HfSiON高K介质在HF基溶液中的湿法腐蚀特性研究

本文研究了HfSiON高K介质在HF基溶液中的湿法腐蚀特性。HF基溶液是最有希望实现HfSiON材料去除的湿法腐蚀溶液,而且通过在HF溶液中加入酸和/或无水乙醇可以提高HF基溶液的选择比。由于退火过程中引起的增密作用,与淀积后的HfSiON相比,经过900°C,30秒退火的HfSiON薄膜在HF基腐蚀溶液中的腐蚀速率显著降低。由于N扩散进入界面层或Si衬底形成在HF基溶液中很难溶解的Si-N键,采用HF基溶液完全去除HfSiON薄膜以后,存在一个不能被腐蚀干净的界面层且被腐蚀的表面未显示疏水特性。在新淀积的高K材料和Si衬底之间存在含有Si-N键的界面层可能因库伦散射而降低载流子迁移率。另外,对于很薄的HfSiON薄膜,在湿法腐蚀前采用N2等离子体处理对提高其湿法腐蚀速率并不是十分有效。     

N~＋离子注入和退火后热生长SiO_2层的干法和湿法腐蚀特性

Ｎ~＋离子注入和退火后热生长ＳｉＯ_２层的干法和湿法腐蚀特性＝Ｄｒｙａｎｄｗｅｔｅｔｃｈｉｎｇｐｒｏｐｅｒ－ｔｉｅｓｏｆｔｈｅｒｍａｌｌｙｇｒｏｗｎｓｉｌｉｃｏｎｄｉｏｘｉｄｃｌａｙｅｒａｆｔｅｒ．Ｎ￣＋ｉｏｎｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄａｎｎｅａｌ...     

硅微机械加工技术

微机械的全称为微电子机械系统，是以微电子技术和微加工技术为基础的一项新技术。目前主要应用的是硅微加工方法。本书着重介绍了硅微加工技术中应用的各种方法，包括各向异性湿法化学腐蚀、硅片键合、表面微机械加工、硅的各向同性湿法化学腐蚀、微机械加工技术中干法等离子刻蚀技术、远程等离子腐蚀、高深宽比沟槽腐蚀、微型结构的铸模等内容。     

场致发射阵列制作工艺的研究

研究了干法反应刻蚀和湿法强碱化学腐蚀方法对场致发射阵列顶部的锐化问题以及不同工作气体的干法反应刻蚀和湿法化学腐蚀对场致发射阵列Si尖顶部的SiO2绝缘层的去除方法,并对这两种方法进行了比较,给出了各自的优缺点。     

PCR生物芯片微反应腔的制作及其热分析

在PCR生物芯片的制作过程中 ,微反应腔制作是关键部分之一。本文利用硅基微机械加工工艺 ,分别采用湿法化学腐蚀、干法等离子体刻蚀及两者相结合的方法进行了微反应腔的制作。通过扫描电镜分析 ,证明干法和湿法腐蚀相结合的制作工艺能加工出较理想的微反应腔体。本文还利用ANSYS软件对微反应腔进行温度分布和热特性分析。     

PCR生物芯片微反应腔的制作及其热分析

在PCR生物芯片的制作过程中,微反应腔制作是关键部分之一.本文利用硅基微机械加工工艺,分别采用湿法化学腐蚀、干法等离子体刻蚀及两者相结合的方法进行了微反应腔的制作.通过扫描电镜分析,证明干法和湿法腐蚀相结合的制作工艺能加工出较理想的微反应腔体.本文还利用ANSYS软件对微反应腔进行温度分布和热特性分析.     

