的负荷特性的基础上,提出了一种新型的驱动电压输出缓冲电路结构.通过负反馈动态控制输出级的工作状态,具有交替提供拉电流和灌电流的驱动能力,可有效抑制输出电压的波动.与传统的两级运算放大器电路相比,该电路结构简单,稳定性能好,降低了静态功耗并节省了芯片面积.采用0.25μm CMOS工艺设计并实现了两种不同输出电压的缓冲电路.HSPICE仿真结果表明,输出电压缓冲电路的静态电流为3μA,Offset电压小于±2mV.同时,当TFT-LCD的驱动电压在-8～ 16V之间切换时,输出电压的波动范围小于±0.4V,输出电压的恢复时间小于7μs.经对工程样片的测试知,其性能完全满足中小屏幕TFT-LCD驱动控制芯片的要求.     

具LED驱动器的可调TFT-LCD偏置电源

目前,凌力尔特公司推出集成式偏置和白光LED电源转换器解决方案LTC3524,该器件用于中小尺寸薄膜晶体管（TFT）液晶显示屏（LCD）。LTC3524在2．5-6V的输入电压范围内工作,适合多节碱性／镍氢金属电池以及单节锂离子电池应用。     

一种集成轨到轨比较器电路设计

传统比较器在其输入电压过高或过低时,输入MOS对管将进入截止区,从而使电路无法正常工作。本设计采用轨到轨放大器技术,使比较器在输入电压满摆幅时都能正常工作,增加了输入电压的范围。本文基于0.18μm COMS工艺完成电路的设计,并使用Spectre进行电路仿真。结果表明,在电源电压为1.8V时,电路静态功耗为360μW,电压比较精度为80μV,时延为13.2ns。     

10-bit TFT-LCD源驱动电路的设计

DAC和驱动Buffer是TFT-LCD源驱动电路芯片中的重要模块,决定着芯片的主要性能。文章讨论了传统的R-DAC结构及其用于10-bit TFT-LCD源驱动电路时的弊端,详细阐述了新型R-DAC+C-DAC的原理以及设计方法,并采用0.35μm 5VCMOS工艺设计和实现了该电路。Hspice仿真结果表明,所设计的DAC电路的DNL和INL分别小于0.4LSB和1.5LSB,输出电压的建立时间小于3.5μs。该新型结构DAC的面积约是传统结构面积的1/8,且能够实现10亿色(210×210×210)的全真彩显示。     

手机用TFT-LCD Source Driver电路模块研究与设计

SourceDriver电路模块是彩色TFT-LCD驱动控制芯片的关键电路之一,其功能是将数字图像显示数据转换成模拟驱动电压,从而驱动TFT-LCD显示各种彩色图像。本文从TFT-LCD的驱动原理出发,提出了一种适合于手机用TFT-LCD的低功耗、小面积的SourceDriver电路体系结构,用0.25μmCMOS工艺设计并实现了显示26万(26×26×26)色,支持132RGB×176分辨率的手机用TFT-LCD驱动控制芯片中的SourceDriver电路,电路面积约15mm×0.6mm。Hspice仿真结果表明,SourceDriver电路的响应时间为1.49μs,静态功耗小于1mW。     

适用于小尺寸TFT-LCD的图像锐化算法及其硬件实现

针对小尺寸TFT-LCD驱动控制芯片的结构特点,提出了一种适用于小尺寸TFT-LCD的新型图像锐化算法.在传统的反锐化掩膜算法中考虑了人眼的视觉系统特性,加入了能量色散滤波器,进而提高了图像锐化效果,降低了锐化噪声,减小了灰度溢出,同时也避免了色彩失真现象.所提出的算法简单且易于硬件实现,硬件开销小,还可以通过寄存器配置锐化强度等参数,以实现显示画质的优化和微调,尤其适应于手机等小尺寸TFT-LCD显示终端应用.     

TFT-LCD驱动芯片内置电荷泵的优化

根据手机用TFT-LCD的显示和驱动要求,优化设计了一种用于TFT-LCD驱动IC的内置电荷泵升压电路。使用0.25μm CMOS高压工艺的HSPICE仿真结果表明,与传统的电荷泵电路相比,优化后的电荷电压稳定速度提高将近一倍,升压效率和功率效率分别提高4%和5%,全部输出电压上升到稳定值的时间小于60 ms,满足设计要求。该新型升压电路采用3个时钟控制开关动作,共用升压电容,减少了外接升压电容的数目,另外能够同时产生正倍压和负倍压。     

单片集成TFT-LCD驱动芯片的设计验证策略

混合信号VLSI芯片的单片特性验证是此类芯片的设计难题之一.针对典型的混合信号VLSI芯片--单片集成薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)驱动芯片,设计了一种能够直观模拟液晶显示的系统级验证平台,并利用此验证平台验证了系统架构的正确性.还针对此芯片的设计特点,结合系统验证平台为整个设计流程的各个阶段提出了不同的验证策略.通过对这些策略的配合使用,对芯片特性进行了全面验证,包括模块级验证、芯片级验证以及物理验证.该验证策略具有高效、直观、可靠等特点.     

大屏幕TFT-LCD内部接口技术研究

内部接口技术是大屏幕TFT-LCD驱动关键技术之一,它不仅决定着整个驱动系统的硬件结构,而且其数据传输可靠性更是直接关系到显示效果的优劣。本文主要从电学参数、体系结构和传输协议3个方面介绍了以PPDS为代表的新一代内部接口技术,并与当前主流技术RSDS进行对比,分析其优缺点。     

TFT-LCD驱动控制芯片内置SRAM的自测试设计

针对单片集成TFT-LCD驱动控制芯片内置SRAM的特点,提出了一种将内建自测试与机台测试相结合的SRAM测试方案.测试向量由机台提供,测试过程中启动内部自测试电路.在SRAM的读出寄存器和写入寄存器之间建立一条通路,测试向量通过这条通路在SRAM单元之间传递,形成了一个长的移位链,读出数据送给比较器检测.与传统自测试结构相比,该方案面积开销小,灵活性高.     

TFT-LCD能否赢得大尺寸显示市场

主要介绍了液晶面板发展中伴随着母基板尺寸越来越大所需的技术革新．如喷墨法的使用、掩膜板与溅射工序的取消以及制造成本的缩减等。