一种高线性宽带功率合成的射频功率放大器

针对5G通信微基站,提出一种基于GaAs异质结双极晶体管（HBT）工艺,芯片面积为1.3 mm×1.4 mm的高线性宽带宽的射频功率放大器。该放大器采用了异相功率合成方式和J类输出匹配的方法,在两路功率放大器的输入输出端引入了90°相移以及J类模式确定最佳负载阻抗,以此实现高线性宽带宽的特性。在5 V电源和2.85 V偏置电压下,室温条件下测试结果表明,该功率放大器在2～3 GHz频带内,小信号增益为36±0.5 dB。然而在2.4～2.8 GHz频带内,该功率合成结构的功率放大器拥有饱和输出功率大于36 dBm,功率附加效率大于38%。在5G-NR,带宽100 MHz和4G-LTE、带宽20 MHz的调制信号下,在2.4～2.8 GHz工作频带测试,放大器的输出功率为22 dBm,邻近信道功率比（ACPR）约为-43 dBc。     

负载牵引技术在小型化宽频带固态功放设计中的应用

运用负载牵引技术,通过谐波平衡法,设计了倍频程带宽的小型化宽频带微波固态功率放大器。本文中的设计方法可以对功率放大器的输出功率-频率特性、实际功率增益-频率特性、功率附加效率-频率特性、中心频点的输入-输出特性等各项微波性能进行预先估计,是小型化宽频带固态功率放大器设计的一条有效途径。     

卫星地面站用的高功率行波管M7864

行波管作为宽频带微波放大器的应用正不断增长,特别是螺旋线型行波管已广泛的用作微波通讯中的中继增幅器输出管,使用表明,它可以作为通讯卫星的良好输出管。但是,对于卫星地面站发射机所用的输出管以及用于宽频带雷达或电子对抗设备的输出放大管来说(在这种情况下,要求脉冲功率为100千瓦以上,而在一个宽频带内要求连续波功率为1千瓦以上),由于行波管螺旋线慢波结构的热容     

S 波段GaN HEMT 宽带逆F 类高效率功率放大器设计

提出一种宽频带GaN HEMT 逆F 类功率放大器设计方法,并完成S 波段高效率功率放大器的研制。首先对改进的GaN HEMT Angelov 大信号缩放模型进行分析,确定功放管栅宽模型参数;然后通过输出电容补偿、负载牵引技术获得最佳输入、输出阻抗,设计谐波控制网络实现对谐波阻抗的峰化;最后基于宽频带、高效率原则完成电路仿真版图优化。为验证该方法,基于国产GaN HEMT(栅宽1. 25mm)设计了一款中心频率2. 9GHz,带宽大于40% 的高效率逆F 类功放,测试结果表明频带内输出功率均大于3W、漏极效率达到60%。     

两级GaAs单片功率放大器

本文报道了两级GaAs单片功率放大器的设计和制作,着重介绍了利用MESFET的小信号模型和直流负载特性设计MESFET在大信号状态下的最佳功率匹配的方法,该方法大大简化了放大器匹配电路的设计.制作在1.9×0.9mm GaAs外延片上的两级放大器,1dB带宽800MHz(670～1470MHz)频带内,最大小信号增益24dB,最大输出功率300mW.功率附加效率17.8%.     

DF100A型发射机宽频带放大器工作原理及故障分析

主要针对DF100A型发射机200 W宽频带放大器的工作原理,故障现象分析和处理方法。对于宽频带放大器的未来发展方向提供一种新的思路,从根本上解决宽频带放大器的故障率较高的问题。     

基于GaN TMIC集成片上天线技术的太赫兹功率放大器

介绍了一种由矩形微带贴片天线和功率放大器一体化集成设计的发射类型单片太赫兹集成电路.该电路采用 GaN HEMT 工艺制备, 实现了高功率密度和高效集成.片上天线被设计为功率放大器输出端接的功率辐射器和频率相关的输出负载调谐器.采用负载牵引技术实现了放大器与天线之间良好的阻抗匹配.在 100~110 GHz的频带范围内, 功率放大器的平均输出功率为 25.2 dBm, 平均功率附加效率（PAE） 为5.83%.单片太赫兹集成电路具有良好的辐射特性, 芯片的10 dB带宽为 1.5 GHz, 在109 GHz估算的等效各向同性辐射功率 （EIRP） 为 25.5 dBm.     