向65nm工艺提升中的半导体清洗技术

由于器件尺寸由90nm技术节点向65nm节点的缩进,在前道工艺的湿法清洗中去除0.1μm及更小尺寸的污染粒子正在成为一种新的技术挑战。评价了在向65nm技术节点的迈进中,器件的新结构、新材料对于清洗设备提出的各种技术挑战及应对无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗技术。指出了单片式清洗技术的应用前景及干法清洗与湿法清洗技术共存的可能性。     

PCR生物芯片微反应腔的制作及其热分析

在PCR生物芯片的制作过程中，微反应腔制作是关键部分之一。本文利用硅基微机械加工工艺，分别采用湿法化学腐蚀、干法等离子体刻蚀及两者相结合的方法进行了微反应腔的制作。通过扫描电镜分析，证明干法和湿法腐蚀相结合的制作工艺能加工出较理想的微反应腔体。本文还利用ANSYS软件对微反应腔进行温度分布和热特性分析。     

GaAs表面旋转超声雾化清洗新技术

研究了一种新型湿法化学清洗半导体GaAs表面的方法。通过简单设计清洗工艺能使GaAs表面产生最低的损伤。GaAs表面清洗必须满足三个条件：(1)清除热力学不稳定因素和表面粘附的杂质,(2) 除去GaAs表面氧化层,(3)提供一个光滑平整的GaAs表面。本文采用旋转超声雾化方式用有机溶剂除去GaAs表面的杂质,再用NH4OH:H2O2:H2O= 1:1:10和HCl:H2O2:H2O=1:1:20顺次腐蚀非常薄的GaAs层,去除表面的金属污染,并在GaAs表面形成一个非常薄的氧化层表面,最后用NH4OH:H2O= 1:5溶液来清除GaAs表面氧化层。测试GaAs表面的特性,分别用X射线光电光谱仪、X射线全反射荧光光谱仪和原子力显微镜测试了GaAs表面氧化的组分、GaAs表面金属污染和GaAs表面形貌,测试结果表明通过旋转超声雾化技术清洗可提供表面无杂质污染、金属污染和表面非常光滑的GaAs衬底,以供外延生长。     

晶圆制备工艺用清洗洁净及环保新技术

在简要介绍传统的湿法清洗与干法清洗技术的基础上,分析了几种晶圆制备工艺中的清洗洁净与环保新技术,包括HF与臭氧槽式清洗法、HF与臭氧单片清洗法以及无损伤和抑制腐蚀损伤的清洗方法等.分析结果表明,采用新技术清洗后的晶片表面可以满足更小线宽器件的要求,由于清洗工艺和步骤得到简化,所以使清洗设备小型化成为可能,同时新技术不仅节省了洁净间面积,而且有效地降低了环境污染.     

Smart-cut方法制备GeOI材料的Ge表面腐蚀研究

通过H离子注入Ge晶圆退火起泡动力学研究,对实现晶圆Ge在氧化硅上层转移后的Ge表面(GeOI)采用湿法化学腐蚀研究,使其能进一步改善表面质量(即粗糙度),同时去除由于H离子注入Ge所造成的表面非晶层。通过氨水、H2O2、去离子水混合溶液在室温下对被转移Ge层腐蚀,采用原子力显微镜(AFM)和透射电子显微镜(TEM)检测。实验证实,湿法化学腐蚀方法能显著降低表面粗糙度,并去除制备GeOI过程中所造成的非晶层,从而得到晶格质量完好的表面。     

硅的等离子体深腐蚀

湿法化学腐蚀已被广泛地应用于敏感器件传感结构的微细加工中.近年来,在VLSI中等离子体干法腐蚀已成为获得细线条图形的可行技术.然而,干法腐蚀工艺无论是等离子体腐蚀或反应离子腐蚀,相对于湿法腐蚀来说都是比较慢的.在需要深腐蚀的应用中(如电子束光刻的对准符号刻蚀,电路隔离槽或敏感器件的微细结构腐蚀)当前都着力提高腐蚀速率.在传感器的开发中,主要问题之一是封装,为简化到处于测量环境的传感器的外部连接,希望通过传感器背面进行连接.在化学传感器中,背面连接最为有利.因为假如所有的引线都     