基于GaN TMIC集成片上天线技术的太赫兹功率放大器（英文）

介绍了一种由矩形微带贴片天线和功率放大器一体化集成设计的发射类型单片太赫兹集成电路.该电路采用GaN HEMT工艺制备,实现了高功率密度和高效集成.片上天线被设计为功率放大器输出端接的功率辐射器和频率相关的输出负载调谐器.采用负载牵引技术实现了放大器与天线之间良好的阻抗匹配.在100～110 GHz的频带范围内,功率放大器的平均输出功率为25.2 dBm,平均功率附加效率(PAE)为5.83%,单片太赫兹集成电路具有良好的辐射特性,芯片的10 dB带宽为1.5 GHz,在109 GHz估算的等效各向同性辐射功率(EIRP)为25.5 dBm.     

8-12GHz、输出1瓦的砷化镓场效应晶体管放大器

一、前言近年来,高频、高输出砷化镓场效应晶体管得到了惊人的发展,现已发表了可能用以取代行波管放大器的研制报告。也有人发表了这些放大器的应用实例,频率更高、功率更大、频带更宽的砷化镓场效应晶体管,可望在今后不久得以实现。由于在高输出功率放大器上使用的功率场     

S波段超宽带固态功率放大器的研制

本文结合一款新研制的S波段超宽带固态功率放大器,介绍了超宽带固态功率放大器的设计理论和方法,根据砷化镓场效应晶体管的小信号S参数和I-V曲线,用微波仿真软件对功率管的输入、输出阻抗匹配电路及其偏置电路进行优化仿真设计.通过制作并测试此放大器,验证了该设计方法的可行性.最后,给出了测试数据,它在2GHz～4GHz的频带范围内,输入功率为40mW时,输出功率大于20W,带内功率起伏小于1.5dB.     

带温度补偿的Ka波段CMOS堆叠功率放大器设计

介绍了一款基于55 nm CMOS工艺,带温度补偿电路的Ka波段堆叠高效功率放大器（power amplifier,PA）.采用了一种新型的针对晶体管堆叠结构的温度补偿电路,该补偿电路由两个二极管和四个电阻组成,结构简单,易于实现.通过调整堆叠放大器各个栅极偏置电路中的电压,使得PA随温度变化的增益和输出功率得到有效补偿,增强了电路的可靠性和热稳定性.基于Agilent ADS软件的版图仿真结果显示:电路的最大输出功率为20.1 dBm,频带内功率附加效率（power additional efficiency,PAE）为20%~30%,大信号功率-1 dB带宽为15 GHz（46%）.在-40℃到125℃的温度范围内,采用新型温补偏置电路与传统偏置电路相比,小信号增益的温度波动从2.2 dB改善到0.1 dB,显著提高了功放的热稳定性,证明了所提出的温度补偿电路对于在宽温度范围内校正功率放大器增益变化的有效性.     

多倍频程GaN 分布式功率放大器的设计与实现

分布式放大器结构是一种能够实现极宽带宽的放大电路结构.不过由于晶体管自身功率密度的限制,分布式放大器大多用于小信号放大器的设计中.第3代宽禁带半导体GaN具有击穿场强高、输出功率密度大的优点,随着GaN晶体管的发展成熟,将其应用于分布式放大器结构中能够实现宽带功率放大器.本文采用4个GaNHEMT(高电子迁移率晶体管)分立器件进行分布式功率放大器设计,并以混合集成电路工艺加工,实现了0.3 ～2.5GHz的多倍频程宽带功率放大器.最终得到的测量结果显示,功率放大器在0.3 ～ 2.5GHz的频带内,饱和输出功率大于39dBm,线性增益大于8dB,最大PAE大于15％.     

一种实现宽频带功分器的新方法

通过运用连续渐变线代替多节阻抗变换器,实现了一种改进的宽频带功分器的设计与实现的形式和方法;功分器的设计利用平行耦合带状线,结合渐变线耦合形式,给出了宽频带等功率分配器的设计电路,同时通过有限元法仿真计算了散射矩阵的参数,并进行了实测,结果显示设计的功分器在9个倍频的宽频带范围内性能良好.采用该方法对于宽频带不等幅功分器的电路进行了设计,并给出了有限元仿真计算的散射矩阵参数的结果(包括幅度和相位),在超宽频带范围内较好地解决了功分器在幅度不等分的情况下的相位差大问题.     