光刻工艺中Si_3N_4膜的化学腐蚀

本文讨论了光刻工艺中Si_3N_4膜的几种化学腐蚀的工艺、原理及影响化学腐蚀的一些因素,并对干法化学腐蚀与湿法化学腐蚀进行了较为详细的比较。     

四氯化碳等离子体腐蚀铝的若干特性

在集成电路结构中,广泛采用铝作为互连线。随着大规模和超大规模集成电路的发展,同对其它结构层的要求一样,需要对铝膜进行窄线条小间距的精细蚀刻;此外,作为互连线,必须保持一定的电流容量,因而要求Al条具有较小的宽度与厚度比。显然,常规的湿法化学腐蚀是不能满足这些要求的。因此,近几年来,许多人对铝的干法腐蚀进行了广泛的探索,以寻求适用于高集成度的电路中铝刻蚀的理想工艺。 目前研究的干法工艺中有离子束腐蚀、射频溅射腐蚀,反应离子腐蚀(或称反应溅射腐蚀)和等离子腐蚀等四种。前两种方法由于设备庞大复杂,腐蚀速率小,选择性差,离子轰击损伤大等缺点,因而较少采用。报导较多并有成熟     

MMST硅片清洗

德克萨斯仪器公司（ＴＩ）、预研规划局（ＡＲＰＡ）和空军三家联合的微电子制造科学与技术（ＭＭＳＴ）工程中，片子清洗工艺的目标是开发平片的全干法或气相清洗工艺，旨在全部地取代湿法清洗工艺。ＨＦ气相清洗和等离子工艺已成功地用于氧化物、氮化物和金属化后腐蚀的残余物的去除。但是还未找到用于替代炉前清洗的工业标准（ＲＣＡ）清洗和水冲洗的有效干法工艺。全干法清洗很可能要再花五到十年才能走向成熟。在未来的几年内，     

FSI清洗专栏：干法清洗技术在Cu工艺中的应用

晶圆清洗是典型的湿法工艺，即用化学溶液通过化学反应去除颗粒和残余物。有时在湿法工艺中还会使用兆声清洗等物理作用提高颗粒的去除效率。许多晶圆清洗工程师并不了解干法颗粒去除技术。本专栏的目的是向大家介绍超凝态过冷动力学（CryoKinetic）技术，一种FSI国际公司专用的采用ANTARES CryoKinetic清洗系统实现的全干法无化学反应颗粒去除技术。     

激增的需求推动晶圆清洗技术的发展

更小、更脆的结构及新材料的主导地位,对清洗技术提出了更高的要求,在技术解决方案上需要更多结合使用各种方法,包括湿法和干法技术、机械和化学处理。     

腐蚀二氧化硅的新技术

在一种新的干法腐蚀二氧化硅工艺中,采用了无水氟化氢。这种方法不损伤SiO_2层下面的Si层,具有精度高和实用的特点。在所规定的温度范围和压力下,HF对Si、Si_3N_4、Al及其它常用的材料没有作用。该工艺可分二种方法:一种是透过负性光致抗蚀剂进行腐蚀的“渗透腐蚀”;另一种是直接腐蚀。本文阐述了这种新技术的发展和使用。     

湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用

文中计算了AlGaN材料在不同温度KOH水溶液中的湿法腐蚀速率,并研究了湿法化学腐蚀GaN基材料对消除干法刻蚀所引入损伤的作用.为了对比湿法化学腐蚀消除干法刻蚀损伤的效果,分别利用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和俄歇电子能谱(AES)对比Ar 干法刻蚀后经湿法化学腐蚀处理和未经处理的表面形貌及组分,并制作了单元可见盲器件,测试其反向漏电流,发现在干法刻蚀后引入湿法化学腐蚀工艺可使器件的反向漏电流得到较大程度的减小.     

干法腐蚀损伤研究

采用 RIE 法,利用 PIN 光电二极管,研究了干法腐蚀损伤机理及引起损伤的主要因素。由于离子轰击及电子、紫外线辐射,形成了腐蚀面的损伤和沾污。射频功率的大小对表面损伤起着主要作用。用退火方法可以降低损伤程度,甚至可以消除小功率作用下的损伤。