10～330兆赫晶体管宽频带放大器

一、概述小信号宽频带放大器可用在各种多路通信设备及宽带示波器中,由于它具有很宽的带宽,可用外接滤波器使它变成窄带工作,所以它包括了许多窄带放大器的要求。这里介绍的晶体管宽频带放大器具有的性能是频带范围为10兆赫到330兆赫;增益≥45分贝;频带内波动≤士2分贝;输出端负载阻抗为50欧。晶体管宽带放大器高端频率响应一般不易作高,这是因为随着工作频率的升高三极管电流放大系数     

宽频带功率合成放大器

本文叙述一种全固体化的不用调谐的50瓦宽频带功率合成放大器的设计.其带宽为3～27兆赫,工作电压为34伏直流电源.放大器在50瓦峰包功率输出时,双纯音互调失真为-40分贝,总机效率大于百分之三十.阻抗匹配是通过宽带传输线变压器来实现的.这种变压器采用高μ值的镍性铁氧体磁环作磁芯构成的宽频带功率合成器,不仅省去了过去电子管发信机一系列庞杂的调谐装置,而且无论在可靠性、经济、体积、重量、使用维护等方面都获得了很大的改进.     

5～10—GHz 15—W GaAs MESFET器件的设计

采用多节平调阻抗变换器技术制作5～10GHz15WGaAsMESFET功率放大器。阻抗变换器的长度设计为最高频率的1／4波长,实现宽频带内稳定的增益和输出功率。采用这种阻抗变换器,放大器在5～10GHz范围内具有9±1dB的线性增益,其1dB压缩功率为41.8±1dBm,功率附加效率为37.5±7.5％。     

S波段T/R组件用GaN功率放大器链的设计(英文)

基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的功率放大器链是下一代S波段相控阵雷达T/R组件的核心部分。研制的S波段放大器链主要由驱动放大器和功率放大器组成,驱动放大器与功率放大器都是基于Si衬底AlGaN/GaN HEMT器件的混合集成电路。基于混合集成电路的放大器链获得了高的输出峰值功率和附加功率(PAE),整个放大器链输出功率在800 MHz频率范围内大于20 W,附加效率(PAE)大于50%。     

短波宽频带功率放大器简介

从六十年代起,我国开始广泛采用电子管分布放大器作为大功率短波发射机的前置功率放大器。本文介绍分布放大器的有关物理概念和调试方法。短波半导体宽频带功率放大器,在国外已广泛采用,国内正处于试制阶段。本文还介绍半导体宽频带功率放大器的有关基本     

能输出数十至数百瓦的简单数字功率放大器

本文介绍一款用一块集成电路和四个MOS场效应管组成的简单数字功率放大器,只需改变电源电压就有可能输出数十瓦至数百瓦的功率。用简单的电路能在如此宽的输出功率范围内工作的数字功率放大器目前还不多见。 目前若想组成一台数瓦至数十瓦的小功率数字放大器,     

应用于GNSS接收机的宽频带高线性下变频器研究

针对全球导航卫星系统（GNSS）接收机在安全领域的应用要求,提出一种宽频带、高线性和高驱动的新型下变频电路结构.所提出的下变频器由宽频带共栅低噪声跨导放大器、电流型无源混频开关、和增益可调的跨阻驱动放大器组成.该电路采用电容交叉耦合共栅输入跨导增强技术,实现了1.15-1.65 GHz宽频带匹配和全频点GNSS信号的低噪声放大.所提出的新型的桥式跨阻驱动放大器,具有直接驱动50Ω负载阻抗能力,实现了大动态条件下宽增益控制范围和出色的下变频线性性能.流片测试结果表明,提出的下变频器实现了+38 dBm的输出三阶交调截点功率（OIP3）,+17 dBm的输出1 dB压缩点功率（OP1dB）,10-27 dB可调的转换增益.下变频噪声系数（NF）在1.15-1.65 GHz频段的各种增益下都小于12.6dB.该下变频器在低增益模式下实现了高线性、低噪声和强驱动能力,适合应用于复杂环境下的GNSS接收机.